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本实用新型提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77～83μm，LED芯片背面设置有白膜层。本实用新型提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55％。...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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