有机发光二极管面板制造技术

一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙隔开，相邻二像素的二第一子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔。该有机发光二极管面板由于使用了挡墙，因此具备较高的像素密度。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管面板
本专利技术涉及一种基板，特别是指一种有机发光二极管面板。
技术介绍
有机发光二极管作为新兴的光源，是下一代显示器的发展方向。有机发光二极管面板是由多个像素组成的。如图1所示，每一个像素中均包含RGB三个子像素，以产生彩色的图像。每个子像素一般是通过喷墨的方式将特定材料填充在基板上的挡墙内所形成的。由于RGB三个子像素的材料差异，导致三者的发光效率也不一致，其中以红色子像素的发光效率最高，绿色子像素的发光效率次之，而蓝色子像素的发光效率最低。为平衡三者的输出光强，蓝色子像素的面积通常为最大，绿色子像素次之，红色子像素最小。由此，经由三个子像素发出的光线的强度可基本保持一致。然而，现有的有机发光二极管面板受限于制造工艺，无法获得较高的像素密度(pixelsperinch)。具体而言，现有的喷墨的液滴的最小直径只能达到12.4μm，如果面积最小的子像素(通常是红色子像素)的宽度小于这个数值，就意味着液滴无法完全滴入这个子像素的挡墙内，容易造成溢出或混色的问题。因此，现有的有机发光二极管面板的分辨率普遍不高。
技术实现思路
因此，有必要提供一种像素密度较高的有机发光二极管面板。一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙相互隔离，相邻像素的第一子像素相互靠近，且相邻像素的第一子像素之间设有高度低于挡墙的隔板。由于在相邻像素的第一子像素之间设有高度低于挡墙的隔板，因此在喷墨的时候，即使单个的第一子像素的宽度小于超过喷墨的液滴的最小直径，液滴仍旧可以通过隔板分布到两个相邻的第一子像素内，并经由挡墙确保与相邻的第二子像素及第三子像素的隔绝。由此，通过隔板的作用，可形成宽度较小的第一子像素，从而提升基板的像素密度。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1示出了现有的有机发光二极管面板的一个像素。图2为本专利技术第一实施例的有机发光二极管面板。图3为图2的有机发光二极管面板的其中一部分的立体图。图4为本专利技术第二实施例的有机发光二极管面板。图5为图4的有机发光二极管面板的其中一部分的立体图。图6为本专利技术第三实施例的有机发光二极管面板。图7为图6的有机发光二极管面板的其中一部分的立体图。图8为本专利技术第四实施例的有机发光二极管面板。图9为图8的有机发光二极管面板的其中一部分的立体图。图10为本专利技术第五实施例的有机发光二极管面板。图11为图10的有机发光二极管面板的其中一部分的立体图。主要元件符号说明有机发光二极管面板10、10a、10b、10c、10d基板20、20a、20d底板22挡墙24、24a、24b、24c、24d隔板26、26a、26b、26c、26d像素30、30a、30b、30c、30d第一子像素32、32a、32b、32c、32d第二子像素34、34a、34b、34c、34d第三子像素36、36a、36b、36c、36d如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图2-3，示出了专利技术第一实施例的有机发光二极管面板10。有机发光二极管面板10包括一基板20及形成于基板20上的多个像素30。基板20包括一底板22及从底板22垂直向上延伸的多个黑色挡墙24。每一像素30包括平行排列的一第一子像素32、一第二子像素34及一第三子像素36。本实施例中，第一子像素32为一红色子像素，第二子像素34为一绿色子像素，第三子像素36为一蓝色子像素。二相邻的像素30中的各子像素32、34、36排列方式相反，举例而言，图2中显示的左侧的像素30中的子像素32、34、36从左到右依次是第三子像素36、第二子像素34及第一子像素32，右侧的像素30中的子像素32、34、36从左到右依次是第一子像素32、第二子像素34及第三子像素36。由此，二像素30中的二第一子像素32相互靠近。换句话说，二相邻的像素30中的子像素32、34、36的排列方式对称。每一像素30的第一子像素32、第二子像素34及第三子像素36之间通过挡墙24隔开，以相互隔绝。本实施例中，每一子像素32的宽度为8.2μm，第二子像素34的宽度为15.8μm，第三子像素36的宽度为23.4μm，挡墙24的宽度为9μm。