本发明专利技术实施例提供了一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的OLED显示器件中金属电极的传输电阻大、压降较大，显示亮度不均的问题。一种OLED显示器件，包括：衬底基板以及形成在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阴极和阳极之间的有机功能层，所述阳极和/或所述阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，且所述二维纳米结构的拓扑绝缘体通过黏着层粘附在所述衬底基板上。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供了一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置，涉及显示
，解决了现有的OLED显示器件中金属电极的传输电阻大、压降较大，显示亮度不均的问题。一种OLED显示器件，包括：衬底基板以及形成在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阴极和阳极之间的有机功能层，所述阳极和/或所述阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，且所述二维纳米结构的拓扑绝缘体通过黏着层粘附在所述衬底基板上。【专利说明】-种OLED显示器件及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种0LED显示器件及其制作方法、显示装 置。
技术介绍
OLED (Organic Light Emitting Diode,有机发光器件）显示器是新一代的显示 器，与液晶显示器相比，具有很多优点如：自发光，响应速度快，宽视角等，可以用于柔性显 示，透明显示，3D显示等。 以图1所示的0LED显示器为例，0LED显示器包括：对合的阵列基板20以及封装基 板10。阵列基板20包括第一衬底21、薄膜晶体管22 (包括栅极221、源级222和漏极223)、 与薄膜晶体管22的漏极223连接的阳极23、位于阳极23之上的有机功能层25、位于有机 功能层25之上的阴极26。封装基板10包括第二衬底11、彩色膜层13、黑矩阵层12以及保 护层14 ;阵列基板20和封装基板10之间设置有填充物30。其中有机功能层25还可以进 一步细分为：空穴传输功能层（HTL层）、发光功能层（EML层）、电子传输功能层（ETL层） 等等。 其中，阳极、阴极以及有机功能层构成有机发光器件，其主要的工作原理是有机功 能层在阳极和阴极所形成电场的驱动下，通过载流子注入和复合而发光。 如图1所示的0LED显示器的阴极26 -般采用薄层金属银制备，阳极23 -般采用 IT0(Indium tin oxide，氧化铟锡）制备。薄层金属银以及ΙΤ0的电阻率较高。尤其是对 于大面积成型的阴极26,采用薄层金属银制备的阴极电阻率较大，压降（IR drop)较大，造 成0LED器件的实际驱动电压与电源电压有较大差异，在大尺寸的0LED显示器上，表现为大 面积的亮度不均匀，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种0LED显示器件及其制作方法、显示装置，解决了现有的 0LED显示器件中阴极和阳极的传输电阻大的问题。 为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案： 本专利技术实施例提供了一种0LED显示器件，包括：衬底基板以及形成在所述衬底基 板上的阳极、阴极以及位于所述阴极和所述阳极之间的有机功能层，所述阳极和/或所述 阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，且所述二维纳米结构的拓扑绝缘体通过黏着层粘附在 所述衬底基板上。 本专利技术实施例提供了一种0LED显示器件的制作方法，包括： 利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的阳极图案和/或阴极图案； 形成阳极、有机功能层以及阴极，其中，形成所述阳极和/或所述阴极是将所述阳 极图案和/或所述阴极图案通过黏着层粘附在对应的阳极区和/或阴极区。 本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的任一所述的0LED 显示器件。 本专利技术的实施例提供一种0LED显示器件及其制作方法、显示装置，所述0LED显示 器件的阳极和/或阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，二维纳米结构的拓扑绝缘体具有超 高比表面积和能带结构的可调控性，能显著降低体态载流子的比例和凸显拓扑表面态，则 阳极和/或阴极传输电阻小，导电性能好，尤其可以改善大面积一体成型的电极的均一性， 进而提高0LED显示器的亮度均匀性，改善显示效果。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有的0LED显示器件示意图； 图2为本专利技术实施例提供的一种0LED显示器件的制作方法示意图； 图3为本专利技术实施例提供的一种形成二维纳米结构的拓扑绝缘体的阴极图案的 方法示意图； 图4为本专利技术实施例提供的一种0LED显示器件的制作方法示意图。 附图标记： 10-封装基板；11-第二衬底；12-黑矩阵层；13-彩色膜层；14-保护层；20-阵列 基板；21-第一衬底；22-薄膜晶体管；221-栅极；222-源极；223-漏极；23-阳极；24-像素 界定层；25-有机功能层；26-阴极；30-填充层。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 拓扑绝缘体（topological insulator)是近年来新认识到的一种物质形态。拓扑 绝缘体的体能带结构和普通绝缘体一样，都在费米能级处有一有限大小的能隙，但是在它 的边界或表面却是无能隙的、狄拉克（Dirac)型、自旋非简并的导电的边缘态，这是它有别 于普通绝缘体的最独特的性质。这样的导电边缘态是稳定存在的，信息的传递可以通过电 子的自旋，而不像传统材料通过电荷，因此，拓扑绝缘体的导电性能更好且不涉及耗散即不 发热。 本专利技术实施例提供了一种0LED显示器件，包括：衬底基板以及形成在衬底基板上 的阳极、阴极以及位于阴极和阳极之间的有机功能层，其中，阳极和/或阴极为二维纳米结 构的拓扑绝缘体，且二维纳米结构的拓扑绝缘体通过黏着层粘附在衬底基板上。 需要说明的是，阳极和/或阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，即可以是仅阳极 为二维纳米结构的拓扑绝缘体；或者仅阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体；还可以阴极和 阳极均为二维纳米结构的拓扑绝缘体。 其中，维纳米结构的拓扑绝缘体即由拓扑绝缘体形成的纳米尺寸厚度的膜，可以 是由拓扑绝缘体形成的二维纳米薄膜、二维纳米薄片、二维纳米带等。二维纳米结构的拓扑 绝缘体具有超高比表面积和能带结构的可调控性，能显著降低体态载流子的比例和凸显拓 扑表面态，进而导电性能更好。0LED显示器件的阳极和/或阴极为二维纳米结构的拓扑绝 缘体，则阳极和/或阴极的传输电阻小，尤其可以改善大面积一体成型的电极的均一性，进 而提高0LED显示器的亮度均匀性，改善显示效果。 需要说明的是，二维纳米结构的拓扑绝缘体因其与石墨烯结构类似具有较高的柔 韧性，以及基本肉眼不可见的高透过率，使其更适用于显示器件。 可选的，所述拓扑绝缘体包括 HgTe、BixSbh、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi 2Se3、I\BiTe2、 I\BiSe2、GeiBi4Te7、Ge 2Bi2Te5、GeiBi2Te 4、AmN、PuTe、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一 种。 其中，GeiBi4Te7、Ge 2Bi2Te5以及于硫属化物。Am本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种OLED显示器件，包括：衬底基板以及形成在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阴极和所述阳极之间的有机功能层，其特征在于，所述阳极和/或所述阴极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，且所述二维纳米结构的拓扑绝缘体通过黏着层粘附在所述衬底基板上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，乔勇，卢永春，先建波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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