一种显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示技术领域，能够防止显示面板出现漏光现象。该显示面板分为中间区域和周边区域，所述中间区域的显示模式为水平电场或者多维电场控制的显示模式，所述周边区域的显示模式为垂直电场控制的显示模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
ADS (高级超维场转换技术，Advanced Super Dimens1n Switch,简称 ADS)显不面板为显示模式为ADS模式的显示面板，ADS显示面板具有视角广、色偏小和透过率高等优点。 具体地，ADS显示面板通过同一平面内的像素电极边缘所产生的电场以及像素电极与公共电极间产生的电场形成的多维电场使得ADS显示面板内的液晶分子产生偏转。ADS显示面板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，ADS模式属于常黑模式，当ADS显示面板处于非关闭状态(非关闭状态包括暗态和显示状态)时，非显示区域内的液晶分子未发生旋转，进而使得非显示区域无光线通过，非显示区域呈现暗态。 专利技术人发现，处于非关闭状态的ADS显示面板受外力挤压时，会导致ADS显示面板的非显示区域内的液晶分子的发生一定偏转，从而导致ADS显示面板出现漏光现象。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供，能够防止显示面板出现漏光现象。 为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示面板，采用如下技术方案: 一种显示面板，所述显示面板分为中间区域和周边区域，所述中间区域的显示模式为水平电场或者多维电场控制的显示模式，所述周边区域的显示模式为垂直电场控制的显示模式。 所述显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板的中间区域设置有第一像素电极和第一公共电极，所述第一像素电极和/或所述第一公共电极为狭缝电极，所述阵列基板的周边区域设置有第二像素电极；所述彩膜基板的周边区域设置有第二公共电极，所述第二像素电极和所述第二公共电极均为板状电极。 所述显示面板还包括位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶分子层，所述液晶分子层中的液晶分子具有特定的初始取向，其中，所述液晶分子层的中间区域的液晶分子具有水平的初始取向，所述液晶分子层的周边区域的液晶分子具有90°扭曲的初始取向。 第一取向膜和第三取向膜使所述液晶分子层的中间区域的液晶分子具有水平的初始取向；第二取向膜和第四取向膜使所述液晶分子层的周边区域的液晶分子具有90°扭曲的初始取向。 所述第一取向膜位于所述阵列基板的中间区域，所述第三取向膜位于所述彩膜基板的中间区域，所述第一取向膜和所述第三取向膜为使液晶分子具有水平的初始取向的取向膜，所述第二取向膜位于所述阵列基板的周边区域，所述第四取向膜位于所述彩膜基板的周边区域，所述第二取向膜和所述第四取向膜为使液晶分子具有90°扭曲的初始取向的取向膜。 所述第一取向膜、所述第二取向膜、所述第三取向膜和所述第四取向膜采用摩擦取向工艺使所述液晶分子层中的液晶分子具有特定的初始取向。 所述第一取向膜、所述第二取向膜、所述第三取向膜和所述第四取向膜通过光取向使所述液晶分子层中的液晶分子具有特定的初始取向。 所述中间区域为所述显示面板的显示区域或者小于所述显示区域。 本专利技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板分为中间区域和周边区域，中间区域的显示模式为水平电场或者多维电场控制的显示模式，周边区域的显示模式为垂直电场控制的显示模式，此时周边区域的暗态由电场控制，进而使得外力的作用对周边区域的暗态无影响，从而可以有效防止显示面板出现漏光现象。 为了进一步解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制作方法，采用如下技术方案: 一种显示面板的制作方法包括: 形成阵列基板，所述阵列基板的中间区域上设置有第一像素电极和第一公共电极，所述第一像素电极和/或所述第一公共电极为狭缝电极，所述阵列基板的周边区域上设置有第二像素电极； 形成彩膜基板，所述彩膜基板的周边区域上设置有第二公共电极，所述第二像素电极和所述第二公共电极均为板状电极。 在所述阵列基板的中间区域上形成第一取向膜； 在所述阵列基板的周边区域上形成第二取向膜； 在所述彩膜基板的中间区域上形成第三取向膜； 在所述彩膜基板的周边区域上形成第四取向膜； 所述第一取向膜和所述第三取向膜使液晶分子层的中间区域的所有液晶分子具有水平的初始取向；所述第二取向膜和所述第四取向膜使所述液晶分子层的周边区域的液晶分子具有90 °扭曲的初始取向。 所述在所述阵列基板的中间区域上形成第一取向膜和第三取向膜，在周边区域上形成第二取向膜和第四取向膜，之后包括:采用摩擦取向工艺进行取向。 