本实用新型专利技术公开了一种应用于LDO的过流保护电路，它包括LDO芯片，MOS管M1－M9、MP1、MP2，保险电阻R1、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，M1的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极。本实用新型专利技术的有益效果是：当功率调整管电流增大到某一定值时，与LDO输出端相连的MOS管打开，抽取输出端电流，防止反馈支路电流过大，达到了过流保护的目的。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种应用于LD0的过流保护电路，它包括LD0芯片，M0S管Ml—M9、MP1、MP2，保险电阻Rl、R2、RF1、RF2，其中，所述的LD0芯片输出端分别连接MP1、Ml、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，Ml的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，RF1的另一端连接RF2和LD0芯片的反馈输入负极。本技术的有益效果是：当功率调整管电流增大到某一定值时，与LD0输出端相连的M0S管打开，抽取输出端电流，防止反馈支路电流过大，达到了过流保护的目的。【专利说明】—种应用于LDO的过流保护电路
本技术涉及一种应用于LDO的过流保护电路，属于电子
。
技术介绍
随着半导体工艺技术的提高以和便携式电子产品的迅猛发展，电源IC(集成电路）有了长足的进展。电源IC产品主要包括线性稳压器（LDO)、开关电源、AC/DC稳压器(交流/直流稳压器）以及功率因数校正（PFC)预稳器等。而其中线性稳压器是最常用的电源管理芯片，由于线性稳压器使用方便、体积小、性能良好和可靠性高等优点，所以在电源管理市场中占有很大比重。由于LDO芯片工作时所消耗的功耗取决于输入电压、负载等外部条件，在某些异常情况下，芯片内部的功耗会变得很大，导致短路大电流会使功率调整管被烧坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种应用于LDO的过流保护电路，克服现有技术的不足，起到过流保护的作用。 本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种应用于LDO的过流保护电路，它包括LDO芯片，MOS管M1-M9、MPl、MP2，保险电阻RU R2、RFl、RF2，其中，所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，MP1、M1、MP2的源极和R2相连为电路的电压输入点，MPl的漏极连接RFl和Rl为电路的输出点，Ml的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，M8的源极连接Rl的另一端，M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接，M9、M6、M7的源极接地，RFl的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极，LDO芯片的正极输入基准电压，RF2的另一端接地，M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。 所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。 本技术的有益效果在于：当功率调整管电流增大到某一定值时，与LDO输出端相连的MOS管打开，抽取输出端电流，防止反馈支路电流过大，达到了过流保护的目的。 【专利附图】【附图说明】 图I为本技术的电路图。 【具体实施方式】 下面结合附图进一步描述本技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。 如图1，一种应用于0)0的过流保护电路，它包括0)0芯片，1?)5管肌-]\19、]\^1、]\^2，保险电阻Rl、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片输出端分别连接MPl、Ml、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，MP1、M1、MP2的源极和R2相连为电路的电压输入点，MPl的漏极连接RFl和Rl为电路的输出点，Ml的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，M8的源极连接Rl的另一端，M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接，M9、M6、M7的源极接地，RFl的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极，LDO芯片的正极输入基准电压，RF2的另一端接地，M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。 所述的MOS管Ml — M4的尺寸相同。 其中，M4和M5之间设置有一个参考电压点Q，M5、M8的作用是箝位Q点电压与输出电压V0UT，功率调整管接入输出电压V0UT，从而使得M1-M4的VDS电压与功率调整管接近，保证镜像精度，使之能够更准确的感应功率调整管的电流。M1-M4管是4个串联在一起的尺寸相同管子，串联的目的是为了减少静态电流，而且与功率调整管尺寸相匹配，用来感应功率调整管的电流，当功率调整管电流增大到一定程度时，M5的电流也增大，M6的栅极电压增大，从输出端抽取电流，使得反馈支路电流不至于过大，同时由于M6的栅极电压增大使得M9导通，同时MPl导通，给MPl栅极的VG点注入电流从而MPl栅极的VG点电压升高，此时功率调整管电流减少，防止了功率调整管因为大电流而被烧坏，从而实现了功率调整管过流保护的作用。【权利要求】1.一种应用于LDO的过流保护电路，其特征在于：它包括LDO芯片，MOS管M1-M9、MP1、MP2，保险电阻Rl、R2、RFU RF2，其中，所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、Ml、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，MP1、M1、MP2的源极和R2相连并作为电路的电压输入点，MPl的漏极连接RFl和Rl为电路的输出点，Ml的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，M8的源极连接Rl的另一端，M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接，M9、M6、M7的源极接地，RFl的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极，LDO芯片的正极输入基准电压，RF2的另一端接地，M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。2.根据权利要求I所述的应用于LDO的过流保护电路，其特征在于：所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。【文档编号】G05F1/569GK204028740SQ201420404374【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年7月21日 优先权日:2014年7月21日 【专利技术者】杨洁, 彭侨, 邹江, 阳芝林 申请人:遵义师范学院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于LDO的过流保护电路，其特征在于：它包括LDO芯片，MOS管M1‑M9、MP1、MP2，保险电阻R1、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，MP1、M1、MP2的源极和R2相连并作为电路的电压输入点，MP1的漏极连接RF1和R1为电路的输出点，M1的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，M8的源极连接R1的另一端，M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接，M9、M6、M7的源极接地，RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极，LDO芯片的正极输入基准电压，RF2的另一端接地，M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨洁，彭侨，邹江，阳芝林，
申请(专利权)人：遵义师范学院，
类型：新型
国别省市：贵州;52
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