开关电源的输出延迟电路拓扑结构制造技术

一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，包括NMOS电路、三极管线性稳压电路及开关电源控制芯片。所述N型MOS电路包括NMOS管、分压电路及栅极充放电电容C2，NMOS管的漏极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地，分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成；所述三极管线性稳压电路包括：NPN三极管Q2、基极限流电阻R1以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2的集电极连接NMOS管Q1的源极，基极通过稳压管Z1接地，并通过基极限流电阻R1连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。本实用新型专利技术利用NMOS管电压开关特性控制电路供电，调整第二电阻R2、第三电阻R3和栅极充放电电容C2的参数，能实现不同的输出延迟时间的需求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，包括NMOS电路、三极管线性稳压电路及开关电源控制芯片。所述N型MOS电路包括NMOS管、分压电路及栅极充放电电容C2，NMOS管的漏极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地，分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成；所述三极管线性稳压电路包括：NPN三极管Q2、基极限流电阻R1以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2的集电极连接NMOS管Q1的源极，基极通过稳压管Z1接地，并通过基极限流电阻R1连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。本技术利用NMOS管电压开关特性控制电路供电，调整第二电阻R2、第三电阻R3和栅极充放电电容C2的参数，能实现不同的输出延迟时间的需求。【专利说明】开关电源的输出延迟电路拓扑结构
本技术涉及一种开关电源的控制电路，尤其是指一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构。
技术介绍
在实际应用中，用户往往要求提供一款输入电压(18VD。?36VD。)、输出电压(±12Vdc/300 mA，_5VDC/200mA)、具有输出延迟时间(彡50mS)，动态反应时间(彡50mS)，效率高于75%，输出纹波有效值< 0，2%的输入输出隔离电源模块。 采用两路独立的单端反激式拓扑结构能够实现该电源模块的功率部分。单端反激式电路具有电路结构简单，所需器件少，效率高，节省体积的优点，广泛应用于中小功率电路，本电路总输出功率仅10W，采用单端反激式拓扑完全能满足使用要求。该种结构所采用的脉宽调制器具有电流检测功能，可以实现输出短路保护。但是，其输出延迟电路需要另外单独设计。
技术实现思路
本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种阈值准确、电路简单的开关电源的输出延迟电路拓扑结构，以有效地控制输出延迟时间。 为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案:一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，包括NMOS电路、三极管线性稳压电路以及开关电源控制芯片； 其中，所述N型MOS电路包括NMOS管Ql、分压电路及栅极充放电电容C2，所述NMOS管Ql的源极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地，所述分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成，所述第二电阻R2的一端连接于电源输入端，另一端与第三电阻R3的一端和NMOS管Ql的栅极相连，所述第三电阻R3的另一端接地； 所述三极管线性稳压电路包括:NPN三极管Q2、基极限流电阻Rl以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2集电极连接NMOS管Ql的源极，基极通过稳压管Zl接地，并通过基极限流电阻Rl连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。 进一步地，所述拓扑结构还包括一稳压电容Cl，所述稳压电容Cl 一端连接于NMOS管Ql的漏极，另一端接地。 进一步地，所述稳压管Zl为1V稳压管。 进一步地，所述电压输入端为直流电压输入端。 进一步地，所述开关电源控制芯片为如下器件中的一种:电流型脉宽调制器、电压型脉宽调制器、BUCK变换器、BOOST变换器。 本技术的有益效果是:本专利技术利用NMOS管的电压开关特性，在电源供电前端加NMOS电路，可以很好地控制整个电路的供电，而且，通过调整NMOS管Ql的栅极的分压电阻第二电阻R2、第三电阻R3和栅极充放电电容C2的参数值，就能实现不同的输出延迟时间的需求，结构简捷，且能满足使用需求。