一种阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种阵列基板及液晶显示装置，用以实现只需使用一根栅线，即可对同一像素单元内的亚像素电极进行充电，实现电荷共享，从而简化了阵列基板，提高了像素单元的开口率。该实用新型专利技术提供的一种阵列基板，应用于垂直排列模式的液晶显示装置，所述阵列基板包括由相邻的数据线围成的多列像素单元，每列像素单元包括多个像素单元，每个像素单元中包括第一亚像素电极、第二亚像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管，每个像素单元还包括：在第一亚像素电极与第二亚像素电极之间设置有一根栅线；栅线分别与第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极与第三薄膜晶体管的栅极电性相连。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示技术是目前使用最为广泛的显示技术，主要应用于电视机、手机以及公共信息显示装置。液晶显示的模式主要可以分为扭曲向列相(Twisted Nematic，TN)模式、垂直排列(Vertical-Aligned，VA)模式以及面内开关(In-Plane Switching，IPS)模式。其中，由于使用垂直排列模式的液晶显示装置可以在一个像素单元内可实现八畴液晶排列，从而得到较宽视角，并且通过该液晶显示装置显示输出的图像相对其他液晶显示装置显示输出的图像具有较高的对比度，因此，垂直排列模式的液晶显示技术广泛应用于大尺寸的液晶显示装置。然而，目前通常采用电荷共享的方式(Charge Sharing)实现八畴液晶排列，使用电荷共享的方式在一个像素单元中要用到相邻的两根栅线，对阵列基板进行布线相对来说比较复杂，而且像素单元的开口率也相对较低。综上所述，现有技术中，使用垂直排列模式的液晶显示装置，利用电荷共享的方式在一个像素单元内实现八畴液晶排列，将要用到两根栅线，并且该方式相对来说比较复杂，像素单元的开口率也相对较低。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种阵列基板及液晶显示装置，用以在垂直排列模式的液晶显示装置中，实现只需使用一根栅线，即可对同一像素单元内的亚像素电极进行充电，实现电荷共享，从而简化了阵列基板，提高了像素单元的开口率。本技术实施例提供了一种阵列基板，应用于垂直排列模式的液晶显示装置，所述阵列基板包括由相邻的数据线围成的多列像素单元，每列像素单元包括多个像素单元，每个像素单元中包括亚像素电极、公共电极线、薄膜晶体管，其中，所述亚像素电极包括第一亚像素电极、第二亚像素电极，所述公共电极线包括第一公共电极线、第二公共电极线，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管，每个像素单元还包括：在所述第一亚像素电极与所述第二亚像素电极之间设置有一根栅线；所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连。通过该阵列基板，在垂直排列模式的液晶显示装置中，在每一像素单元中，相邻的亚像素电极之间设置的一根栅线，实现对相邻的亚像素电极同时进行充电，并实现相邻的亚像素电极的存储电容的电荷共享；同时简化了阵列基板的布线，从而也提高了该像素单元的开口率。较佳地，所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连，包括：所述第一薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的第一凸出部，所述第二薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的第二凸出部，所述第三薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的一部分。较佳地，所述第一薄膜晶体管的源极与数据线电性相连，所述第二薄膜晶体管的源极与数据线电性相连，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第一亚像素电极电性相连；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一亚像素电极电性相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二亚像素电极电性相连，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二公共电极线电性相连或者所述第一公共电极线电性相连。较佳地，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线分别位于栅线的两侧，所述第一公共电极线靠近所述第一亚象素电极，所述第二公共电极线靠近所述第二亚象素电极。较佳地，每一所述公共电极线包括，与所述栅线平行的部分、与所述数据线平行的部分；所述第一公共电极线与所述第一亚像素电极部分重叠或全部重叠，在所述第一公共电极线与所述第一亚像素电极重叠的部分，形成第一存储电容；所述第二公共电极线与所述第二亚像素电极部分重叠或全部重叠，在所述第二公共电极线与所述第二亚像素电极重叠的部分，形成第二存储电容。较佳地，每一所述亚像素电极包括：与栅线平行的根茎、与数据线平行的根茎、分支部以及对应于所述分支部的狭缝。