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一种电磁炉用的功率控制装置制造方法及图纸

技术编号:10874994 阅读:109 留言:0更新日期:2015-01-07 19:54
一种电磁炉用的功率控制装置,包括单片机、晶体管的驱动电路、线圈、绝缘栅双极型的晶体管和谐振电容,驱动电路与单片机连接、驱动电路与晶体管连接,晶体管与谐振电容连接,谐振电容与线圈并联;所述晶体管分为第一晶体管和第二晶体管;所述谐振电容分为第一谐振电容和第二谐振电容;还包括一继电器和一第四三极管Q4。由于采用这样的结构,当需要大功率时,继电器闭合,第一、第二谐振电容同时工作;当需要小功率时,单片机输出信号,继电器断开,第一谐振电容工作;使用方便。

【技术实现步骤摘要】
—种电磁炉用的功率控制装置
本技术涉及一种电磁炉。
技术介绍
目前现有技术,如图1所示,一种电磁炉功率控制装置,包括单片机MCU、晶体管的驱动电路、线圈L、绝缘栅双极型的晶体管IGBT1和谐振电容C1,驱动电路与单片机连接、驱动电路与晶体管IGBT1连接,晶体管IGBT1与谐振电容C1连接,谐振电容C1与线圈L并联。存在问题:不能进行连续小功率加热的控制,使用不方便。
技术实现思路
本技术的目的是:提供一种电磁炉用的功率控制装置,它可以实现连续大功率和小功率的控制,使用方便。 本技术是这样实现的:一种电磁炉用的功率控制装置,包括单片机、晶体管的驱动电路、线圈、绝缘栅双极型的晶体管和谐振电容,驱动电路与单片机连接、驱动电路与晶体管连接,晶体管与谐振电容连接,谐振电容与线圈并联;其特殊之处在于:所述晶体管分为第一晶体管和第二晶体管; 所述谐振电容分为第一谐振电容和第二谐振电容; 还包括一继电器和一第四三极管Q4 ; 所述第一、第二晶体管并联,第一、第二晶体管的门极与驱动电路连接;第一、第二晶体管的发射极接地; 所述第一谐振电容、第二谐振电容和线圈并联后与第一、第二晶体管的集电极连接; 第四三极管Q4的基极通过第三电阻R7与单片机连接;第四三极管Q4的发射极接地; 继电器与第二谐振电容串联,继电器的控制极与第四三极管Q4的集电极连接。 本技术一种电磁炉用的功率控制装置,由于采用这样的结构,当需要大功率时,继电器闭合,第一、第二谐振电容同时工作;当需要小功率时,单片机输出信号,继电器断开,第一谐振电容工作;使用方便。 【附图说明】 图1是现有技术的电路图。 图2是本技术的电路图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步描述。 如图2所示,一种电磁炉用的功率控制装置,包括单片机MCU、晶体管的驱动电路、线圈L、绝缘栅双极型的晶体管和谐振电容,驱动电路与单片机MCU连接、驱动电路与晶体管连接,晶体管与谐振电容连接,谐振电容与线圈L并联;所述晶体管分为第一晶体管IGBTl和第二晶体管IGBT2 ; 所述谐振电容分为第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2 ; 还包括一继电器Jl和一第四三极管Q4 ; 所述第一晶体管IGBTl和第二晶体管IGBT2并联,第一晶体管IGBTl和第二晶体管IGBT2的门极分别通过第三电阻R3和第四电阻R4与驱动电路连接;第一晶体管IGBTl和第二晶体管IGBT2的发射极接地;第一晶体管IGBTl和第二晶体管IGBT2的门极分别通过第五电阻R5和第六电阻R6接地。 所述第一谐振电容Cl、第二谐振电容C2和线圈L并联后与第一晶体管IGBTl和第二晶体管IGBT2的集电极连接; 第四三极管Q4的基极通过第七电阻R7与单片机连接;第四三极管Q4的发射极接地; 继电器Jl与第二谐振电容C2串联,继电器J的控制极与第四三极管Q4的集电极连接。 以上所述的仅是本技术的优先实施方式。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术原理的情况下,还可以作出若干改进和变型,这也视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁炉用的功率控制装置,包括单片机、晶体管的驱动电路、线圈、绝缘栅双极型的晶体管和谐振电容,驱动电路与单片机连接、驱动电路与晶体管连接,晶体管与谐振电容连接,谐振电容与线圈并联;其特征在于:所述晶体管分为第一晶体管和第二晶体管;所述谐振电容分为第一谐振电容和第二谐振电容;还包括一继电器和一第四三极管Q4;所述第一、第二晶体管并联,第一、第二晶体管的门极与驱动电路连接;第一、第二晶体管的发射极接地;所述第一谐振电容、第二谐振电容和线圈并联后与第一、第二晶体管的集电极连接;第四三极管Q4的基极通过七电阻R7与单片机连接;第四三极管Q4的发射极接地;继电器与第二谐振电容串联,继电器的控制极与第四三极管Q4的集电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种电磁炉用的功率控制装置,包括单片机、晶体管的驱动电路、线圈、绝缘栅双极型的晶体管和谐振电容,驱动电路与单片机连接、驱动电路与晶体管连接,晶体管与谐振电容连接,谐振电容与线圈并联;其特征在于:所述晶体管分为第一晶体管和第二晶体管;所述谐振电容分为第一谐振电容和第二谐振电容; 还包括一继电器和一第四三极管Q4 ; ...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡小庆
申请(专利权)人:胡小庆
类型:新型
国别省市:广东;44

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