基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥的基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置（10）中包括将通过加热机构（64）的加热作用在基板（W）的表面生成的挥发性溶剂的液珠吸引除去、对基板（W）的表面进行干燥的吸引干燥机构（65）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
基板处理装置是在半导体等的制造工序中，向晶片或液晶基板等基板的表面供给 处理液，对该基板表面进行处理，之后向基板表面供给超纯水等清洗液对该基板表面进行 清洗，进而将其干燥的装置。在该干燥工序中，由于近年来的伴随半导体的高集成化、高容 量化的微细化，发生例如存储器单元、栅极周围的图案倒塌的问题。这是由图案彼此的间 隔、构造、清洗液的表面张力等引起的。 于是，以抑制上述图案倒塌为目的，提出了使用表面张力比超纯水还小的IPA (2 -丙醇：异丙醇）的基板干燥方法(例如参照专利文献1)，在量产工场等中使用将基板表 面上的超纯水置换为IPA以进行基板干燥的方法。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2008 - 34779号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 但是，半导体的微细化不断发展，即使使用IPA这样的表面张力小的有机溶剂等 液体进行干燥，晶片的微细图案也会由于该液体的表面张力等而倒塌。 例如，在液体不断干燥的过程中，在基板W表面的各部的干燥速度产生不均匀，如 图8 (B)所示，当液体A1残留于一部分的图案P之间时，图案由于该部分的液体A1的表面 张力而倒塌。特别是，残留有液体的部分的图案彼此由于液体的表面张力引起的靠近而发 生弹性变形的倒塌，溶解在该液体中的微少的残渣凝聚，之后当液体完全干燥时，倒塌的图 案彼此由于残渣的存在等而彼此固接。 本专利技术的技术问题在于提供在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥的基 板处理装置和基板处理方法。 用于解决技术问题的技术方案 本专利技术的基板处理装置包括：向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部；向被供 给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的溶 剂供给部；和对被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的加热机构，该基板处理装置中，还包 括将通过加热机构的加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠吸引除去，对基板的 表面进行干燥的吸引干燥机构。 本专利技术的基板处理方法包括：向基板的表面供给清洗液的工序；向被供给有清洗 液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的工序；和对 被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的工序，该基板处理方法中，还包括将通过基板的加 热在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠吸引除去，对基板的表面进行干燥的工序。 专利技术效果 根据本专利技术的，在基板的干燥时能够使表面上的液 体瞬时干燥。 【附图说明】 图1是表示实施例1的基板处理装置的示意图。 图2是表示基板处理装置的基板清洗室的结构的示意图。 图3是表示基板处理装置的基板干燥室的结构的示意图。 图4是表示基板处理装置的基板干燥室的变形例的示意图。 图5是表示实施例2的基板处理装置的示意图。 图6是表示实施例3的基板处理装置的示意图。 图7是表不基板处理装置的变形例的不意图。 图8是表示基板表面的挥发性溶剂的干燥状况的示意图。 附图标记说明 10、100、200基板处理装置 47、117、214清洗液供给部 48、118、215 溶剂供给部 64、121、217 加热机构 65、218吸引干燥机构 67、219吹飞干燥机构 113工作台(基板旋转干燥机构） W 基板 【具体实施方式】 (实施例1)(图1?图4) 如图1所示，实施例1的基板处理装置10设置有基板供排部20、基板保管用缓冲 部30、多个基板清洗室40和在基板保管用缓冲部30所具有的后述的外部专用缓冲部32 中设置的基板干燥室60,在基板供排部20与基板保管用缓冲部30之间设置有输送机械手 11，在基板保管用缓冲部30与基板清洗室40之间设置有输送机械手12。 基板供排部20能够输入、输出多个基板收纳盒21。基板收纳盒21收纳未处理的 晶片或液晶基板等多个基板W，被输入基板供排部20,并且收纳由基板清洗室40和基板干 燥室60处理后的基板W，被从基板供排部20输出。未处理的基板W由输送机械手11从在 基板供排部20内的基板收纳盒21中形成为多层的各收纳架被依次取出，供给到基板保管 用缓冲部30的后述的内部专用缓冲部31 (未图示)，进而由输送机械手12从基板保管用缓 冲部30的内部专用缓冲部31取出，供给到基板清洗室40进行清洗处理。