高压电场治疗仪制造技术

本发明专利技术公开一种高压电场治疗仪，包括：微控制器、模拟控制电路、高压变换器和电源模块；微控制器，接收用户输入的电压、频率和波形控制信号，产生用于控制模拟控制电路产生相应的频率和电平的模拟低电压控制信号和波形控制信号；模拟控制电路，接收来自微控制器的模拟低电压控制信号和波形控制信号；高压变换器，接收来自模拟控制电路的具有波形的中压电压信号转化为高压电压信号输出；微控制器进一步包括：具有延时单元的相位累加器、相位截断单元和查找表。本发明专利技术可产生多种电脉冲波形和高压值，不仅用户可根据自身的需求调节高压和脉冲波形，而且适用于家用和医用临床理疗，结构紧凑、功能稳定，方便了普通用户的日常操作。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种高压电场治疗仪，包括：微控制器、模拟控制电路、高压变换器和电源模块；微控制器，接收用户输入的电压、频率和波形控制信号，产生用于控制模拟控制电路产生相应的频率和电平的模拟低电压控制信号和波形控制信号；模拟控制电路，接收来自微控制器的模拟低电压控制信号和波形控制信号；高压变换器，接收来自模拟控制电路的具有波形的中压电压信号转化为高压电压信号输出；微控制器进一步包括：具有延时单元的相位累加器、相位截断单元和查找表。本专利技术可产生多种电脉冲波形和高压值，不仅用户可根据自身的需求调节高压和脉冲波形，而且适用于家用和医用临床理疗，结构紧凑、功能稳定，方便了普通用户的日常操作。【专利说明】局压电场治疗仪
本专利技术涉及电场治疗仪领域，具体涉及一种高压电场治疗仪。
技术介绍
电场治疗仪是通过使用100〇r30000V电压，创造一种电磁环境，主要是电场环 境，对人体进行调节，保持人体的内环境的综合平衡，达到治疗神经类慢性疾病目的的仪 器。国内目前对于电场治疗仪尚无明确分类。电场治疗仪通常分为家庭理疗用和医院治疗 使用两种。家庭用电场治疗仪所用的电压一般不高于9000V，而医院用电场治疗仪所用的 电压一般在9000V到30000V之间。电场治疗仪通常由高压发生器及产生电场的电极等结 构单元组成，一般具有电场波形调节、参数输入和显示等功能，但目前市面上在售的电场治 疗仪波形产生的种类、高压产生的种类单一，多数的电场治疗仪仅适用于家庭理疗用，因此 难以满足各种用户的多样化需求和医院治疗的用途。
技术实现思路
本专利技术提供一种高压电场治疗仪，此高压电场治疗仪可输出2种以上高压值的电 场治疗仪，可产生多种电脉冲波形和高压值，不仅用户可根据自身的需求调节高压和脉冲 波形，而且适用于家用和医用临床理疗，满足多样化的市场需求；且结构紧凑、功能稳定，方 便了普通用户的日常操作。 为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种高压电场治疗仪，包括：微控制 器、模拟控制电路、高压变换器和电源模块； 所述微控制器，接收用户输入的电压、频率和波形控制信号，产生用于控制模拟控制电 路输出相应频率和电平的模拟低电压控制信号和波形控制信号，此模拟低电压控制信号用 于调整电场的电压，波形控制信号用于调整电场的频率和波形； 所述模拟控制电路，接收来自微控制器的模拟低电压控制信号和波形控制信号，并将 该模拟低电压控制信号转换为模拟中电压信号，作为变压器的输入信号，并向微控制器的 输入接口提供输出信号的电平值，同时根据波形控制信号调整电场的频率和波形； 所述高压变换器，接收来自模拟控制电路的具有波形的中压电压信号转化为高压电压 信号输出； 所述输入控件，接收用户直接操作输入的频率、波形和电压指令从而形成电压、频率和 波形控制信号，将该电压、频率和波形控制信号送入微控制器的输入接口； 所述电源模块，将交流220V/50HZ变换到直流电压，为各模块提供工作电压； 显示屏，用于显示当前高压电场治疗仪的工作状态，工作状态包括电压幅度、频率和波 形类型； 所述微控制器进一步包括：具有延时单元的相位累加器、相位截断单元和查找表，输入 的频率控制字经相位累加之后，送入相位截断单元进行处理，处理后的信号作为查找表的 输入地址进行查表输出波形信号，当输出正弦波形时，查找表储存正弦信号，当输出矩形波 时，查找表储存矩形信号，当输出三角波时，查找表储存三角波信号； 所述模拟控制电路包括依次串连的第一高速光耦、第一 MOS功率管、2个第二MOS功率 管，一脉冲调制器位于第一运算放大器和第一高速光稱之间，一分压电阻位于第一 MOS功 率管和第一运算放大器之间，第二运算放大器、第三运算放大器和2个第二高速光耦依次 串连，且2个第二高速光耦分别连接到2个第二MOS功率管上。 上述技术方案中的进一步改进方案如下： 1.上述方案中，所述波形类型为矩形波、正弦波、三角波。 2.上述方案中，所述高压变换器将最大幅度为200V的电压信号变换为9000V或 30kV的电压信号。 3.上述方案中，所述输入控件包括电压控制旋钮、波形选择按钮、高压输出按钮 和频率控制旋钮。 由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果： 本专利技术高压电场治疗仪，其不仅实现了输出高压可任意调节，工作频率也可在10Hz? 1kHz任意调节。