一种断路检测电路,涉及线路检修领域，包括金属探测器T、运算放大器U、N沟道型MOS管MOS管T1和电阻R1～R4,耦合电容C1、C2，直流电源、三极管Q1和发光二极管LED；本实用新型专利技术提供的一种断路检测电路，采用简易的无接触式断路检测电路设计，有小巧、简单、可靠等优点，仅几个小元器件组成，体积非常小，而且成本低，通过钳位电路结构，提高了检测电路的抗干扰能力和输出信号质量；通过将探头靠近电线，并通过发光二极管的状态来判断电线电芯断点，解决了需要用专用仪表所带来的成本高问题和效率低的问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种断路检测电路,涉及线路检修领域，包括金属探测器T、运算放大器U、N沟道型MOS管MOS管T1和电阻R1～R4,耦合电容C1、C2，直流电源、三极管Q1和发光二极管LED；本技术提供的一种断路检测电路，采用简易的无接触式断路检测电路设计，有小巧、简单、可靠等优点，仅几个小元器件组成，体积非常小，而且成本低，通过钳位电路结构，提高了检测电路的抗干扰能力和输出信号质量；通过将探头靠近电线，并通过发光二极管的状态来判断电线电芯断点，解决了需要用专用仪表所带来的成本高问题和效率低的问题。【专利说明】—种断路检测电路
本技术涉及线路检修领域，具体为一种断路检测电路。
技术介绍
在检测维修电线时，有些电线由于电芯断路，需要重新在断点处修复，但由于电线电芯表面有一层绝缘层，很难直观的找出内部电芯断在哪，通常需要使用专用的仪表检测，但专用仪表价格少则也需要上千元，且也不利于随身携带；所以就存在成本高和检测效率的问题，但是一般小型的检测器很容易受到干扰，导致检测结果不准确。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种断路检测电路，其构造简单、成本低、检测准确，解决了
技术介绍
中的问题。 为实现上述目的，本技术提供如下技术方案: 一种断路检测电路，包括金属探测器T、运算放大器U、N沟道型MOS管Tl和电阻Rl?R4，耦合电容Cl、C2，直流电源、三极管Ql和发光二极管LED ;所述MOS管Tl的漏极接经电阻Rl连接直流电源的正极，MOS管Tl的栅极与运算放大器U的输出端和电阻R2 —端连接，电阻R2的另一端接地，MOS管Tl的源极经电阻R3接地，运算放大器U反向输入端接地，运算放大器U的正向输入端通过耦合电容Cl与金属探测器T连接；M0S管Tl的漏极还通过耦合电容C2与三极管Ql的基极连接，在MOS管Tl的漏极与耦合电容C2的线路上设有防止电流由三极管Ql基极倒流的二极管D1，三极管Ql的集电极通过电阻R2与发光二极管LED的一端连接，发光二极管LED的另一端连接在直流电源的正极与电阻Rl之间，直流电源的负极连接三极管Ql的发射极，三极管Ql的发射极还接地。 进一步的，在所述发光二极管LED与直流电源BT的正极连接线路上设有开关。 进一步的，所述的运算放大器U为单极运算放大器。 综上所述，本技术提供的一种断路检测电路，采用简易的无接触式断路检测电路设计，有小巧、简单、可靠等优点，仅几个小元器件组成，体积非常小，而且成本低，通过钳位电路结构，提高了检测电路的抗干扰能力和输出信号质量；通过将探头靠近电线，并通过发光二极管的状态来判断电线电芯断点，解决了需要用专用仪表所带来的成本高问题和效率低的问题。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的电路原理图。 【具体实施方式】 为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。 如图1所示的一种断路检测电路，包括金属探测器T、运算放大器U、N沟道型MOS管Tl和电阻Rl?R4，耦合电容Cl、C2，直流电源BT、三极管Ql和发光二极管LED ;所述MOS管Tl的漏极接经电阻Rl连接直流电源BT的正极，MOS管Tl的栅极与运算放大器U的输出端out和电阻R2 —端连接，电阻R2的另一端接地，MOS管Tl的源极经电阻R3接地，运算放大器U反向输入端接地，运算放大器U的正向输入端通过耦合电容Cl与金属探测器T连接；M0S管Tl的漏极还通过耦合电容C2与三极管Ql的基极连接，在MOS管Tl的漏极与耦合电容C2的线路上设有防止电流由三极管Ql基极倒流的二极管Dl，三极管Ql的集电极通过电阻R2与发光二极管LED的一端连接，发光二极管LED的另一端连接在直流电源BT的正极与电阻Rl之间，在发光二极管LED与直流电源BT的正极连接线路上设有开关S，直流电源BT的负极连接三极管Ql的发射极，三极管Ql的发射极还接地；所述的运算放大器U为单极运算放大器，功率小，能耗低，算放大器U、M0S管Tl和电阻Rl?R3配合形成一个钳位电路，对由耦合电容Cl传输的电信号进行放大和钳位作用，使电信号更稳定，抗干扰倉泛力jet击是1?。 