半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置，该半导体装置包括：基底基板，在所述基底基板上布置有基板电极；以及半导体元件，所述半导体元件包括通过焊料与所述基板电极电连接的芯片电极，且在所述半导体元件的下表面侧上形成有光吸收层。根据本发明专利技术，可利用激光束来移除半导体元件，且无需覆盖光吸收材料。这样，在不增加制造成本的情况下，可从半导体装置中仅移除失效半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有安装在基板上的半导体元件的半导体装置。
技术介绍
在基板上以高密度集成有半导体元件的半导体装置中，当发现半导体元件失效时，应考虑将该半导体元件从半导体装置中移除。针对从半导体装置中移除半导体元件的方法，已经提出了一些方案。例如，在日本未审查专利申请2003-204150中，提出了利用在半导体元件上吹送加热气体的方法来移除半导体元件(日本未审查专利申请2003-204150中的电子部件41)的方案。另外，在日本未审查专利申请2004-273795中，提出了通过在失效的半导体元件上覆盖光吸收材料并在其上照射激光来移除该半导体元件(日本未审查专利申请2004-273795中的电子部件8)的方法。然而，在日本未审查专利申请.2003-204150中，存在着加热气体影响安装在失效半导体元件周围的正常半导体元件的可能，因此将引起正常半导体元件失效，或造成正常半导体元件被移除。此外，在日本未审查专利申请2004-273795中，必须包括在失效半导体元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：基底基板，在所述基底基板上布置有基板电极；以及半导体元件，所述半导体元件包括通过焊料与所述基板电极电连接的芯片电极，且在所述半导体元件的下表面侧上形成有光吸收层。

【技术特征摘要】
2013.06.26 JP 2013-1337721.一种半导体装置，其包括：
基底基板，在所述基底基板上布置有基板电极；以及
半导体元件，所述半导体元件包括通过焊料与所述基板电极电连接
的芯片电极，且在所述半导体元件的下表面侧上形成有光吸收层。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述半导体元件的下
表面侧上形成有与所述光吸收层接触的热扩散层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述基底基板的上表
面侧上形成有光反射层。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述光反射层与所述基
板电极电连接。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述光反射层的下表
面侧上形成有与所述光反射层接触的...

【专利技术属性】
技术研发人员：畑田出穂，大鸟居英，冈修一，柳川周作，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP