一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,包括真空密封杜瓦以及分别装设在真空密封杜瓦外侧壁两端的第一密封SMA连接器和第二密封SMA连接器，还包括设置在真空密封杜瓦内的输入低温开关、若干个高温超导频分器、若干个低温放大器、输出低温开关，第一密封SMA连接器与输入低温开关的输入端口连接，输入低温开关的输出端口与高温超导频分器的输入端口连接，高温超导频分器的输出端口通过低温放大器与输出低温开关的输入端口连接，输出低温开关的输出端口与第二密封SMA连接器连接，高温超导频分器为双通带高温超导频分器。本实用新型专利技术具有噪声低、选择性好、响应快速等特点，降低了捷变频信号对电子装备的干扰。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微波
，具体是一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件。
技术介绍
基于超导材料的极低损耗、极高Q值（几十到上百万），由超导材料制备的高温超导频分器具有插入损耗低、矩形系数好、抑制度深等特性；由HEMT器件制备的低温放大器和砷化镓材料制备的多路低温开关工作于低温下具有极低噪声、快速响应等特性。目前，常规的信道化滤波放大组件（8通道）具有噪声大（大于4dB@C波段）、矩形系数差（10以上）、邻域抑制度差（与超导滤波器/超导频分器相比有50dB抑制度差异）等缺点，而且多采用低温开关、高温超导滤波器和低温放大器的组成形式，输入低温开关放置在低温放大器之前，随着通道数的增加其引入的噪声也逐渐增大，其体积尺寸也相应增加，限制了通道集成数量，无法适应现阶段雷达捷变频系统工作频点多、覆盖范围广的特点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种噪声低、选择性好、响应快速的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件，能够大大降低捷变频信号对电子装备的干扰，解决电磁兼容问题。本技术的技术方案为：一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,包括真空密封杜瓦以及分别装设在真空密封杜瓦外侧壁两端的第一密封SMA连接器和第二密封SMA连接器，还包括设置在真空密封杜瓦内的输入低温开关、若干个高温超导频分器、若干个低温放大器、输出低温开关，所述第一密封SMA连接器与输入低温开关的输入端口连接，所述输入低温开关的输出端口与高温超导频分器的输入端口连接，所述高温超导频分器的输出端口通过低温放大器与输出低温开关的输入端口连接，所述输出低温开关的输出端口与第二密封SMA连接器连接，所述高温超导频分器为双通带高温超导频分器，其具有两个输出端口，每个输出端口连接一个低温放大器。所述的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,所述第一密封SMA连接器通过第一隔热电缆和第一SMA连接器连接输入低温开关的输入端口，所述第二密封SMA连接器通过第二隔热电缆和第二SMA连接器连接输出低温开关的输出端口。 所述的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,所述输入低温开关的输出端口通过第三SMA连接器、低温低损耗电缆和第四SMA连接器连接高温超导频分器的输入端口，所述第四SMA连接器与高温超导频分器的输入端口通过金丝连接。所述的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,所述高温超导频分器的输出端口与低温放大器的输入端口通过金丝连接，所述低温放大器的输出端口与输出低温开关的输入端口通过金丝连接。所述的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,所述输入低温开关采用单刀四掷开关，所述输出低温开关采用单刀八掷开关，所述高温超导频分器的数量为四个，所述低温放大器的数量为八个。所述的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,所述第一隔热电缆和第二隔热电缆均采用不锈钢隔热电缆。由上述技术方案可知，本技术的一体式多路低温开关和超导频分放大组件主要是由高温超导频分器、多路低温开关和低温放大器组成，具有噪声系数小（小于1.2dB）、矩形系数好（2以下）、抑制度高（70dB以上）、开关速度快（100ns以内）等优点，可广泛应用于雷达捷变频系统接收回路，能够降低输入多路低温开关的通道数和引入噪声，进一步降低常规信道化超导滤波放大组件的噪声系数，有效提升接收机的接收灵敏度和覆盖范围，同时，本技术的体积尺寸较常规信道化超导滤波放大组件进一步减小，结构更加紧凑，有效扩展了系统通道集成数量，可放在紧靠接收机前端的处理回路，有效扩展接收机的接收能力和信号处理能力，抑制捷变频信号对电子信息装备的干扰。附图说明图1是本技术具体实施例的结构示意图；图2是本技术具体实施例的输入低温单刀四掷开关电路结构示意图；图3是本技术具体实施例的高温超导频分器电路芯片结构示意图；图4是本技术具体实施例的低温放大器电路结构示意图；图5是本技术具体实施例的输出低温单刀八掷开关电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例进一步说明本技术。