较佳地，所述第三薄膜晶体管的沟道宽长比小于所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比。较佳地，所述第二薄膜晶体管的沟道宽长比等于所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比。较佳地，所述第一亚像素电极的面积大于或者等于所述第二亚像素电极的面积。较佳地，所述第一亚像素电极的面积最大值为所述第二亚像素电极的面积的1.5倍。本技术实施例提供了一种液晶显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板为上述的阵列基板。通过该液晶显示装置，在每一像素单元中，相邻的亚像素电极之间设置的一根栅线，实现对相邻的亚像素电极同时进行充电，并实现相邻的亚像素电极的存储电容的电荷共享；同时简化了阵列基板的布线，从而也提高了该像素单元的开口率。附图说明图1为本技术实施例提供的一种阵列基板的像素单元的平面图；图2为本技术实施例提供的阵列基板的过孔以及有源层的平面图；图3a为图1所示的阵列基板在A1-A2方向的剖面图；图3b为图1所示的阵列基板在B1-B2方向的剖面图；图4为本技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；图5为本技术实施例提供的阵列基板的电路原理图；图6为本技术实施例提供的一种液晶显示装置的剖面图；图7为本技术实施例提供的液晶显示装置中的彩膜基板的剖面图。具体实施方式本技术实施例提供了一种阵列基板及液晶显示装置，用以实现只需使用一根栅线，即可对同一像素单元内的亚像素电极进行充电，实现电荷共享，从而简化了阵列基板，提高了像素单元的开口率。本技术实施例提供了一种阵列基板，应用于垂直排列模式的液晶显示装置，所述阵列基板包括由相邻的数据线围成的多列像素单元，每列像素单元包括多个像素单元，每个像素单元中包括亚像素电极、公共电极线、薄膜晶体管，其中，所述亚像素电极包括第一亚像素电极、第二亚像素电极，所述公共电极线包括第一公共电极线、第二公共电极线，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管，每个像素单元还包括：在所述第一亚像素电极与所述第二亚像素电极之间设置有一根栅线；所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连。较佳地，所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连，包括：所述第一薄膜晶体管的栅极可以为所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，应用于垂直排列模式的液晶显示装置，所述阵列基板包括由相邻的数据线围成的多列像素单元，每列像素单元包括多个像素单元，每个像素单元中包括亚像素电极、公共电极线、薄膜晶体管，其中，所述亚像素电极包括第一亚像素电极、第二亚像素电极，所述公共电极线包括第一公共电极线、第二公共电极线，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管，其特征在于，每个像素单元还包括：在所述第一亚像素电极与所述第二亚像素电极之间设置有一根栅线；所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，应用于垂直排列模式的液晶显示装置，所述阵列基板
包括由相邻的数据线围成的多列像素单元，每列像素单元包括多个像素单元，
每个像素单元中包括亚像素电极、公共电极线、薄膜晶体管，其中，所述亚像
素电极包括第一亚像素电极、第二亚像素电极，所述公共电极线包括第一公共
电极线、第二公共电极线，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶
体管、第三薄膜晶体管，其特征在于，每个像素单元还包括：
在所述第一亚像素电极与所述第二亚像素电极之间设置有一根栅线；
所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极
与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线分别与所述
第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的
栅极电性相连，包括：
所述第一薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的第一凸出部，所述第二薄膜
晶体管的栅极可以为所述栅线的第二凸出部，所述第三薄膜晶体管的栅极可以
为所述栅线的一部分。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管
的源极与数据线电性相连，所述第二薄膜晶体管的源极与数据线电性相连，所
述第三薄膜晶体管的源极与所述第一亚像素电极电性相连；
所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一亚像素电极电性相连，所述第二薄
膜晶体管的漏极与所述第二亚像素电极电性相连，所述第三薄膜晶体管的漏极
与所述第二公共电极线电性相连或者所述第一公共电极线电性相连。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，先建波，乔勇，卢永春，马永达，徐健，李文波，李盼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11