本实用新型专利技术提供了一种电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，是在一天线载板的表面设有一呈U型的单极天线，并另设有一与该单极天线不相对称而作多重绕线，且能和该单极天线相互作用，以形成LTE低频模态的接地路径。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，是在一天线载板的表面设有一呈U型的单极天线，并另设有一与该单极天线不相对称而作多重绕线，且能和该单极天线相互作用，以形成LTE低频模态的接地路径。【专利说明】电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构
本技术涉及一种电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，特别是指在电子通讯装置内部的天线载板的表面，设有一 U型单极天线和一接地路径，由于接地路径的长度比单极天线的长度长且不对称，使单极天线和接地路径相互作用时可形成LTE (LongTerm Evolut1n,长期演进技术)的低频模态。
技术介绍
为了简化现有网络架构，减少3G转换中的潜在不良因素，基于旧有GSM/EDGE和UMTS/HSPA网络技术所开发出的长期演进技术(Long Term Evolut1n，简写为LTE)，自2004年被日本NTT DoCoMo公司提出后，如今已成为应用在手机及数据卡终端的高速无线通讯标准。 由于LTE的接口与2G和3G网络互不兼容，所以LTE需同原有网络分频段营运，并需使用调变技术以提升网络容量及速度。 一般而言，LTE网络有能力提供300Mbit/s的下载速率和75Mbit/s的上传速率，提供高速移动中的通讯需求，支持多播流和广播流，并支持1.4MHZ至20MHZ的时分多址(TDMA)和码分多址(CDMA)频段，达到支持分频双工(FDD)和分时双工(TDD)通讯，接受使用同样无线连接技术的分时半双工通讯，又能够交互操作已有的通讯标准(如GSM/EDGE, UMTS和CDMA2000)，并可与他们共存，以提供用户可以在拥有LTE讯号的地区进行通话和数据传输，在LTE未覆盖区域则可直接切换至GSM/EDGE或基于W-CDMA的UMTS，甚至是3GPP2 下的 CDMAOne 和 CDMA2000 网络。 因此，以应用LTE网络为主的天线结构专利陆续被开发出，例如中国台湾公告第M384419号“可调式长期演进(LTE)天线结构”的专利，其主要利用天线馈入点的直流信号控制一二极管的导通或切断，以改变天线结构的电压驻波比，形成两种不同操作频段。中国台湾公告第M409554号“LTE天线”的专利，是设有第一接地区段、中间区段和第二接地区段，其中第二接地区段作为天线的接地平面，第一接地区段、中间区段和第二接地区段之间的区域作为天线的发射端。 由于现有天线结构过于复杂，不易提供低频的天线功能，本设计人进行研究改进，经多次测试终于有本技术方案产生。
技术实现思路
因此，本技术旨在提供一种电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构。 依本技术的电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，包括有单极天线和接地路径，通过单极天线和接地路径的相互作用以产生LTE低频模态，是本技术的另一目的。 依本技术的电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，其中接地路径为多重绕线，其路径长度大于单极天线的长度，而形成涵盖670MHz的低频模态频宽，是本技术的又一目的。 为便对本技术的目的、形状、构造装置、特征及其功效，做更进一步的认识与了解，现举实施例配合图示，详细说明如下: 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构的立体示图。 图2为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构的天线载板放大透视图。 图3为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构实施时的电流路径分析图。 图4为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构实施时的第一模态电流分布图。 图5为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构实施时的第二模态电流分布图。 图6为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构的第二实施例图。 图7为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构的第三实施例图。 图8为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构的接地路径变化与天线模态变化波形图。 图9为本技术电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构的单极天线变化与天线模态变化波形图。 【符号说明】 100:电路板200:天线载板300:LTE低、宽频天线 21:第一表面22:第二表面23:第三表面 4、4A、4B:单极天线41:信号馈入端 5、5A、5B:接地路径 【具体实施方式】 本技术的电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，如图1所示，包括一电路板100及一天线载板200，所述天线载板200为长方形体，可使用塑料支架结构，其支架表面形成LTE低、宽频天线300。 请参照图2所示，为了方便说明天线结构，现配合图示，以天线载板200的上方表面为第一表面21，天线载板200的前方表面为第二表面22，天线载板200的后方表面为第二表面23。 如图所示，所述LTE低、宽频天线300包括一单极天线4和一接地路径5。其中，所述单极天线4形成于第一表面21，所述接地路径5形成于第一表面21、第二表面22和第三表面23。 如图所示，单极天线4的信号馈入端41位于第一表面21的中段位置，信号馈入端41沿着第一表面21的长度方向延伸，再沿着第一表面21的宽度方向边缘延伸，然后沿着第一表面21的长度方向边缘延伸，以形成U型的单极天线4。 所述接地路径5，从天线载板200和电路板100接触的位置开始，沿着第二表面22向上延伸，然后进入第一表面21，再以与单极天线4相反的方向，沿着第一表面21的长度方向边缘延伸一距离，横移，再沿着第一表面21的长度方向延伸,然后沿着第一表面21的宽度方向边缘延伸，再于第三表面23的左侧高度边缘延伸，然后于第三表面23的长度底缘延伸，再沿着第三表面23的右高度边缘延伸，最后沿着第三表面23的长度高缘延伸。 上述接地路径5的总长度比单极天线4的总长度长。 本技术实施时，请参照图1所示，电路板100(天线辐射接地)面积为120mm(LI) x55mm(W),天线载板200 (天线主福射)的高度⑶为1mm,面积为1mm(L2)x55mm(ff)，该整体天线载板200符合电子通讯装置的面板需求。现以反射系数S11参数(S11Parameter)作为天线原始特性的依据，通过网络分析仪表示天线的辐射参数。本技术实施时是以S11参数为_5dB来定义有效的阻抗频宽，该定义能满足电子通讯装置的天线设计规范。 如图3所示，本技术的LTE低、宽频天线300，经由电流路径分析显示的结果，低频带频宽为500MHz (670-1170MHz)，符合LTE的低频频宽需求。 图4为表示本技术LTE低、宽频天线结构的第一模态(如图3的A部分)电流分布图，频率为670MHz时，低频电流集中在接地路径5。 图5为表示本技术LTE低、宽频天线结构的第二模态(如图3的B部份)电流分布图，频率为1170MHz时，高频电流集中在单极天线4。 当无线射频信号从单极天线4的信号馈入端41馈入后，单极天线4和接地路径5匹配作用反应，单极天线4和接地路径5相互作用形成第一模态的电流分布时，可形成670MHz至800M本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子通讯装置的单极LTE低、宽频天线结构，是在一电路板的一端设一天线载板，该天线载板的表面形成有一单极天线和一接地路径，其特征在于，所述接地路径的总长度大于单极天线的总长度，通过较长的接地路径和较短的单极天线相互作用，以形成低频、宽频的模态。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪彦铭，丘增杰，田育玮，吴为盛，
申请(专利权)人：佳邦科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71
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