特别适用于有输出延迟要求的电源电路，同时可以抑制供电电压在上升过程中带来的启动过冲，防止供电电源过载，可广泛应用于中小功率电路。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术实施例的开关电源的输出延迟电路拓扑结构的电路示意图。 【具体实施方式】 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。 请参考图1，本技术提供一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，包括NMOS电路、三极管线性稳压电路以及脉宽调制器U1。 其中，所述N型MOS电路包括NMOS管Ql、分压电路及栅极充放电电容C2，所述NMOS管Ql的漏极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地。所述分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成，所述第二电阻R2的一端连接于电源输入端，另一端与第三电阻R3的一端和NMOS管Ql的栅极相连，所述第三电阻R3的另一端接地，通过调整第二电阻R2和第三电阻R3的阻值，可以改变NMOS管Ql的栅极电压值；而所述栅极充放电电容C2还与所述第二电阻R2形成栅极充放电回路，可调节NMOS管Ql栅极电压达到启动门限电压的时间。 所述三极管线性稳压电路包括:NPN三极管Q2、基极限流电阻Rl以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2的集电极连接NMOS管Ql的源极，基极通过稳压管Zl接地，并通过基极限流电阻Rl连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。 此外，所述拓扑结构还可进一步包括一稳压电容Cl，所述稳压电容Cl 一端连接于NMOS管Ql的源极，另一端接地。稳压电容Cl作为电源输入端稳压电容，可抑制电源输入端电源噪声，稳定输出。 所述电压输入端为直流电压输入端；所述稳压管Zl可使脉宽调制器的电源电压稳定为设定值，优选采用1V稳压管，实际使用时不局限于1V稳压管，可根据电路实际使用情况选用不同稳压值的稳压管。 所述开关电源控制芯片为如下器件中的一种:电流型脉宽调制器、电压型脉宽调制器、BUCK变换器、BOOST变换器。优选采用电流型脉宽调制器U1，电流型脉宽调制器结构上有电压环、电流环双环系统，故开关电源的电压调整率、负载调整率和瞬态响应特性都较好且其本身具有过电流保护功能，是目前广泛应用的PWM脉宽调制器。 本技术的工作原理如下:当输入电压由OV逐渐上升时，栅极充放电电容C2的初始电压为零，输入电压经第二电阻R2，第三电阻R3分压后为栅极充放电电容C2充电，NMOS管Ql的栅极电压逐渐升高，但低于MOS管的启动门限电压，此时NMOS管Ql处于开关截止状态，电路无供电电压输入，电路无输出；随着输入电压逐渐升高，当由第二电阻R2、第三电阻R3组成的分压电路的电压值达到NMOS管Ql的栅极启动门限电压时，NMOS管Ql即由截止变为导通，此时输入电压接入电路，为脉宽调制器Ul的供电电路提供电压，三极管Q2导通，使脉宽调制器Ul的7脚VCC端电压值稳定为Vz1-Vbe，其中Vzi为稳压管Zl的稳压值，Vbe为三极管Q2的基极、发射极结间导通电压，通常为0.7V左右，此时，脉宽调制器Ul即可正常工作，电路有输出。从输入电压达到预设输入电压值(例如:预设输入电压的中心值为28V)，到输出电压达到预设值的90%的时间间隔即为该电路的输出延迟时间。利用NMOS管的开关特性，实现了该电路输出延迟的功能，调整第二电阻R2、第三电阻R3和栅极充放电电容C2的值，可实现不同的输出延迟时间。 以上所述是本技术的【具体实施方式】，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。【权利要求】1.一种开关电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，其特征在于，所述拓扑结构包括NMOS电路、三极管线性稳压电路以及开关电源控制芯片；其中，所述N型MOS电路包括NMOS管Q1、分压电路及栅极充放电电容C2，所述NMOS管Q1的漏极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地，所述分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成，所述第二电阻R2的一端连接于电源输入端，另一端与第三电阻R3的一端和NMOS管Q1的栅极相连，所述第三电阻R3的另一端接地；所述三极管线性稳压电路包括NPN三极管Q2、基极限流电阻R1以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2的集电极连接NMOS管Q1的源极，基极通过稳压管Z1接地并通过基极限流电阻R1连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张天会，陈坚，钟成，赵勇，郭建伟，陈涛，吴思图，池尚菲，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，中国振华集团科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44