本实用新型专利技术提供一种屏蔽板结构，所述屏蔽板结构包括：屏蔽板主体；从上至下穿透所述屏蔽板主体中心的通孔；与所述通孔连通的气体管路，所述气体管路中通入气体以在所述屏蔽板主体下表面形成气膜；所述通孔在屏蔽板主体中呈圆台型，所述圆台的侧面与屏蔽板主体的下表面所形成的钝角范围为100～115°；所述气体管路中通入的气体为氮气；所述气体管路上设置有阀门以及控制气体流量的中央控制系统。本实用新型专利技术的屏蔽板结构通过在屏蔽板主体中心位置设置一通孔，并往通孔中通入一定流量的气体，使屏蔽板主体在旋转过程中在其底部形成气膜，该气膜可以避免屏蔽板主体的表面被溅射液滴，从而确保晶圆不会被滴落的液滴污染，引入缺陷。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种屏蔽板结构，所述屏蔽板结构包括：屏蔽板主体；从上至下穿透所述屏蔽板主体中心的通孔；与所述通孔连通的气体管路，所述气体管路中通入气体以在所述屏蔽板主体下表面形成气膜；所述通孔在屏蔽板主体中呈圆台型，所述圆台的侧面与屏蔽板主体的下表面所形成的钝角范围为100～115°；所述气体管路中通入的气体为氮气；所述气体管路上设置有阀门以及控制气体流量的中央控制系统。本技术的屏蔽板结构通过在屏蔽板主体中心位置设置一通孔，并往通孔中通入一定流量的气体，使屏蔽板主体在旋转过程中在其底部形成气膜，该气膜可以避免屏蔽板主体的表面被溅射液滴，从而确保晶圆不会被滴落的液滴污染，引入缺陷。【专利说明】
本技术涉及半导体设备领域，涉及一种屏蔽板结构，特别是涉及一种湿法清 洗装置中的屏蔽板结构。 一种屏蔽板结构
技术介绍
晶圆表面在经受工艺处理之前，其表面必须是洁净的。一旦晶圆表面被沾污，必须 通过清洗而排除。所述沾污可能是来自环境中的污染物，或者是在前工艺过程中在晶圆表 面残留的无用物质。 占统治地位的晶圆表面清洗方法是湿化学法清洗，或简称湿法清洗。湿化学法清 洗就是用化学药剂与晶圆表面需要去除的残留物进行反应，使残留物从晶圆表面剥离从而 达到清洗的目的。浸泡型清洗在嵌入清洗台的台板上的玻璃，石英或是聚四氟乙烯的池子 中进行。如果一种清洗液需要加热，那么池子会坐落在一个加热盘上，周围被加热用的电阻 丝缠绕或者其内部有一个浸入式加热器。化学品也可用于喷洒，应用于直接冲击或离心分 离设备中。湿法清洗完成后还必须去除晶圆上残留的化学药剂。因此每一步湿法清洗工艺 后还跟随着高纯度去离子水清洗。 如图1所示，现有技术中的湿法清洗设备中设置有一屏蔽板100,该屏蔽板100位 于晶圆6A的上方，当进行清洗时，用于避免清洗液飞溅。但是这种结构的屏蔽板100下表 面容易粘附液滴8A(包括化学液滴、水珠等）。如图2所示，在进行完湿法清洗后，粘附在屏 蔽板100上的液滴会滴落在晶圆6A表面，使晶圆6A表面产生缺陷。对于45/40nm的产品， 大约有1 %的产品将会受到冲击，产品的产率受到影响。 因此，提供一种新型的屏蔽板结构，避免晶圆表面产生水珠等缺陷是本领域技术 人员需要解决的课题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种屏蔽板结构，用 于解决现有技术中屏蔽板下表面的液体滴落造成晶圆表面形成缺陷的问题。 为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种屏蔽板结构，所述屏蔽板 结构至少包括： 屏蔽板主体； 从上至下穿透所述屏蔽板主体中心的通孔； 与所述通孔连通的气体管路，所述气体管路中通入气体以在所述屏蔽板主体下表 面形成气膜。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述屏蔽板主体设置于晶圆上 且与所述晶圆上表面具有设定距离的。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述设定的距离范围为0. 3? 0. 7mm〇 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述屏蔽板主体以1300? 1700转/每分钟的转速进行旋转。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述通孔在屏蔽板主体中呈圆 台型，所述圆台的侧面与屏蔽板主体的下表面所形成的钝角范围为100?115°。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述气体管路中通入的气体为 氮气。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述气体管路上设置有阀门以 及控制气体流量的中央控制系统。