数据储存装置及其制作与控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术有关于一种数据储存装置及其制作与控制方法。所述数据储存装置具有一第一次区块、一第二次区块、一第一井开关、一第二井开关以及一第一字线群。该第一井开关用于传递一第一井偏压作该第一次区块的偏压。该第二井开关用以传递一第二井偏压作该第二次区块的偏压。该第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。本发明专利技术所揭露的技术可有效降低前程序化、抹除以及后程序化步骤中所干扰的次区块数量，并进一步减少重刷新程序化步骤修复受干扰次区块的时间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术有关于一种。所述数据储存装置具有一第一次区块、一第二次区块、一第一井开关、一第二井开关以及一第一字线群。该第一井开关用于传递一第一井偏压作该第一次区块的偏压。该第二井开关用以传递一第二井偏压作该第二次区块的偏压。该第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。本专利技术所揭露的技术可有效降低前程序化、抹除以及后程序化步骤中所干扰的次区块数量，并进一步减少重刷新程序化步骤修复受干扰次区块的时间。【专利说明】
本专利技术是有关于数据储存装置，且特别有关于快闪存储器技术的数据储存装置及 其制作与控制方法。
技术介绍
快闪存储器为常见的非挥发性储存媒体，且主要用来实现数据储存装置，如，存储 卡、通用串行总线快闪存储器装置、固态硬盘等。 传统快闪存储器包括多个存储器区块（blocks)。一物理区块（physical block) 中的所有存储单元设置在一井结构（well)中，共享井控制信号。各物理区块有专用的多条 位线（bit lines)以及字线（word lines)。各存储单元坐落在位线与字线交错处，以进行 编址。存储器密度越高，对应的阵列解码器会占据整体芯片更高比例的空间。降低阵列解 码器所占空间的一方式是提升物理区块尺寸，以求减少解码器数量。然而，以上方式涉及多 种技术问题，包括：次区块（sub-block)抹除时间会增加；各物理区块内的存储单元均一性 不易控制；且解码器内部布局拥挤。此外，写入与抹除干扰（program/erase disturbance) 也是电路设计中需考量的问题。 【专利技术内容】 本专利技术揭露一种数据储存装置、以及该种类数据储存装置的制作以及控制方法， 用于解决在进行抹除步骤时，次区块会被目标次区块所干扰的问题。 根据本专利技术一种实施方式所实现的数据储存装置包括一第一次区块、一第二次区 块、一第一井开关、一第二井开关以及一第一字线群。该第一井开关用于传递一第一井偏压 作该第一次区块的偏压。该第二井开关用以传递一第二井偏压作该第二次区块的偏压。该 第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。 本专利技术一种实施方式所揭露的数据储存装置制作方法包括以下步骤：于一第一井 结构制作一第一次区块；于有别于该第一井结构的一第二井结构制作一第二次区块；制作 一第一井开关，用以传递一第一井偏压作该第一次区块的偏压；制作一第二井开关，用以传 递一第二井偏压作该第二次区块的偏压；以及，制作一第一字线群。该第一次区块以及该第 二次区块共同由该第一字线群控制。 根据本专利技术一种实施方式，一数据储存装置控制方法包括以下步骤：在对一数据 储存装置内的一第一次区块执行一抹除步骤时，以一抹除用栅极电位控制一第一字线群， 且以一抹除用井电位控制一第一井偏压，其中，该第一次区块是由该第一字线群控制且由 该第一井偏压作偏压；且，在对该第一次区块执行该抹除步骤时，还以一抹除保护电位控制 一第二井偏压。该第二井偏压用于偏压该数据储存装置内的一第二次区块，并且，该第二次 区块与该第一次区块共同由该第一字线群控制。 就采用相同尺寸位元解码器的相同尺寸存储器来说，相较于传统井结构，本案所 揭露的井结构在进行抹除操作时只有少量的次区块受到干扰。因此，本专利技术所揭露技术可 有效降低前程序化、抹除以及后程序化步骤中所干扰的次区块数量，并进一步减少重刷新 程序化步骤修复受干扰次区块的时间。 下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本
技术实现思路
。 【专利附图】【附图说明】 图1图解根据本专利技术一种实施方式所实现的一数据储存装置100 ; 图2为根据本专利技术的存储器次区块的抹除操作的流程图； 图3为依照图2所示的抹除步骤S204操作的数据储存装置100的操作状态示意 图； 图4为依照图2所示的前程序化步骤S202操作的数据储存装置100的操作状态 示意图；且 图5为依照第2图所示的后程序化步骤S206操作的数据储存装置100的操作状 态示意图。 符号说明： 100?数据储存装置； 102?字线解码器； 104?位线解码器； 302、304、306、308?抹除步骤下，不同存储单元的受压状况； 402、404?前程序化步骤下，不同存储单元的受压状况； 502、504?后程序化步骤下，不同存储单元的受压状况； BL1、BL2 ?位线群； Sub_Block_ll …Sub_Block_24 ?次区块； S202…S208 ?步骤； Vwell_l、Vwell_2 ?井偏压； Well_l、Well_2 ?井结构； Well_Switch_l、Well_Switch_2 ?井开关； WL1...WL4 ?字线群。 【具体实施方式】 以下叙述列举本专利技术的多种实施例。以下叙述介绍本专利技术的基本概念，且并非意 图限制本
技术实现思路
。实际专利技术范围应依照权利要求书来界定。 图1图解根据本专利技术一种实施方式所实现的一数据储存装置100。请参照图1， 井结构Well_l包括以井开关Well_Swit Ch_l所传递的井偏压Vwell_l作为偏压的次区块 Sub_Block_ll、Sub_Block_12、Sub_Block_13、Sub_Block_14。井结构 Well_2 包括以井开关 Well_Switch_2 所传递的井偏压 Vwell_2 作为偏压的次区块 Sub_Block_21、Sub_Block_22、 Sub_Block_23、Sub_Block_24。井结构Well_l与Well_2中的存储单元是以字线群（word lines groups)WL1、WL2、WL3 与 WL4 以及位线群（bit lines groups)BL1 与 BL2 进行编址。 字线解码器102制作于数据储存装置100中，用以控制字线群WL1、WL2、WL3与WL4。位线 解码器104制作于数据储存装置100中，用以控制位线群BL1与BL2。 特别说明的是，井结构Well_l与Well_2中的次区块共享字线群。具体而言，井结 构Well_l中的次区块Sub_Blockll与井结构Well_2中的次区块Sub_Block21同样由字线 群WL1使能。井结构Well_l中的次区块Sub_Blockl2与井结构Well_2中的次区块Sub_ Block22同样由字线群WL2使能。井结构Well_l中的次区块Sub_Blockl3与井结构Well_2 中的次区块Sub_Block23同样由字线群WL3使能。井结构Well_l中的次区块Sub_Blockl4 与井结构Well_2中的次区块Sub_Block24同样由字线群WL4使能。 此外，同一井结构中的次区块可轮流利用同一位线群。如图所示，井结构Well_l 中的次区块 Sub_Block_ll、Sub_Block_12、Sub_Block_13 以及 Sub_Block_14 皆耦接至位线 群 BL1。井结构 Well_2 中的次区块 Sub_Block_21、Sub_Block_22、Sub_Block_23 以及 Sub_ Block_24皆耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据储存装置，其特征在于，所述装置包括：一第一次区块、以及传递一第一井偏压作该第一次区块偏压的一第一井开关；一第二次区块、以及传递一第二井偏压作该第二次区块偏压的一第二井开关；以及一第一字线群；其中，该第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪希贤，朴应俊，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71