【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了。该方法是采用聚焦离子束直写技术在不透光金属自支撑吸收体薄膜上加工出单级衍射透射式光栅。通过设置图形放大倍数、加工电压、加工电流和加工深度来控制单级衍射光栅特征结构的几何精度；利用图形的高精度拼接技术来扩大单级衍射光栅的有效面积，从而满足单级衍射光栅对其几何参数精度和点阵结构面积的要求。聚焦离子束直写技术无需掩膜，是由聚焦状态的离子束对加工表面的点状轰击来达到加工目的，具有无需支撑膜、工艺简化、操作方便等优点。采用本专利技术制作的自支撑单级衍射量子点阵光栅在惯性约束核聚变激光等离子体诊断和光谱分析测试等领域具有极其重要的应用价值。【专利说明】
本专利技术属于衍射光栅的制作领域，具体涉及一种用作谱仪分光元件或者单色器波长分离/选择的自支撑单级衍射光栅的制作方法。
技术介绍
单级衍射光栅是一种光透过率呈正弦变化的光学衍射元件，具有高衍射效率和优异的单级衍射性能等优点，使其在惯性约束聚变激光等离子体诊断与光谱分析测试等领域具有重要的应用价值。 目前单级衍射光栅的制作方法主要为电子束光刻和X射线光刻。首先，利用电子束...
【技术保护点】
一种自支撑单级衍射光栅的制作方法，依次包括如下步骤：a：吸收体材料选择 选择金属材料金、镍、钨、铜做吸收体材料；b：光栅吸收体制备 采用物理或化学沉积法在单晶硅基底上沉积一层吸收体材料薄膜；c：刻蚀溶液配制 将氢氧化钠、去离子水按一定比例混合；d：硅基底刻蚀 将镀有金膜的单晶硅片放置于步骤c所配制的刻蚀液中；e：自支撑吸收体的实现 硅基底完全腐蚀完后，吸收体薄膜自支撑在中心带有通孔的硅片底上；f：热处理 将自支撑的吸收体薄膜连同硅基底用去离子水清洗后转移到真空干燥箱中进行干燥处理；g：光栅制作 将步骤f中制备好的吸收体薄膜置于聚焦离子束系统中，使样品垂直于聚焦...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张继成，黄成龙，曹磊峰，曾勇，魏来，钱凤，陈勇，杨祖华，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。