根据用户的需要，设备也可选择三种工作波形：正弦波、方波及三角波。整 个设备采用全塑料盒体，安全性高，即使输出高压短接到地，电流也不超过1mA，设备内部设 置了短路保护。设备操作界面简洁、便利，工作电压和工作频率均直接通过设备面板显示屏 显示；便于用户根据自身条件，设定相应的电压、频率和波形。 【专利附图】【附图说明】 附图1为本专利技术高压电场治疗仪结构原理示意图； 附图2为本专利技术高压电场治疗仪中微控制器波形产生原理示意图； 附图3为本专利技术波形产生程序流程示意图； 附图4为本专利技术模拟控制电路结构示意图； 附图5为本专利技术微控制器与模拟控制电路的DA接口电路示意图； 附图6为本专利技术微控制器与模拟控制电路波形幅度控制信号接口电路结构示意图。 以上附图中：1、微控制器；2、模拟控制电路；3、高压变换器；4、电源模块；5、输入 控件；6、显示屏；7、延时单元；8、相位累加器；9、相位截断单元；10、查找表；11、第一高速 光耦；12、第一 M0S功率管；13、第二M0S功率管；14、第一运算放大器；15、分压电阻；16、第 二运算放大器；17、第三运算放大器；18、第二高速光耦；19、第一运算放大器。 【具体实施方式】 下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述： 实施例：一种高压电场治疗仪，包括：微控制器1、模拟控制电路2、高压变换器3和电 源模块4 ; 所述微控制器1，接收用户输入的电压、频率和波形控制信号，产生用于控制模拟控制 电路2产生相应的频率和电平的模拟低电压控制信号和波形控制信号，此模拟低电压控制 信号用于调整电场的电压，波形控制信号用于调整电场的频率和波形； 所述模拟控制电路2，接收来自微控制器1的模拟低电压控制信号和波形控制信号，并 将该模拟低电压控制信号转换为模拟中电压信号，作为变压器的输入信号，并向微控制器1 的输入接口提供输出信号的电平值，同时根据波形控制信号调整电场的频率和波形； 所述高压变换器3,接收来自模拟控制电路2的具有波形的中压电压信号转化为高压 电压信号输出； 所述输入控件5,接收用户直接操作输入的频率、波形和电压指令从而形成电压、频率 和波形控制信号，将该电压、频率和波形控制信号送入微控制器的输入接口； 所述电源模块4,将交流220V/50HZ变换到直流电压，为各模块提供工作电压； 显示屏6,用于显示当前高压电场治疗仪的工作状态，工作状态包括电压幅度、频率和 波形类型； 所述微控制器1进一步包括：具有延时单元7的相位累加器8、相位截断单元9和查找 表10,输入的频率控制字经相位累加之后，送入相位截断单元9进行处理，处理后的信号作 为查找表10的输入地址进行查表输出波形信号，当输出正弦波形时，查找表10储存正弦信 号，当输出矩形波时，查找表10储存矩形信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压电场治疗仪，其特征在于：包括：微控制器（1）、模拟控制电路（2）、高压变换器（3）和电源模块（4）；所述微控制器（1），接收用户输入的电压、频率和波形控制信号，产生用于控制模拟控制电路（2）产生相应的频率和电平的模拟低电压控制信号和波形控制信号，此模拟低电压控制信号用于调整电场的电压，波形控制信号用于调整电场的频率和波形；所述模拟控制电路（2），接收来自微控制器（1）的模拟低电压控制信号和波形控制信号，并将该模拟低电压控制信号转换为模拟中电压信号，作为高压变换器（3）的输入信号，并向微控制器（1）的输入接口提供输出信号的电平值，同时根据波形控制信号调整电场的频率和波形；所述高压变换器（3），接收来自模拟控制电路（2）的具有波形的中压电压信号转化为高压电压信号输出；所述输入控件（5），接收用户直接操作输入的频率、波形和电压指令从而形成电压、频率和波形控制信号，将该电压、频率和波形控制信号送入微控制器的输入接口；所述电源模块（4），将交流220V/50Hz变换到直流电压，为各模块提供工作电压；显示屏（6），用于显示当前高压电场治疗仪的工作状态，工作状态包括电压幅度、频率和波形类型；所述微控制器（1）进一步包括：具有延时单元（7）的相位累加器（8）、相位截断单元（9）和查找表（10），输入的频率控制字经相位累加之后，送入相位截断单元（9）进行处理，处理后的信号作为查找表（10）的输入地址进行查表输出波形信号，当输出正弦波形时，查找表（10）储存正弦信号，当输出矩形波时，查找表（10）储存矩形信号，当输出三角波时，查找表（10）储存三角波信号；所述模拟控制电路（2）包括依次串连的第一高速光耦（11）、第一MOS功率管（12）、2个第二MOS功率管（13），一脉冲调制器（14）位于第一运算放大器（19）和第一高速光耦（11）之间，一分压电阻（15）位于第一MOS功率管（12）和第一运算放大器（19）之间，第二运算放大器（16）、第三运算放大器（17）和2个第二高速光耦（18）依次串连，且2个第二高速光耦（18）分别连接到2个第二MOS功率管（13）上。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓冬，刘小龙，张云，魏达秀，
申请(专利权)人：杨晓冬，刘小龙，张云，魏达秀，
类型：发明
国别省市：江苏;32