由基板清洗室40 清洗处理后的基板W由输送机械手12从基板清洗室40取出，放入基板保管用缓冲部30的 后述的外部专用缓冲部32,在基板保管用缓冲部30的外部专用缓冲部32内的基板干燥室 60进行干燥处理之后，由输送机械手11取出，依次排出到基板供排部20内的基板收纳盒 21的空的收纳架。装满处理完的基板W的基板收纳盒21被从基板供排部20输出。 基板保管用缓冲部30中，保管未处理的基板W的多个内部专用缓冲部31设置为 形成有多层的架状，并且，保管由基板清洗室40清洗处理后的基板W的多个外部专用缓冲 部32设置为形成有多层的架状。在外部专用缓冲部32的内部如后所述设置有基板干燥室 60。另外，内部专用缓冲部31、外部专用缓冲部32也可以不形成为多层。 如图2所示，基板清洗室40包括：成为处理室的处理箱41 ;设置在该处理箱41内 的杯状部42 ;在该杯状部42内将基板W以水平状态支承的工作台43 ;使该工作台43在水 平面内旋转的旋转机构44 ;和在工作台43的周围升降的溶剂吸引排出部45。并且，基板清 洗室40包括：向工作台43上的基板W的表面供给药液(处理液）的药液供给部46 ;向工作 台43上的基板W的表面供给清洗液的清洗液供给部47 ;供给挥发性溶剂的溶剂供给部48 ; 和控制各部分的控制部50。 处理箱41在周壁的一部分开有基板进出口 41A。基板进出口 41A由闸41B开闭。 杯状部42形成为圆筒形状，从周围包围工作台43将其收纳在内部。杯状部42的 周壁的上部随着向斜上方去直径缩小，并且开口，使得工作台43上的基板W向上方露出。该 杯状部42接受从旋转的基板W落下或飞溅的药液、清洗液。另外，在杯状部42的底部设置 有用于将接受的药液、清洗液排出的排出管(未图示)。 工作台43定位在杯状部42的中央附近，设置为能够在水平面内旋转。该工作台 43包括多个销等支承部件43A，利用这些支承部件43A，能够装卸地保持晶片、液晶基板等 基板W。 旋转机构44包括与工作台43连结的旋转轴和作为使该旋转轴旋转的驱动源的电 机(均未图示）等，利用电机的驱动经由旋转轴使工作台43旋转。该旋转机构44与控制部 50电连接，其驱动由控制部50控制。 溶剂吸引排出部45包括包围工作台43的周围且呈环状地开口的溶剂吸引口 45A。 溶剂吸引排出部45包括使溶剂吸引口 45A升降的升降机构(未图示)，在使溶剂吸引口 45A 位于比工作台43的工作台面更靠下位的位置的待机位置与使溶剂吸引口 45A位于保持在 工作台43的基板W的周围的工作位置之间使溶剂吸引口 45A升降。溶剂吸引口 45A吸引 并接受从基板W上飞散的挥发性溶剂。另外，在溶剂吸引口 4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部；向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的溶剂供给部；和对被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的加热机构，还包括将通过加热机构的加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠吸引除去，对基板的表面进行干燥的吸引干燥机构。

【技术特征摘要】
2013.03.18 JP 2013-054559;2014.02.18 JP 2014-028991. 一种基板处理装置，其特征在于，包括： 向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部； 向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发 性溶剂的溶剂供给部；和 对被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的加热机构， 还包括将通过加热机构的加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠吸引除去， 对基板的表面进行干燥的吸引干燥机构。2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于： 还包括将在所述基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠吹飞除去，对基板的表面进行干 燥的吹飞干燥机构。3. -种基板处理装置，其特征在于，包括： 向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部； 向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发 性溶剂的溶剂供给部；和 对被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的加热机构， 还包括将通过加热机构的加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠吹飞除去， 对基板的表面进行干燥的吹飞干燥机构。4. 如权利要求1?3中...

【专利技术属性】
技术研发人员：林航之介，古矢正明，大田垣崇，长嶋裕次，木名瀬淳，安部正泰，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP