本实用新型专利技术公开了一种多区域气体流量控制装置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极；所述多区域气体流量控制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所述流量控制器与所述管道连接，所述管道与多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极，利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。本实用新型专利技术多区域气体流量控制装置有效调整气体分布的均匀性，防止发生上电极下垂的现象，使上下电极的间隙保持一致。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种多区域气体流量控制装置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极；所述多区域气体流量控制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所述流量控制器与所述管道连接，所述管道与多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极，利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。本技术多区域气体流量控制装置有效调整气体分布的均匀性，防止发生上电极下垂的现象，使上下电极的间隙保持一致。【专利说明】多区域气体流量控制装置
本专利技术属于气体流量控制技术，特别是涉及一种多区域气体流量控制装置。
技术介绍
现有半导体设备的上电极的专利多为单一区域气体流量控制方式，而气体在腔体 外部预先混和完成，如图4所示，由单一管路11由上电极上部注入，通过上电极12的内部 设计达到气体均匀分布的目的，但当腔体体积逐渐变大后，气体均匀分布的目标就变的日 趋困难，上电极12在高温长期使用下会有下垂的现象，造成上电极12和下电极13的间隙 无法一致，无法做任何外部的硬件调整。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种多区域气体流量控制装置，其解决气体分 布不均、上下电极的间隙不一致等技术问题。 本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种多区域气体流量控制装 置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所述腔体内置有上电极和与所述上电 极相对的下电极；所述多区域气体流量控制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所 述流量控制器与所述管道连接，所述管道与多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔 体后作用于所述上电极，利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流 量。 优选地，所述腔体上设有多个区域，每一个所述区域对应配置有一个所述上电极， 每一个所述上电极上均对应有至少一个所述输入管。 优选地，所述上电极包括上板以及位于上板之下的下板。 优选地，所述上电极中的所述上板的上表面、所述上板的外侧以及所述下板的外 侧均设有密封件。 优选地，所述密封件为由绝缘材料制成的密封圈。 本专利技术多区域气体流量控制装置的积极进步效果在于：本专利技术有效调整气体分布 的均匀性，防止发生上电极下垂的现象，使上下电极的间隙保持一致。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术多区域气体流量控制装置在第一实施例中的结构示意图。 图2为图1的俯视图。 图3为本专利技术多区域气体流量控制装置在第二实施例中的俯视图。 图4为现有单一区域气体流量控制装置的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图给出本专利技术较佳实施例，以详细说明本专利技术的技术方案。 请参阅图1和图2,其中，图1为本专利技术多区域气体流量控制装置在第一实施例中 的结构示意图图，图2为装配有本专利技术多区域气体流量控制装置的半导体设备中腔体的俯 视图。如图1和图2所示，本专利技术多区域气体流量控制装置应用于半导体设备中，所述半导 体设备包括腔体4,所述腔体4内置有上电极和与所述上电极相对的下电极（下电极未在图 式中示出），在本实施例中，所述上电极包括上板5以及位于上板5之下的下板6 ;所述多区 域气体流量控制装置包括：流量控制器1、管道2、多个输入管3,所述流量控制器1与所述 管道2连接，所述管道2与多个所述输入管3连接，所述输入管3穿过所述腔体4后作用于 上电极，利用所述流量控制器1控制流经所述管道2和所述输入管3的气体的流量。由此 可知，利用本专利技术多区域气体流量控制装置，可在上电极的多个区域上配置相应的输入管3 以提供气体，从而使得作用于上电极气体达到均匀分布的目的。 另外，在本实施例中，在所述上电极中的上板5的上表面、上板5的外侧以及下板 6的外侧均设有密封件7,以起到密封作用，防止气体泄露。优选地，密封件7可以是由绝缘 材料制成的密封圈，这样防止产生静电且密封性好。 请继续参阅图3,为本专利技术多区域气体流量控制装置在第二实施例中的结构示意 图图。如图3所示，相比于第一实施例，在第二实施例中，腔体4上进一步设有多个区域A， 每一个区域A中对应配置有一个上电极，每一个上电极上均对应有至少一个输入管3,即， 至少有一个输入管3的开口 9是正对每一个上电极的以供应气体。 本专利技术多区域气体流量控制装置的使用过程如下：首先，输入管插入在腔体中，然 后管道输入气体给输入管，最后通过多个输入管将气体导入电极内的多个区域，流量控制 器根据要求控制气体的流量。 本专利技术利用多个输入点，即在上电极上将气体导入电极内的多个区域，并利用外 部的流量控制器，针对不同的区域做调整，使腔体内气体分布达到用户的要求，以达到膜厚 均匀的优化的表现。多个区域的电极设计，在硬件上可改善上电极下垂的现象，使上下电极 的间隙保持一致。多层上电极单一区域的设计，常会有射频电源均匀性的问题，因为多层电 极板会有更多的接触面，可使上述现象得到大幅的改善。 本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种改型和改变。因此，本专利技术覆盖了落入 所附的权利要求书及其等同物的范围内的各种改型和改变。【权利要求】1. 一种多区域气体流量控制装置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所 述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极；其特征在于，所述多区域气体流量控 制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所述流量控制器与所述管道连接，所述管道与 多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极，利用所述流量控制 器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。2. 如权利要求1所述的多区域气体流量控制装置，其特征在于，所述腔体上设有多个 区域，每一个所述区域对应配置有一个所述上电极，每一个所述上电极上均对应有至少一 个所述输入管。3. 如权利要求1或2所述的多区域气体流量控制装置，其特征在于，所述上电极包括上 板以及位于上板之下的下板。4. 如权利要求3所述的多区域气体流量控制装置，其特征在于，所述上电极中的所述 上板的上表面、所述上板的外侧以及所述下板的外侧均设有密封件。5. 如权利要求4所述的多区域气体流量控制装置，其特征在于，所述密封件为由绝缘 材料制成的密封圈。【文档编号】G05D7/06GK203909634SQ201420324040【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年6月18日 优先权日:2014年6月18日 【专利技术者】钟尚骅 申请人:上海和辉光电有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多区域气体流量控制装置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极；其特征在于，所述多区域气体流量控制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所述流量控制器与所述管道连接，所述管道与多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极，利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟尚骅，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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