本发明专利技术公开了一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的高导热氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标,高频无感,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,能够满足目前3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的高导热氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标,高频无感,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,能够满足目前3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。【专利说明】高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片
专利技术涉及一种氮化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种高频高稳定性高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB的衰减片。
技术介绍
目前集成了五个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。在通讯领域使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率，保护线路设备的同时还能收集需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。 由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，特别对衰减片等技术含量较高产品几乎处于垄断，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。而国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，专利技术要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω，在3G频段以内衰减精度为20±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。 为解决上述技术问题，专利技术采用如下技术方案: 一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，包括一长5mm、宽2.5mm、厚度 1.0mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结由五个膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。 优选的，所述高温烧结膜状电阻上印刷有glass保护膜。 优选的，所述导线及glass保护膜的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜。 上述技术方案具有如下有M效果:该闻频闻稳定性氣化招陶瓷基板10瓦20dB裳减片体积小，材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。拓展了国内衰减片的应用频段。 上述说明仅是专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【专利附图】【附图说明】 图1为专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的氮化铝陶瓷基板1，氮化铝基板I的背面印刷有高纯度银浆背导层，氮化铝基板I的正面印刷有高纯度银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3，R4、R5膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过低温银浆与背导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，膜状电阻町、1?2、1?3、1?4、1?5上印刷有glass保护膜3,导线2及glass保护膜3的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜4，这样可对导线2及膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保护。 该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片体积小，材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。拓展了国内衰减片的应用频段。 以上对专利技术实施例所提供的一种闻频闻稳定性氣化招陶瓷基板10瓦20dB;g;减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对专利技术的限制，凡依专利技术设计思想所做的任何改变都在专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于:包括一长5mm、宽2.5mm、厚度Imm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。2.根据权利要求1所述的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于:所述高温烧结膜状电阻上印刷有glass保护膜。3.根据权利要求1所述的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于:所述导线及glass保护膜的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜。【文档编号】H01P1/22GK104241769SQ201410234080【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于：包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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