防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法技术

本申请公开了一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，包括：将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，所述N1＝N2＝…＝Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用的速率进行。本发明专利技术的优点是：第一，操作性强，铝粒不会生长成较大的铝颗粒；第二，可靠性高，对产能没有影响。

【技术实现步骤摘要】
防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法
本专利技术属于半导体
，涉及一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方 法。
技术介绍
发光二极管（Light-Emitting Diode，简称LED)是一种能将电能转化为光能的半 导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出 其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相 当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被 广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。 LED产业常用的真空蒸镀属于物理气相沉积，物理气相沉积（PVD)是指在真空条 件下，用物理的方法将材料汽化成原子、分子或电离成离子，并通过气相过程在衬底上沉积 一层薄膜的技术。其基本过程为：1、通过蒸发、升华、溅射和分解等过程从原材料中发射粒 子；2、粒子输运到基片。此过程中粒子间发生碰撞，产生离化、复合、反应，能量的交换和运 动方向的变化；3、粒子在基片上凝结、成核、长大和成膜。因为芯片的温度远低于蒸发源的 温度，因此粒子在基板表面将直接发生从气相到固相的相变过程。 另外，由于金属铝具有较高的反射率，和其它金属结合较牢靠，且价格便宜，为了 减少金属电极对光的吸收，提高LED芯片的出光效率，现在的LED芯片电极中除了原有的黄 金、铬等金属以外基本上都加入了金属铝。 目前，LED行业竞争激烈，为了节约成本，在不影响芯片性能的前提下，一些小功率 芯片的电极可以将黄金用量减少，将铝用量增加，甚至有不含黄金的电极。但在用真空蒸镀 金属铝时，铝膜容易产生一些较大的颗粒，即我们俗称的麻点（图1、图2)。麻点会影响芯 片的外观，在封装时，麻点会影响机台的识别，导致焊线异常。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点 的方法，其能够有效解决铝膜生长产生麻点的问题。 为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为： -种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于，包括： 将厚度为N的铝膜分成η个部分层进行分别蒸镀，N = ^+队+…+凡，每个部分层进 行蒸镀的间隔时间为5秒?60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕； 或 将厚度为Ν的铝膜分成η个部分层进行分别蒸镀，N = W··· +Νη，所述Ni = Ν2 =…=Νη，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕； 所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等； 所述蒸镀在压力小于3. OX l(T5Pa的真空条件下进行； 所述蒸镀在20?50°c的温度条件下使用5?25A/s的速率进行。 优选地，所述LED芯片电极为铬/铝/铬/钼/金组合的电极。 优选地，所述铬/铝/铬/钼/金组合的电极为：第一层铬、铝，第二层铬、钼、金。 优选地，在蒸镀完第一层铬之后，将铝膜进行分层蒸镀，每层蒸镀的间隔时间为10 秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕，接着再一次性蒸镀完第二层铬、钼和金。 优选地，所述铝膜的总厚度为1 ooooA。 一种采用所述的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法制备的LED芯片电 极。 本专利技术的有益效果为： 第一，操作性强，通过将厚度为N的铝膜分成η个部分层进行分别蒸镀，每个部分 层进行蒸镀的间隔时间为5秒?60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕，使得铝粒不会生长成较 大的铝颗粒，经SEM和显微镜拍照几乎没有麻点 第二，可靠性高，在作业时间上本方法比现有方法只增加了 30秒，对产能没有影 响，经过对芯片电极的可靠性验证，证明本方法所蒸镀的电极与原方法所蒸镀的电极在可 靠性上没有差异。 【附图说明】 此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申 请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中： 图1是现有技术的蒸镀方法的SEM示意图； 图2是现有技术的蒸镀方法的显微镜暗场示意图； 图3是本专利技术的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点方法的流程图； 图4是本专利技术的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法的SEM示意图； 图5是本专利技术的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法的显微镜暗场示意 图。 【具体实施方式】 如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员 应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以 名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在 通篇说明书及权利要求当中所提及的包含为一开放式用语，故应解释成包含但不限定 于。大致是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述 技术问题，基本达到所述技术效果。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述 描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围 当视所附权利要求所界定者为准。 实施例1 本专利技术的原理是：将铝膜分成小部分，每一小部分铝的厚度较薄，蒸镀这一小部分 铝所用的时间较短，铝粒还来不及形成较大的颗粒。而停顿一定时间间隔之后重新蒸镀下 一部分铝之时，铝粒需要重新成核，重新生长并重新成膜，而不能够直接接着上一层铝膜生 长。 请参照图3,本实施例的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法包括：将厚度 为N的铝膜分成η个部分层进行分别蒸镀，N = ^+队+…+凡，每个部分层进行蒸镀的间隔时 间为5秒?60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕。 优选地，所述& = Ν2 =…=Νη，每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。 本实施例采用这种方法蒸镀金属铝时，虽然铝的总厚度较厚，但每一小部分铝都 较薄。如此操作，不管最终铝膜的总厚度有多厚，铝粒都没办法生长成较大的颗粒。没有较 大的铝颗粒也就是说没有麻点。因为即通过将铝分层蒸镀成功解决了铝膜生长产生麻点的 问题。 在具体的实施例中，以铝厚金薄的铬/铝/铬/钼/金组合的电极为例，各层金属 的厚度为：第一层铬10埃、铝10000埃、第二层铬200埃、钼600埃、金2000埃。本专利技术在 蒸镀完第一层铬之后，将10000埃的铝膜分四层蒸镀完成，每层2500埃。每层铝之间停顿5 秒，即蒸镀完一部分铝之后停顿5秒再蒸镀下一部分铝，直到把整个铝膜蒸镀完毕，接着再 一次性蒸镀完第二层铬、钼和金。 优选地，所述蒸镀在压力小于3. OX l(T5Pa的真空条件下进行。 优选地，所述蒸镀在20?50°C的温度条件下使用5?25A/S的速率进行。 实施例2 本实施例的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法包括：将厚度为N的铝膜 分成η个部分层进行分别蒸镀，N = ^+队+…+凡，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒? 60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕。 本实施例采用这种方法蒸镀金属铝时，虽然铝的总厚度较厚，但每一小部分铝都 较薄。如此操作，不管最终铝膜的总厚度有多厚，铝粒都没办法生长成较大的颗粒。没有较 大的铝颗粒也就是说没有麻点。因为即通过将铝分层蒸镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于，包括：将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，所述N1＝N2＝…＝Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等；所述蒸镀在压力小于3.0×10‑5Pa的真空条件下进行；所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用的速率进行。

【技术特征摘要】
1. 一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于，包括： 将厚度为N的铝膜分成η个部分层进行分别蒸镀，N=W···+Nn，每个部分层进行蒸 镀的间隔时间为5秒?60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕； 或 将厚度为N的铝膜分成η个部分层进行分别蒸镀，N=W···+Nn，所述N1 =N2 =-=Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕； 所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等； 所述蒸镀在压力小于3.OXKT5Pa的真空条件下进行； 所述蒸镀在20?50°C的温度条件下使用5?25Α/s的速率进行。2. 根据权利要求1所述的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于： 所述LE...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡弃疾，苗振林，汪延明，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43