【技术实现步骤摘要】
LED芯片
本技术涉及LED(发光二极光)领域，特别地，涉及一种LED芯片。
技术介绍
LED生产中品质略差的芯片多被用作生产小尺寸的芯片，而且芯片尺寸越做越小。为便于后续裂片工艺中芯片按既定位置破裂，芯片厚度需要通过研磨降低。厚度降低后芯片容易出现破片问题。常用尺寸芯片，以保障紫外切割的良率为目的则芯片厚度一般为80 μ m。80 μ m厚的芯片破片率为6?8%。破片率居高不下，影响了 LED芯片的切割和裂片效率。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种LED芯片，以解决现有技术中LED芯片破片率高的技术问题。 为实现上述目的，根据本技术提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77?83 μ m, LED芯片背面设置有白膜层。 进一步地，白膜层厚度为70?80 μ m。 进一步地，芯片尺寸为7X8mil。 本技术具有以下有益效果: 本技术提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55%。 除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本技术还有其它的目的、特...
【技术保护点】
一种LED芯片，所述LED芯片经研磨后厚度为77～83μm，其特征在于，所述LED芯片背面设置有白膜层；所述白膜层厚度为70～80μm。
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，所述LED芯片经研磨后厚度为77?83 μ m，其特征在于，所述LED芯片背面设置有白膜层...
【专利技术属性】
技术研发人员：马青会，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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