由于第一子像素32的宽度要小于现有的喷墨所能喷出的最小液滴的直径，为使液滴能够顺利地进入挡墙24围设的空间内而形成第一子像素32，相邻二像素30的二第一子像素32之间形成有一隔板26。优选地，隔板26的宽度为18μm。隔板26的高度小于挡墙24的高度。由于隔板26上方的空间仍然是连通的，因此当对基板20进行喷墨时，即使液滴从其中一个第一子像素32的空间内溢出，也仍旧可以经过隔板26而流入至相邻的第一子像素32的空间内。并且，在喷墨之后，位于二相邻第一子像素32的空间内的液体的高度小于隔板26的高度，从而确保二第一子像素32之间的隔离。由此，经由隔板26的作用，可形成宽度较小的第一子像素32，从而使基板20的像素密度得到提升。经过测算，本实施例的有机发光二极管面板10的像素密度可以高达250ppi。图4-5示出了本专利技术第二实施例的有机发光二极管面板10a。本实施例的基板20a上的像素30a的子像素32a、34a、36a的排列方式与前一实施例不同。本实施例的每一像素30a的第一子像素32a同时靠近同一排的相邻像素30a的第一子像素32a以及同一列的相邻像素30a的第一子像素32a，每一像素30a的第二子像素34a同时靠近同一排的相邻像素30a的第二子像素34a以及同一列的相邻像素30a的第二子像素34a。换句话说，每一像素30a的子像素32a、34a、36a大致成品型排列，且排列方式与同一排的相邻像素30a的子像素32a、34a、36a的排列方式对称，每一像素30a的子像素32a、34a、36a的排列方式与同一列的相邻像素30a的子像素32a、34a、36a的排列方式也对称。由此，各像素30a共同形成从上到下呈交替分布的多个第一子像素组及第二子像素组，其中每一第一子像素组包括四呈田字形排列的第一子像素32a，每一第二子像素组包括四呈田字排列的第二子像素34a。第一子像素组内的各第一子像素32a之间被环形的挡墙24a围绕并通过十字形的隔板26a隔开，第二子像素组内的各第二子像素34a之间被环形的挡墙24a围绕并通过十字形的隔板26a隔开。由于通过隔板26a隔开相邻的四第一子像素32a及相邻的四第二子像素34a，在喷墨过程中可以有四个相邻的第一子像素32a的空间或四个相邻的第二子像素34a的空间同时对应一个喷墨液滴，因此可同时形成宽度较小的第一子像素32a及第二子像素34a，从而进一步提升基板20a的像素密度。各像素的第三子像素之间仍是通过挡墙隔开。本实施例中，每一像素30a的第一子像素32a的宽度为9.8μm，第二子像素34a的宽度为19μm，第三子像素36a的宽度为23.4μm，挡墙24a的宽度为9μm，隔板26a的宽度为18μm。经过测算，本实施例的有机发光二极管面板10a的像素密度可大于250ppi。图6-7示出了本专利技术第三实施例的有机发光二极管面板10b。本实施例与第二实施例的区别在于本实施例的各像素30b的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙隔开，其特征在于：相邻二像素的二第一子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙隔开，其特征在于：同一排的相邻二像素的二第一子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔，同一列的相邻二像素的二第一子像素相互靠近且通过挡墙间隔，第二子像素和第三子像素均通过挡墙与其他子像素间隔。2.一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙隔开，其特征在于：每一第一子像素均与其他三个第一子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔，每一第二子像素均与其他三个第二子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔。3.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：每一第三子像素通过挡墙与其他子像素间隔。4.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：同一排的相邻二像素的二第三子像素相互靠近且通过隔板间隔，同一列的相邻二像素的二第三子像素相互靠近且通过挡墙间隔。5.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：相邻四像素的四第三子像素相互靠近且通过交叉...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑荣安，简良能，王伟立，
申请(专利权)人：业鑫科技顾问股份有限公司，新光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71