【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种并联接触式RF?MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底，设于衬底上的CPW地线，与CPW地线连接的金属桥膜，在金属桥膜的下方设有下拉电极与CPW信号线，在CPW信号线上设有接触点。并联接触式RFMEMS开关具有较低的工作频率，甚至可以控制直流信号；并且利用低应力电镀Au桥膜作为上电极，实现了接触电极之间的Au--Au接触，使其具有较低的插入损耗。【专利说明】一种并联接触式RF MEMS开关
本设计涉及一种并联接触式RF MEMS开关，属于射频电子
。
技术介绍
目前，对接触式RF MEMS开关的研究主要集中在对串联接触式RF MEMS开关的研 究，而对并联接触式RF MEMS开关的研究相对较少。作为接触式RF MEMS开关的一种，并联 接触式RF MEMS开关利用并联于信号线与地线之间的开关来控制射频信号的导通与断开。 当金属一金属直接接触时，射频信号从信号线导通到地，RFMEMS开关处于隔离状态。与串 联接触式RFMEMS开关相比，并联接触式RF MEMS开关通常具有更宽的应用频率范围。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底，设于衬底上的CPW地线，与CPW地线连接的金属桥膜，在金属桥膜的下方设有下拉电极与CPW信号线，在CPW信号线上设有接触点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊民，
申请(专利权)人：苏州锟恩电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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