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，在所述中央控制系统的控制 下，所述气体的流量范围为150?250L/min。 作为本技术的屏蔽板结构的一种优化的结构，所述气体管路与所述通孔的上 部开口连通，所述上部开口的尺寸范围为5?10_。 如上所述，本技术的屏蔽板结构，所述屏蔽板结构包括：屏蔽板主体；从上至 下穿透所述屏蔽板主体中心的通孔；与所述通孔连通的气体管路，所述气体管路中通入气 体以在所述屏蔽板主体下表面形成气膜；所述通孔在屏蔽板主体中呈圆台型，所述圆台的 侧面与屏蔽板主体的下表面所形成的钝角范围为100?115° ;所述气体管路中通入的气 体为氮气；所述气体管路上设置有阀门以及控制气体流量的中央控制系统。本技术的 屏蔽板结构通过在屏蔽板主体中心位置设置一通孔，并往通孔中通入一定流量的气体，使 屏蔽板主体在旋转过程中在其底部形成气膜，该气膜可以避免屏蔽板主体的表面被溅射液 滴，从而确保晶圆不会被滴落的液滴污染，引入缺陷。本技术的屏蔽板适用于45nm及 以下
，产品产率和可靠性得到大大提高。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术中屏蔽板结构下表面粘附有液滴的示意图。 图2为现有技术中屏蔽板结构下表面粘附的液滴滴落在晶圆上的不意图。 图3为本技术的屏蔽板结构的立体示意图。 图4为本技术的屏蔽板结构的剖视图。 元件标号说明 100, 200 屏蔽板结构 1 屏蔽板主体 2 通孔 3 气体管路 4 阀门 5 中央控制系统 6,6A 晶圆 7 气膜 8A 液滴 【具体实施方式】 以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本 说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。 请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配 合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可 实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调 整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所 揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如"上"、"下"、"左"、"右"、 "中间"及"一"等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围， 其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。 如图3和图4所示，本技术提供一种屏蔽板结构200,用于湿法清洗装置中防 止液滴飞溅，所述屏蔽板结构200至少包括：屏蔽板主体1 ;从上至下穿透所述屏蔽板主体 1中心的通孔2 ;与所述通孔2连通的气体管路3,所述气体管路3中通入气体以在所述屏 蔽板主体1下表面形成气膜7。 所述屏蔽板主体1设置在晶圆6的上方，且与所述晶圆6的上表面具有设定的距 离。所述设定的距离可以在〇. 3?0. 7mm范围内，在这个距离范围内，所述屏蔽板主体1可 以更好地起到屏蔽液滴飞溅的作用。所述屏蔽板主体1的横截面优选为圆柱形，当然，根据 反应腔的形状不同，所述屏蔽板主体1的横截面形状也可以做相应的变化，在此不限。所述 屏蔽板主体1的材质优选为聚四氟乙烯（PTFE)，当然，根据具体工艺的需要，所述屏蔽板主 体1也可以是其他合适的材料。 具体地，所述屏蔽板主体1由上、下两个圆柱体构成。上部的圆柱体直径小于下部 的圆柱体直径，上部的圆柱体可以便于技术操作人员将所述屏本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种屏蔽板结构，其特征在于，所述屏蔽板结构至少包括：屏蔽板主体；从上至下穿透所述屏蔽板主体中心的通孔；与所述通孔连通的气体管路，所述气体管路中通入气体以在所述屏蔽板主体的下表面形成气膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金滕滕，杨勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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