一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极，其中石墨烯为1～10层。其制造包括：在砷化镓片一面制作背面电极；然后进行表面化学清洗并干燥；将石墨烯转移至砷化镓片的另一个面上；再在石墨烯上制作正面电极。本发明专利技术的石墨烯/砷化镓太阳电池利用石墨烯材料的高载流子迁移率、高透光性及高导电性，结合砷化镓优异的半导体性质，有利于在低成本及简单工艺的基础上制造高转化效率的太阳电池。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于自下而上依次有背面电极（1）、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层（2）、石墨烯层（3）和正面电极（4），其中石墨烯层（3）的石墨烯为1～10层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林时胜，李晓强，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33