阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示器制造技术领域，其可解决现有的阵列基板中数据线与公共电极之间产生电容而造成显示不良的问题。本发明专利技术的阵列基板，包括：基底，设置在基底上的多条数据线，该阵列基板还包括：屏蔽电极，所述屏蔽电极设置在所述数据线上方，将所述数据线部分覆盖或全部覆盖，且与所述数据线电学绝缘；第一电极，与所述屏蔽电极同层且断开设置；第二电极，设置在所述第一电极上方且与所述第一电极电学绝缘，其中，所述屏蔽电极接屏蔽电压信号，所述第二电极接稳定电压信号，且所述屏蔽电极与所述第二电极的之间无电场或形成弱电场。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示器制造
，其可解决现有的阵列基板中数据线与公共电极之间产生电容而造成显示不良的问题。本专利技术的阵列基板，包括：基底，设置在基底上的多条数据线，该阵列基板还包括：屏蔽电极，所述屏蔽电极设置在所述数据线上方，将所述数据线部分覆盖或全部覆盖，且与所述数据线电学绝缘；第一电极，与所述屏蔽电极同层且断开设置；第二电极，设置在所述第一电极上方且与所述第一电极电学绝缘，其中，所述屏蔽电极接屏蔽电压信号，所述第二电极接稳定电压信号，且所述屏蔽电极与所述第二电极的之间无电场或形成弱电场。【专利说明】阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于液晶显示器制造
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器
中，TFT-1XD(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。 其中，如ADS模式(高级超维场转换模式)的显示面板通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点，故广泛的应用于液晶显示领域。 ADS模式的显示面板是由阵列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)对盒组装并灌注液晶制成。一般的，所述阵列基板上形成有栅线(即扫描线)图形、数据线(即信号线)图形、TFT图形、过孔图形以及像素电极(即显示电极)图形和公共电极图形，其中，多根栅线及多根数据线交叉定义若干个像素单元，像素电极和公共电极一个为板状电极，一个为狭缝电极，且狭缝电极位于板状电极上方(本专利技术中以像素电极为板状电极，公共电极为狭缝电极为例进行描述)；所述彩膜基板上形成有黑矩阵(BM)图形、RGB图形等。 如图1所示，所述阵列基板中的像素电极3通过栅线2、数据线1、TFT以及过孔等共同作用，用于储存电荷并与公共电极4之间形成电场，以驱动位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶分子发生偏转，从而显示不同的图像。具体的，所述栅线2进行逐行扫描时，数据线I依次给被扫描行的像素单元中的像素电极3充电，扫描结束后该行的像素电极3将保持所充电荷直至下一帧该行被再次扫描时。数据线I的电压在一帧内不断变化，用于为各行的像素电极3充电。 如图1、2所示，为了避免像素电极3与数据线I之间发生电容耦合，像素电极3的图形一般与数据线I的图形相隔一段距离，因此像素电极3与数据线I之间、公共电极4与数据线I之间会形成电场。但是像素电极3与数据线I之间的距离很小，故产生的电场的影响也很小，主要是数据线I与狭缝状的公共电极4之间产生的电场会导致每根数据线I的上方及两侧的液晶分子无法有效偏转。为了解决该问题，现有技术中通常在形成公共电极4的同时在与数据线I所对应的位置形成屏蔽电极5 (该屏蔽电极实质也是公共电极的一部分，只不过由于设置在数据线上方用于屏蔽数据线，故称之为屏蔽电极)，该屏蔽电极5与公共电极4接同样的信号，用于屏蔽数据线1，以防止数据线I与共公共电极4之间形成电场，但同时会导致屏蔽电极5与数据线I之间形成较大的电容，故数据线I上的数据电压信号将会对屏蔽电极5上的信号产生影响，进而造成公共电极4上的公共电极信号受到干扰，且波动很大，产生Greenish flicker以及负载偏大等不良。