如图1～图5所示，一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件，包括真空密封杜瓦1、第一密封SMA连接器2、第二密封SMA连接器3、输入低温单刀四掷开关4、四个高温超导频分器5、八个低温放大器6和输出低温单刀八掷开关7。其中，第一密封SMA连接器2和第二密封SMA连接器3安装在真空密封杜瓦1外侧壁的两端，输入低温单刀四掷开关4、四个高温超导频分器5、八个低温放大器6和输出低温单刀八掷开关7设置在真空密封杜瓦1内。输入低温单刀四掷开关4由低温开关电路板、开关盒体组成，低温开关电路板采用介电常数为2.2、厚度为0.5mm的复合基片，焊接在开关盒体内底部，开关二极管采用砷化镓材料。输入低温单刀四掷开关4的输入端口40与第一SMA连接器10连接，输出端口41、42、43和44分别与第三SMA连接器12、13、14和15一一对应连接。输入低温单刀四掷开关4通过TTL电平联动控制，达到一路进一路出。高温超导频分器5由高温超导频分器电路芯片、高温超导频分器盒体组成，高温超导频分器电路芯片焊接在高温超导频分器盒体内底部。高温超导频分器5为双通带高温超导频分器，四个高温超导频分器5的输入端口50分别与第四SMA连接器16、17、18和19通过金丝连接，输出端口51和52分别与八个低温放大器6的输入端口60通过金丝连接。高温超导频分器电路芯片采用氧化镁（MgO）作为基片，厚度为0.5mm，在基片两面溅射上5000埃高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜，在高温超导薄膜上原位溅射500埃金膜，超导转变温度Tc≥90K，临界电流密度Jc≥2×106A/cm2，通过光刻、干法刻蚀、切割等工艺制作高温超导频分器，其中一面的高温超导薄膜和金膜全部保留，作为接地面，另一面为高温超导频分器电路，高温超导频分器电路芯片由输入端口50、输出端口51和52及谐振器53组成。高温超导频分器电路芯片通过直径为0.1mm的铟片焊接在高温超导频分器盒体底部，高温超导频分器盒体材料采用钛合金。低温放大器6由低温放大器电路板、放大器盒体组成，低温放大器电路板焊接在放大器盒体内底部。八个低温放大器6的输入端口60分别与四个高温超导频分器5的输出端口51和52通过金丝连接，输出端口61分别与输出低温单刀八掷开关7的输入端口71、72、73、74、75、76、77和78通过金丝连接。低温放大器电路板采用介电常数为2.2、厚度为0.5mm的复合基片，放大器管芯采用HEMT器件。输出低温单刀八掷开关7由低温开关电路板、开关盒体组成，低温开关电路板采用介电常数为2.2、厚度为0.5mm的复合基片，焊接在开关盒体内底部，开关二极管采用砷化镓材料。输出低温单刀八掷开关7的输出端口70与第二SMA连接器11通过金丝连接。输出低温单刀八掷开关7通过TTL电平联动控制，达到一路进一路出。第一不锈钢隔热电缆8和第二不锈钢隔热电缆9均采用低损耗微波电缆，线径在2mm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,包括真空密封杜瓦以及分别装设在真空密封杜瓦外侧壁两端的第一密封SMA连接器和第二密封SMA连接器，其特征在于：还包括设置在真空密封杜瓦内的输入低温开关、若干个高温超导频分器、若干个低温放大器、输出低温开关，所述第一密封SMA连接器与输入低温开关的输入端口连接，所述输入低温开关的输出端口与高温超导频分器的输入端口连接，所述高温超导频分器的输出端口通过低温放大器与输出低温开关的输入端口连接，所述输出低温开关的输出端口与第二密封SMA连接器连接，所述高温超导频分器为双通带高温超导频分器，其具有两个输出端口，每个输出端口连接一个低温放大器。

【技术特征摘要】
1.一种新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,包括真空密封杜瓦以及分别装设在真空密封杜瓦外侧壁两端的第一密封SMA连接器和第二密封SMA连接器，其特征在于：还包括设置在真空密封杜瓦内的输入低温开关、若干个高温超导频分器、若干个低温放大器、输出低温开关，所述第一密封SMA连接器与输入低温开关的输入端口连接，所述输入低温开关的输出端口与高温超导频分器的输入端口连接，所述高温超导频分器的输出端口通过低温放大器与输出低温开关的输入端口连接，所述输出低温开关的输出端口与第二密封SMA连接器连接，所述高温超导频分器为双通带高温超导频分器，其具有两个输出端口，每个输出端口连接一个低温放大器。
2.根据权利要求1所述的新型一体式多路低温开关和超导频分放大组件,其特征在于：所述第一密封SMA连接器通过第一隔热电缆和第一SMA连接器连接输入低温开关的输入端口，所述第二密封SMA连接器通过第二隔热电缆和第二SMA连接器连接输出低温开关的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宾峰，陆勤龙，高文斌，刘洋，车蓉蓉，陈新民，孙文娟，阮晓明，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十六研究所，
类型：新型
国别省市：安徽;34