本发明专利技术的目的在于提供一种能够提高电子部件的焊料接合部的寿命的半导体装置。本发明专利技术所涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷(1)；在陶瓷(1)上形成的上部图案(2)；以及经由焊料(5)而连接在上部图案(2)上的电阻器(4)，上部图案(2)经由焊料(5)与电阻器(4)连接的部位形成为凹形状。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于提供一种能够提高电子部件的焊料接合部的寿命的半导体装置。本专利技术所涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷(1)；在陶瓷(1)上形成的上部图案(2)；以及经由焊料(5)而连接在上部图案(2)上的电阻器(4)，上部图案(2)经由焊料(5)与电阻器(4)连接的部位形成为凹形状。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置，该半导体装置的内部具有半导体元件、和配置在该半导体元件的附近的电子部件。
技术介绍
在半导体装置的内部具有电阻器等电子部件，该电阻器在半导体元件的附近，对于每个输入至该半导体元件的输入信号的平衡性进行调整。该电子部件经由焊料而接合(连接)在形成于衬底上的电极图案上(例如，参照专利文献I)。 专利文献1:日本特开2007 - 237212号公报 近些年，半导体元件的高温动作化得到发展，因此也要求提高在该半导体元件的周边(附近)使用的材料在高温下的可靠性。另外，对于电子部件的焊料接合部，也要求与现有结构相比而提高高温下的可靠性。为了提高电子部件的焊料接合部的可靠性，需要将焊料接合部形成为能承受半导体元件的高温动作，从而提高寿命。但是，在现有结构中，没有采取用于提高电子部件的焊料接合部的寿命的对策。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够提高电子部件的焊料接合部的寿命的半导体装置。 为了解决上述的课题，本专利技术所涉及的半导体装置的特征在于，具有:衬底；在衬底上形成的电极图案；经由焊料而连接在电极图案上的电子部件，电极图案经由焊料与电子部件连接的部位形成为凹形状。 专利技术的效果 根据本专利技术，其特征在于，具有:衬底；在衬底上形成的电极图案；经由焊料而连接在电极图案上的电子部件，电极图案经由焊料与电子部件连接的部位形成为凹形状，因此，能够提高电子部件的焊料接合部的寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本实施方式I所涉及的半导体装置的结构的图。 图2是表示前提技术所涉及的半导体装置的结构的图。 【具体实施方式】 下面，基于附图，对本专利技术的实施方式进行说明。 〈前提技术〉 首先，对成为本专利技术的前提的技术(前提技术)进行说明。 图2是表示前提技术所涉及的半导体装置的结构的图。 在图2中，表示出半导体装置的内部所具有的电阻器4(电子部件)的结构。电阻器4配置在同一半导体装置的内部所具有的半导体元件(未图示)的附近。 如图2所示，在陶瓷I上形成有上部图案2，在陶瓷I上的上部图案2的相反侧形成有下部图案3。上部图案2以及下部图案3表示出在陶瓷I上形成的由导体构成的电极图案。 电阻器4以横跨在上部图案2之间的方式进行配置。另外，电阻器4的电极部经由焊料5与上部图案2接合(连接)。 另外，上部图案2的表面无阶差而形成为平坦的形状。 如上面所述，近几年，随着半导体元件的高温动作化，也要求提高电阻器4(电子部件)的焊料接合部在高温下的可靠性(提高寿命)。但是，图2所示的前提技术所涉及的半导体装置的内部所具有的电阻器4的焊料接合部没有采取用于提高寿命的对策，如果半导体元件进行高温动作，则可能产生焊料5从焊料接合部剥离等故障。 本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，下面进行详细说明。 〈实施方式〉 图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置的结构的图。 在图1中，表示出半导体装置的内部所具有的电阻器4(电子部件)的结构。电阻器4配置在同一半导体装置的内部所具有的半导体元件(未图示)的附近。此外，半导体元件例如可以是SiC。由于SiC可以进行高温动作，因此，作为半导体元件而使用SiC的情况在本专利技术中特别有效。 如图1所示，在形成衬底的陶瓷I上形成有上部图案2，在陶瓷I上的上部图案2的相反侧形成有下部图案3。上部图案2以及下部图案3表示出在陶瓷I上形成的由导体构成的电极图案。另外，半导体元件配置在陶瓷I或者上部图案2的上方、且配置在电阻器4的附近。 电阻器4以横跨在上部图案2之间的方式进行配置。另外，电阻器4的电极部经由焊料5与上部图案2接合(连接)。 在上部图案2的表面形成有凹形状的台阶形状部6。电阻器4配置在台阶形状部6上，经由焊料5与上部图案2接合。此时，焊料5以覆盖台阶形状部6的底面以及侧面的方式形成。 S卩，本实施方式所涉及的半导体装置具有:陶瓷1(衬底)；在陶瓷I上形成的上部图案2(电极图案)；以及经由焊料5而接合(连接)在上部图案2上的电阻器4(电子部件)，上部图案2经由焊料5与电阻器4连接的部位形成为凹形状(台阶形状部6)。 通过按照上述方式构成，与现有结构相比较，焊料5的量变多，另外，相对于电阻器4以及上部图案2，焊料5的接合面积变大。因此，与现有结构相比，能够增大焊料5的接合强度。 如上所述，根据本实施方式，通过在上部图案2上形成台阶形状部6，能够增大焊料5的接合强度。因此，即使在半导体元件的附近配置电阻器4(电子部件)，也能够提高该电阻器4的焊料接合部的寿命。另外，将SiC等进行高温动作的半导体元件应用于本专利技术是特别有效的，能够提高具有该半导体元件的半导体装置整体的可靠性。 此外，在本实施方式中，作为电子部件的一个例子使用电阻器4而进行了说明，但是，不限定于电阻器4，也可以是其他的电子部件。 此外，本专利技术在其专利技术的范围内，能够将实施方式进行适当地变形、省略。 标号的说明 I陶瓷，2上部图案，3下部图案，4电阻器，5焊料，6台阶形状部。【权利要求】1.一种半导体装置，其特征在于，具有: 衬底； 在所述衬底上形成的电极图案；以及 经由焊料而连接在所述电极图案上的电子部件， 所述电极图案经由所述焊料与所述电子部件连接的部位形成为凹形状。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 所述电子部件是电阻器。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 所述电子部件设置在半导体元件的附近，所述半导体元件配置在所述衬底或者所述电极图案上。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于， 所述半导体元件由SiC形成。【文档编号】H01L25/00GK104170534SQ201280071130 【公开日】2014年11月26日 申请日期:2012年3月5日 优先权日:2012年3月5日【专利技术者】林田幸昌 申请人:三菱电机株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；在所述衬底上形成的电极图案；以及经由焊料而连接在所述电极图案上的电子部件，所述电极图案经由所述焊料与所述电子部件连接的部位形成为凹形状。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：林田幸昌，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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