液晶显示器制造技术

技术编号:10901804 阅读:63 留言:0更新日期:2015-01-14 12:20
本发明专利技术公开了一种液晶显示器,所述液晶显示器包括:多个像素;彼此面对的下基底和上基底;液晶层,设置在下基底和上基底之间;像素电极,设置在下基底上并且对于多个像素中的一个像素包括多个子区域,所述多个子区域不同地控制包括在液晶层中的液晶分子的倾斜方向;栅极线,设置在下基底上并且包括与像素电极的所述多个子区域的相邻的子区域之间的边界叠置的部分。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示器
本专利技术涉及一种液晶显不器。
技术介绍
作为最广泛地使用的平板显示器中的一种的液晶显示器(IXD)通常包括两个显示面板以及插入到它们之间的液晶层,在两个显示面板上形成有例如像素电极和共电极的场产生电极,IXD通过向场产生电极施加电压在液晶层中产生电场,从而显示图像。电场通过电场来确定液晶层的液晶分子的取向,从而控制入射光的偏振。 LCD通常包括:开关元件,连接到每个像素电极;例如栅极线和数据线的多条信号线,通过控制开关元件来向像素电极施加电压;驱动器,通过将驱动信号施加到信号线来驱动显示面板。 驱动器通常包括:栅极驱动器,用于将包括栅极导通信号和栅极截止信号的栅极信号施加到显示面板的栅极线;数据驱动器,用于将数据信号施加到显示面板的数据线;信号控制器,用于控制数据驱动器和栅极驱动器。 在IXD中,垂直取向(VA)模式的IXD具有高对比度并且容易实现宽参考视角,因而受到关注,在VA模式的LCD中,在未施加电场的状态下,液晶分子的长轴相对于上显示面板和下显示面板垂直地取向。 在垂直取向模式的IXD中,为了实现宽视角,可以在一个像素中形成具有不同的液晶取向方向的多个畴。 —种形成上述多个畴的方式包括例如在场产生电极处限定诸如狭缝的切口的方法。根据该方法,液晶被形成在切口的边缘与面对该切口的边缘的场产生电极之间的弥散电场重新布置,从而可以形成所述多个畴。 包括畴形成方式的IXD包括垂直取向模式IXD和无图案VA模式IXD,在垂直取向模式LCD中,畴形成方式形成在上基底和下基底二者上,在无图案VA模式LCD中,例如,仅在下基底上形成微图案,并且在上基底上不形成图案。显示区域被畴形成方式分为多个畴,在每个畴中的液晶基本朝相同的方向倾斜。
技术实现思路
本专利技术已经致力于提供一种能够有效地防止诸如由于栅极信号的电场导致的像素之间的漏光的缺陷的液晶显示器(LCD )。 此外,本专利技术已经致力于提高IXD的透射率和开口率。 本专利技术的一个示例性实施例提供了一种IXD,所述IXD包括:彼此面对的下基底和上基底;液晶层,设置在下基底和上基底之间;像素电极,设置在下基底上并且对于一个像素来讲包括多个子区域,所述多个子区域不同地控制包括在液晶层中的液晶分子的倾斜方向;栅极线,设置在下基底上并且包括与像素电极的相邻的子区域之间的边界叠置地延伸的部分。 像素电极可以包括形成相邻的子区域之间的边界的第一杆部分;栅极线可以包括与第一杆部分叠置地延伸的部分。 像素电极可以包括基本垂直地连接到第一杆部分的第二杆部分以及在不同的子区域中沿不同的方向延伸的多个微分支。 IXD还可以包括:被构造为传输数据电压的数据线、被构造为将数据电压施加到像素电极的薄膜晶体管(TFT)以及被构造为传输共电压的存储电极线,其中:TFT包括与栅极线连接的栅极以及在栅极上彼此面对的源极和漏极,存储电极线包括与像素电极或漏极叠置的部分。 栅极线可以包括在像素电极的边缘部分弯曲的弯曲部分。 第一杆部分可以沿第一方向延伸,TFT可以设置在沿第一方向相邻的两个像素之间。 像素电极可以包括彼此连接的多个单元电极,多个单元电极中的一个单元电极可以包括多个子区域,栅极线可以包括与单元电极的子区域之间的边界叠置地延伸的部分。 IXD还可以包括设置在上基底上的对电极,其中,对电极包括面对第一杆部分和第二杆部分中的至少一个并且与第一杆部分和第二杆部分中的所述至少一个平行地延伸的开口。 第一杆部分的长度可以大于第二杆部分的长度。 第二杆部分的长度可以大于第一杆部分的长度。 像素电极可以包括彼此相邻且在它们之间限定间隙的第一子像素电极和第二子像素电极,栅极线可以包括与所述间隙叠置地延伸的部分。 第一子像素电极和第二子像素电极中的一个可以包括多个彼此连接的单元电极。 多个单元电极中的一个单元电极可以包括多个子区域,单元电极可以包括在不同的子区域中沿不同的方向延伸的多个微分支。 可以在像素电极中限定提供子区域之间的边界的第一切口。 IXD还可以包括设置在上基底上的对电极,可以在对电极中限定基本平行于第一切口延伸并提供子区域之间的边界的第二切口。 IXD还可以包括设置在下基底和上基底中的一个的内表面上的垂直取向层。 