具有窄激光发射角度的多模垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术的上DBR镜的上高折射率层具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，所述垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ，及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述上高折射率层的中心区的膜厚度；dp为所述上高折射率层的边缘区的膜厚度；n为所述上高折射率层的折射率；及N、M为零或自然数。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种垂直腔面发射半导体激光器，包括一下分布式布拉格反射镜、一上分布式布拉格反射镜以及位于所述下分布式布拉格反射镜和所述上分布式布拉格反射镜之间的用以产生激光的活性层，所述激光从所述上分布式布拉格反射镜发出，其特征在于：所述上分布式布拉格反射镜包括多个交替堆叠的高折射率层和低折射率层，其中一个所述高折射率层为设于所述上分布式布拉格反射镜的激光发射面上的上高折射率层，所述上高折射率层具有一中心区及一边缘区，所述中心区包括位于所述上高折射率层上的一凸点，所述凸点通过所述活性层的中点沿所述上分布式布拉格反射镜的层体层叠方向向所述上分布式布拉格反射镜突出而形成，所述边缘区环绕所述中心区，所述中心区具有相对所述边缘区向所述激光发射的方向突出的一凸起，其中，所述垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ,及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述上高折射率层的中心区的膜厚度；dp为所述上高折射率层的边缘区的膜厚度；n为所述上高折射率层的折射率；及N、M为零或自然数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：玉贯岳正，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81