所述显示面板的制作方法还包括: 向所述阵列基板的中间区域或者所述彩膜基板的中间区域上滴注感光基团和液晶分子，使用紫外光照射，以形成所述液晶分子层的中间区域，所述液晶分子层的中间区域的液晶分子具有水平的初始取向； 向所述阵列基板的周边区域或者所述彩膜基板的周边区域上滴注感光基团和液晶分子，使用紫外光照射，以形成所述液晶分子层的周边区域，所述液晶分子层的周边区域的液晶分子具有90°扭曲的初始取向。 本专利技术实施例提供了一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括形成阵列基板，阵列基板的中间区域上设置有第一像素电极和第一公共电极，第一像素电极和/或第一公共电极为狭缝电极，阵列基板的周边区域上设置有第二像素电极；形成彩膜基板，彩膜基板的周边区域上设置有第二公共电极，第二像素电极和第二公共电极均为板状电极，此时形成的显示面板的周边区域的暗态由电场控制，进而使得外力的作用对周边区域的暗态无影响，从而可以有效防止显示面板出现漏光现象。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例中的第一种显示面板处于显示状态时的示意图； 图2为本专利技术实施例中的第一种显示面板处于关闭状态时的示意图； 图3为本专利技术实施例中的第一种显示面板处于暗态时的示意图； 图4为本专利技术实施例中的显示面板的制作方法流程图。 附图标记说明: a一中间区域；b—周边区域；I—阵列基板； 11 一第一像素电极；12—第一公共电极；13—第二像素电极； 14一薄膜晶体管； 2—彩膜基板；21—第二公共电极； 22—黑矩阵；23—彩色滤色层； 3—液晶分子层； 4一第一取向膜； 5—第三取向膜； 6—第二取向膜； 7一第四取向膜； 8—下偏光片；9—上偏光片。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 实施例一 本专利技术实施例提供了一种显示面板，能够防止显示面板出现漏光现象。 具体地，如图1、图2和图3所示，该显示面板分为中间区域a和周边区域b，其中，中间区域a的显示模式为水平电场或者多维电场控制的显示模式，周边区域b的显示模式为垂直电场控制的显示模式。示例性地，中间区域a的显示模式为ADS模式，周边区域b的显示模式为TN模式。中间区域a为显示面板的显示区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，所述显示面板分为中间区域和周边区域，其特征在于，所述中间区域的显示模式为水平电场或者多维电场控制的显示模式，所述周边区域的显示模式为垂直电场控制的显示模式。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，所述显示面板分为中间区域和周边区域，其特征在于，所述中间区域的显示模式为水平电场或者多维电场控制的显示模式，所述周边区域的显示模式为垂直电场控制的显不模式。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板的中间区域设置有第一像素电极和第一公共电极，所述第一像素电极和/或所述第一公共电极为狭缝电极，所述阵列基板的周边区域设置有第二像素电极；所述彩膜基板的周边区域设置有第二公共电极，所述第二像素电极和所述第二公共电极均为板状电极。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶分子层，所述液晶分子层中的液晶分子具有特定的初始取向，其中，所述液晶分子层的中间区域的液晶分子具有水平的初始取向，所述液晶分子层的周边区域的液晶分子具有90°扭曲的初始取向。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，第一取向膜和第三取向膜使所述液晶分子层的中间区域的液晶分子具有水平的初始取向；第二取向膜和第四取向膜使所述液晶分子层的周边区域的液晶分子具有90°扭曲的初始取向。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一取向膜位于所述阵列基板的中间区域，所述第三取向膜位于所述彩膜基板的中间区域，所述第一取向膜和所述第三取向膜为使液晶分子具有水平的初始取向的取向膜，所述第二取向膜位于所述阵列基板的周边区域，所述第四取向膜位于所述彩膜基板的周边区域，所述第二取向膜和所述第四取向膜为使液晶分子具有90°扭曲的初始取向的取向膜。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一取向膜、所述第二取向膜、所述第三取向膜和所述第四取向膜采用摩擦取向工艺使所述液晶分子层中的液晶分子具有特定的初始取向。7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一取向膜、所述第二取...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莎，赵峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11