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的现有技术中存在的上述问题，提供一种可以有效避免数据线与公共电极之间产生电容而造成显示不良的阵列基板及其制备方法、显示装置。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括:基底，设置在基底上的多条数据线，该阵列基板还包括: 屏蔽电极，所述屏蔽电极设置在所述数据线上方，将所述数据线部分覆盖或全部覆盖，且与所述数据线电学绝缘； 第一电极，与所述屏蔽电极同层且断开设置； 第二电极，设置在所述第一电极上方且与所述第一电极电学绝缘，其中， 所述屏蔽电极接屏蔽电压信号，所述第二电极接稳定电压信号，且所述屏蔽电极与所述第二电极的之间无电场或形成弱电场。 本专利技术的阵列基板中的数据线的上方被屏蔽电极覆盖，故该屏蔽电极可以将数据线屏蔽，从而数据线与公共电极之间将不会产生电场，同时屏蔽电极与公共电极之间无电场或者形成弱电场，此时可以有效的避免现有技术中由于数据线与公共电极之间产生电场而造成数据线两侧的液晶无法有效偏转。同时屏蔽电极与公共电极所接的信号是不同，且两者电位相等或差不多大，所以即使屏蔽电极与公共电极之间形成电容，屏蔽电极也不会对公共电极造成较大影响，而数据线被屏蔽电极所屏蔽，虽然会对屏蔽电极产生影响，但是此时数据线不会对公共电极产生应影响。 优选的是，每条所述数据线包括多个数据线本体和用于将两相邻所述数据线本体连接成一体的连接部，所述阵列基板还包括与数据线交叉且绝缘设置的多条栅线，以及设置在所述栅线所在层上方的第一绝缘层；其中， 所述数据线本体与所述栅线同层设置，所述连接部通过贯穿第一绝缘层的过孔将每条数据线中两相邻所述数据线本体连接。 进一步优选的是，所述屏蔽电极设置在所述数据线本体上方。 更进一步优选的是，所述连接部源、漏极同层绝缘层设置，且材料相同。 优选的是，所述阵列基板还包括多条栅线和层间绝缘层，所述数据线与所述栅线交叉设置且通过层间绝缘层隔开。 进一步优选的是，所述屏蔽电极完全覆盖在所述数据线上方。 优选的是，所述阵列基板还包括设置在第一电极与第二电极之间的第二绝缘层，以使得第一电极与第二电极电学绝缘，且所述第二电极上与所述数据线所对应的位置为狭缝。 优选的是，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极。 进一步优选的是，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或， 所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括在基底上制备多根数据线的步骤，所述阵列基板的制备方法还包括:在形成有多根数据线至少部分位置的基底上方依次形成屏蔽电极、第一电极、第二电极的步骤；其中，所述屏蔽电极设置在所述数据线上方，将所述数据线部分覆盖或全部覆盖，且与所述数据线电学绝缘；所述第一电极与所述屏蔽电极同层且断开设置的第一电极；所述第二电极设置在所述第一电极上方且与所述第一电极电学绝缘，且所述屏蔽电极与所述第二电极的之间形成弱电场或无电场。 优选的是，所述阵列基板的制备方法还包括形成多条栅线的步骤，且所述栅线与所述数据线交叉绝缘设置；每条所述数据线包括多个数据线本体和用于将两相邻所述数据线本体连接成一体的连接部；制备所述数据线的步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基底，设置在基底上的多条数据线，其特征在于，所述阵列基板还包括：屏蔽电极，所述屏蔽电极设置在所述数据线上方，将所述数据线部分覆盖或全部覆盖，且与所述数据线电学绝缘；第一电极，与所述屏蔽电极同层且断开设置；第二电极，设置在所述第一电极上方且与所述第一电极电学绝缘，其中，所述屏蔽电极接屏蔽电压信号，所述第二电极接稳定电压信号，且所述屏蔽电极与所述第二电极的之间无电场或形成弱电场。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫，张莹，裴扬，丁金波，王静，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11