电线断路检测电路在检修电路时的实现过程如下: 1、首先，将被测电线连上交流电源的火线；2、接着，合上SI开关，用手拿金属探头T，将其金属部分沿电线表面移动，将会出现如下两种检测结果状态:其一、当被测电线未断路部分，金属探头会感应到电信号，由耦合电容Cl耦合到运算放大器U，经运算放大器U稳定整流后传输给MOS管Tl的栅极，电信号经MOS管Tl放大后，由耦合电容C2耦合到三极管Ql的基极，此时基极为高电平，三极管Ql导通，发光二极管LEDl亮，表明被测试电线此处无断路；其二、当被测电线出现断路部分，金属探头T不会感应到电信号，MOS管Tl和三极管Ql三极管都处于截止状态，发光二极管LED不亮，表明此处无电信号，即可判定此处是断路点。 以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种断路检测电路，其特征在于:包括金属探测器T、运算放大器U、N沟道型MOS管Tl和电阻Rl?R4，耦合电容Cl、C2，直流电源、三极管Ql和发光二极管LED ;所述MOS管Tl的漏极接经电阻Rl连接直流电源的正极，MOS管Tl的栅极与运算放大器U的输出端和电阻R2 —端连接，电阻R2的另一端接地，MOS管Tl的源极经电阻R3接地，运算放大器U反向输入端接地，运算放大器U的正向输入端通过耦合电容Cl与金属探测器T连接；M0S管Tl的漏极还通过耦合电容C2与三极管Ql的基极连接，在MOS管Tl的漏极与耦合电容C2的线路上设有防止电流由三极管Ql基极倒流的二极管D1，三极管Ql的集电极通过电阻R2与发光二极管LED的一端连接，发光二极管LED的另一端连接在直流电源的正极与电阻Rl之间，直流电源的负极连接三极管Ql的发射极，三极管Ql的发射极还接地。2.根据权利要求1所述的一种断路检测电路，其特征在于:在所述发光二极管LED与直流电源BT的正极连接线路上设有开关。3.根据权利要求1所述的一种断路检测电路，其特征在于:所述的运算放大器U为单极运算放大器。【文档编号】G01R31/02GK204101673SQ201420506247【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年9月4日 优先权日:2014年9月4日 【专利技术者】朱晓宏 申请人:江西双宏科技电气有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种断路检测电路，其特征在于：包括金属探测器T、运算放大器U、N沟道型MOS管T1和电阻R1～R4,耦合电容C1、C2，直流电源、三极管Q1和发光二极管LED；所述MOS管T1的漏极接经电阻R1连接直流电源的正极，MOS管T1的栅极与运算放大器U的输出端和电阻R2一端连接，电阻R2的另一端接地，MOS管T1的源极经电阻R3接地，运算放大器U反向输入端接地，运算放大器U的正向输入端通过耦合电容C1与金属探测器T连接；MOS管T1的漏极还通过耦合电容C2与三极管Q1的基极连接，在MOS管T1的漏极与耦合电容C2的线路上设有防止电流由三极管Q1基极倒流的二极管D1，三极管Q1的集电极通过电阻R2与发光二极管LED的一端连接，发光二极管LED的另一端连接在直流电源的正极与电阻R1之间，直流电源的负极连接三极管Q1的发射极，三极管Q1的发射极还接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓宏，
申请(专利权)人：江西双宏科技电气有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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