【附图说明】 通过参照附图进一步详细地描述本公开的示例性实施例,本公开的上述和其它方面、优点和特征将变得更加清楚,在附图中: 图1是示出根据本专利技术的液晶显示器(IXD)的一个像素的像素电极和栅极线的示例性实施例的俯视图。 图2是根据本专利技术的IXD的一个像素的示例性实施例的俯视图。 图3是沿线II1-1II截取的图2的LCD的剖视图。 图4至图6分别是根据本专利技术的IXD的一个像素的示例性实施例的俯视图。 图7和图8分别是根据本专利技术的LCD的示例性实施例的框图。 图9是根据本专利技术的IXD的一个像素的示例性实施例的俯视图。 图10和图11分别是根据本专利技术的LCD的示例性实施例的框图。 图12和图13分别是根据本专利技术的IXD的一个像素的示例性实施例的俯视图。 图14是根据本专利技术的LCD的一个像素的示例性实施例的等效电路图。 图15至图18分别是根据本专利技术的IXD的一个像素的示例性实施例的俯视图。 【具体实施方式】 根据本专利技术的示例性实施例,能够有效地防止例如由于栅极信号的电场导致的在像素之间的漏光的缺陷,并改善液晶显示器(IXD )的透射率和开口率。 在下文中,将参照附图更充分地描述本专利技术,在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。如本领域技术人员应当理解的,在全部不脱离本专利技术的精神或范围的情况下,描述的示例性实施例可以以各种不同的方式修改。 在附图中,为了清楚起见,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。相同的标号在整个说明书中指示相同的元件。应该理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。 应该理解的是,当元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以在它们之间存在中间元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间兀件。 应该理解的是,尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此,在不脱离这里的教导的情况下,下面讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。 这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的,而不意图限制。如这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式。“或”表示“和/或”。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。还应理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或附加一个或本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种液晶显示器,所述液晶显示器包括:多个像素;彼此面对的下基底和上基底;液晶层,设置在下基底和上基底之间;像素电极,设置在下基底上并且对于多个像素中的一个像素包括多个子区域,所述多个子区域不同地控制包括在液晶层中的液晶分子的倾斜方向;栅极线,设置在下基底上并且包括与像素电极的所述多个子区域的相邻的子区域之间的边界叠置的部分。

【技术特征摘要】
2013.07.12 KR 10-2013-00823851.一种液晶显示器,所述液晶显示器包括: 多个像素; 彼此面对的下基底和上基底; 液晶层,设置在下基底和上基底之间; 像素电极,设置在下基底上并且对于多个像素中的一个像素包括多个子区域,所述多个子区域不同地控制包括在液晶层中的液晶分子的倾斜方向; 栅极线,设置在下基底上并且包括与像素电极的所述多个子区域的相邻的子区域之间的边界叠置的部分。2.如权利要求1所述的液晶显示器,其中: 像素电极还包括提供相邻的子区域之间的边界的第一杆部分, 栅极线还包括与第一杆部分叠置的部分。3.如权利要求2所述的液晶显示器,其中: 像素电极还包括基本垂直地连接到第一杆部分的第二杆部分以及分别在不同的子区域中沿不同的方向延伸的多个微分支。4.如权利要求3所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括:被构造为传输数据电压的数据线、被构造为将数据电压施加到像素电极的薄膜晶体管以及被构造为传输...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴殷吉任完淳邢庸宇
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1