【技术实现步骤摘要】
在衬底上电化学沉积金属的装置
本专利技术涉及一种用于在衬底上沉积金属的装置，具体涉及一种同时在多片衬底上 电化学沉积金属的装置。
技术介绍
近年来，随着芯片尺寸越来越小，集成度越来越高，计算机、通讯、汽车电子和其他 消费类产品对集成电路芯片封装技术也提出了更高的要求。芯片封装比以前要求更小、更 薄，具备高可靠性、多功能、低能耗和低成本。传统的锡铅凸块（solder bump)封装技术 已经无法满足先进封装的要求，铜柱凸块技术（copper pillar)和娃通孔技术（through silicon via, TSV)逐渐成为先进封装技术中的两大热点。 和锡铅凸块一样，铜柱凸块也是应用于覆晶封装上连接芯片和载板的技术。但是 与锡铅凸块比较，铜柱凸块具有更好的性能和更低的整体封装成本。与锡铅凸块在焊接回 流过程中会塌陷成球状不同，铜柱凸块可以保持其形状，适合更小的线宽，满足高集成度芯 片封装的要求。而且铜具有比锡铅合金更小的电阻和更高的热导率，铜柱凸块比锡铅凸块 具有更好的导电性和导热性，能降低芯片的能耗和工作时产生的热量。电化学镀铜是...
【技术保护点】
一种在衬底上电化学沉积金属的装置，所述装置具有：反应腔体，所述反应腔体内具有电解液；衬底，所述衬底具有导电的沉积面；衬底固持部件，所述衬底固持部件用以固持所述衬底且暴露所述沉积面；阳极单元；外电源，所述外电源阳极与所述阳极单元电导通；驱动装置；其特征在于：所述装置还具有固持承载单元，用以垂直承载所述衬底固持部件；所述阳极单元为至少一水平截面为环状或多边形的阳极，其垂直面与所述衬底沉积面相对而置；所述固持部件具有导电单元，所述导电单元导通所述外电源阴极与所述沉积面；所述驱动装置实现所述衬底固持承载单元与所述阳极单元间相对运动。
【技术特征摘要】
1. 一种在衬底上电化学沉积金属的装置，所述装置具有： 反应腔体，所述反应腔体内具有电解液； 衬底，所述衬底具有导电的沉积面； 衬底固持部件，所述衬底固持部件用以固持所述衬底且暴露所述沉积面； 阳极单元； 外电源，所述外电源阳极与所述阳极单元电导通； 驱动装置； 其特征在于： 所述装置还具有固持承载单元，用以垂直承载所述衬底固持部件； 所述阳极单元为至少一水平截面为环状或多边形的阳极，其垂直面与所述衬底沉积面 相对而置； 所述固持部件具有导电单元，所述导电单元导通所述外电源阴极与所述沉积面； 所述驱动装置实现所述衬底固持承载单元与所述阳极单元间相对运动。2. 权力要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还具有电解液供应单元，用以向所述 反应腔体供应所述电解液并保持所述反应腔体中电解液的液面高度高于所述衬底沉积面。3. 权力要求1所述的装置，其特征在于，所述阳极单元由至少一底部通透的桶状结构 的阳极构成...
【专利技术属性】
技术研发人员：马悦，何川，施广涛，黄允文，顾岩，
申请(专利权)人：马悦，何川，施广涛，黄允文，顾岩，
类型：发明
国别省市：美国;US
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