电力用半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电力用半导体装置，其抑制功率芯片间的热干涉。电力用半导体装置(100)具有：多个功率芯片(20)，它们封装在封装部(50)中，且用于控制电力；以及IC(10)，其封装在封装部(50)中，且对各功率芯片(20)进行控制。IC(10)在俯视观察时配置在封装部(50)的中央部，多个功率芯片(20)配置为在俯视观察时包围IC(10)。

【技术实现步骤摘要】
电力用半导体装置
本专利技术涉及一种电力用半导体装置。
技术介绍
作为能够处理大电力的功率模块，存在电力用半导体装置。电力用半导体装置的主要用途之一是在逆变器驱动中使用。该用途的电力用半导体装置包含多个功率芯片、对该各功率芯片进行驱动的IC(Integrated Circuit)等。该功率芯片是电力用的半导体芯片。 针对这种电力用半导体装置，对在该电力用半导体装置中包含的基板的面积的小型化、低成本化等提出了要求。 在专利文献I中公开了用于电力用半导体装置的小型化的技术(以下称为关联技术A)。具体地说，在关联技术A中，公开了对功率芯片和控制IC适当地进行单封装化的技术。该功率芯片是 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。此夕卜，在专利文献I中，公开了使用关联技术A，对功率芯片和控制IC进行封装化的QFP (QuadFlat Package)。 专利文献1:日本特开2012 - 074720号公报 但是，在关联技术A中存在以下问题。具体地说，在关联技术A中，在电力用半导体装置中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力用半导体装置，其利用了由树脂构成的封装部，其中，该电力用半导体装置具有：多个功率芯片，它们封装在所述封装部中，且用于控制电力；以及IC，其封装在所述封装部中，且对各所述功率芯片进行控制，所述IC在俯视观察时配置在所述封装部的中央部，所述多个功率芯片配置为，在俯视观察时包围所述IC。

【技术特征摘要】
2013.06.13 JP 2013-1243531.一种电力用半导体装置，其利用了由树脂构成的封装部， 其中，该电力用半导体装置具有: 多个功率芯片，它们封装在所述封装部中，且用于控制电力；以及 1C，其封装在所述封装部中，且对各所述功率芯片进行控制， 所述IC在俯视观察时配置在所述封装部的中央部， 所述多个功率芯片配置为，在俯视观察时包围所述1C。2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中， 所述IC的形状是四方形， 所述多个功率芯片配置为，在俯视观察时包围所述IC的大于或等于3个边。3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中， 所述电力用...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川信也，田中智典，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP