双显示模式液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种双显示模式液晶显示器，其为部分穿透部分反射式液晶显示器，且其包括主动矩阵基板，设置于该主动矩阵基板的上方的上基板，夹设于主动矩阵基板与上基板之间的液晶显示层以及多个以矩阵方式形成在主动矩阵基板与上基板之间的像素。每一像素具有穿透式子像素区及反射式子像素区。所述穿透式子像素区具有第一显示模式，使得分布在穿透式子像素区中的液晶分子具有产生广视角效果的第一配向结构。所述反射式子像素区具有第二显示模式，使得分布在反射式子像素区中的液晶分子具有第二配向结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种液晶显示器，且特别是指一种双显示模式液晶显示器。 双显示模式液晶显示器
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示装置（Liquid Crystal Display,LCD)已广泛地被 应用于各类电子产品，例如笔记本电脑、平板电脑、移动电话以及数码照相机等。 现有半反射半穿透液晶显示器中的各个像素通常会被划分成穿透式子像素区以 及反射式子像素区。于穿透式子像素区中，背光模块产生的光线会经由配置穿透式子像素 区的液晶偏转方式来调节光相位差以控制穿透的光量。而于反射式子像素区，由外部入射 并经由反射式子像素区反射的外界环境光线，则会通过配置反射式子像素区的液晶偏转方 式来调节光相位差，以控制反射的光量。 典型半反射半穿透液晶显示器虽可同时改善反射型显示器于环境照明不足时亮 度过低以及穿透型显示器于室外日光照射下影像淡化的缺点，降低背光源的电源耗用量。 然而由于穿透式子像素区与反射式子像素区均采用相同的液晶显示模式，例如皆为扭转型 (Twisted Nematic)液晶配向结构或者是皆为垂直排列型（Vertically Aligned)液晶配向 结构，故穿透式子像素区与反射式子像素区中一般会具有相同液晶排列方式与同一配向结 构（alignment structure)。但上述液晶配向结构在穿透式子像素区，其液晶显示模式都受 限，如视角不佳，进而无法达到全视角、广视角的效果。 具体来说，一般半反射半穿透液晶显示器较好的液晶配向模式为反射式电控双折 射模式（Reflective Electrically Controlled Birefringence，RTN)或是所谓的扭转型 液晶配向结构。而现有扭转型液晶配向结构于倾斜方向会有漏光现象，故于正面及倾斜方 向观视时会依观视角度不同而产生明暗及对比度变化，因此具有较差视角的缺点。而一般 制做反射式子像素区时，为显示效果好通常会将反射式子像素区做成常白状态（normally white)，并会加设光学补偿膜来增强黑状态的效果，增加黑状态的视角。因此，于半反射半 穿透液晶显示器，会于穿透式子像素区与反射式子像素区同时于加设光学补偿模。然而所 述光学补偿模一般仅能辅助于正面方向，于倾斜角度另会有漏光，致使穿透式子像素区的 黑状态不够黑， 据此，半反射半穿透液晶显示器于操作于穿透模式显示模式下，无法呈现广视角 显示效果，甚至会比传统穿透式液晶显示器的显示对比效果更差，降低穿透式的视角，进而 无法达到全视角、广视角的效果。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的，即在提供一种在穿透模式下具有广视角效果的双显示模式 液晶显示器。 为达上述目的，本专利技术实施例提供一种双显示模式液晶显示器，所述双显示模式 液晶显示器包括主动矩阵基板、上基板、液晶显示层以及多个以矩阵方式形成在该主动矩 阵基板与该上基板之间的像素。所述上基板设置于主动矩阵基板的上方，而所述液晶显示 层夹设于主动矩阵基板与上基板之间。每一像素至少具有第一区域与第二区域。所述第 一区域至少具有一穿透式子像素区，而所述第二区域至少具有一反射式子像素区。穿透式 子像素区具有一第一显示模式，并反射式子像素区具有一第二显示模式。第一显示模式 是穿透式垂直排列配向模式（Vertically Aligned)、多域分割排列模式（Multi-Domain Aligned)、横向电场模式（In Plane Switching)、边际电场切换模式（Fringe Field Switching)或表面增强电场模式（Surface Enhanced Fringe Field)。所述第二显不 模式是反射式扭转排列模式（Reflective Twisted Nematic)、反射式电控双折射模式 (Reflective Electrically Controlled Birefringence)、混合扭转排列模式（Mixed mode Twisted Nematic)、反射式光学补偿模式（Reflective Optical Compensation)或反射式 垂直配向排列模式（Reflective Vertically Aligned)。 在本专利技术其中一个实施例中，上述第一显不模式是横向电场模式、边际电场切换 模式或表面增强电场模式时，所述上基板的下表面另分散布设多个条分别延伸穿越相对应 列的该等像素的共电极，且该共电极不位于第一区域之该上基板的下表面，而仅位于第二 区域之上基板的下表面。 在本专利技术其中一个实施例中，上述第一显不模式是横向电场模式、边际电场切换 模式或表面增强电场模式时，各该像素在主动矩阵基板上具有位于穿透式子像素区的第一 次电极，且在透明基板上表面上与第一次电极相错开地位置设有第一共电极。各该像素另 具有位于反射式子像素区的第二次电极，且位于反射式子像素区的上基板的下表面设有第 二共电极。所述第一共电极与该第二共电极电耦接，其中第一次电极与该第二次电极形成 一像素电极。所述第一共电极与该部分像素电极之间是以一绝缘层相阻隔。所述第一共电 极呈梳状或栅状、环绕状或弯曲状，并包含位于该部分像素电极一侧的一电极线以及多个 由该电极线朝该部分像素电极中心区域延伸的弯曲电极线。 在本专利技术其中一个实施例中，上述第一液晶显示层是水平排列的正型液晶或负型 液晶或是垂直排列的负型液晶，且上述第二液晶显示层是水平排列的正型液晶或负型液晶 或是垂直排列的负型液晶。 在本专利技术其中一个实施例中，上述每一该像素中该第一区域至少具有第一伽玛穿 透率灰阶-电压转换曲线。上述第二区域至少具有第二伽玛反射率灰阶-电压转换曲线。 在本专利技术其中一个实施例中，上述第一伽玛穿透率灰阶-电压转换曲线与第二伽 玛反射率-灰阶-电压转换曲线为反向的曲线。 在本专利技术其中一个实施例中，上述第一显示模式的驱动电路与上述第二显示模式 的驱动电路还包含点反转（Dot inversion)、线反转（line inversion)驱动或图框反转 (frame inversion)驱动。 综上所述，本专利技术实施例提供一种双显示模式液晶显示器，此双显示模式液晶显 示器通过在每一像素的穿透式子像素区布设广视角的液晶配向结构，使得双显示模式液晶 显示器操作在穿透模式时，能增加可视角度进而达到广视角的功效和目的。 为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说 明与附图，但是此说明与所附图式仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利要求范围作任 何的限制。 【附图说明】 图1是本专利技术一实施例提供的双显示模式液晶显示器的像素侧面的剖视示意 图，其中显示穿透式子像素区是采用多域分割垂直排列（Vertically Aligned)配向结 构，其中显示反射式子像素区是采用反射式垂直配向排列模式（Reflective Vertically Aligned),或是所谓的反式扭转型排列（Inversed Twisted Nematic)配向结构； 图2是本专利技术一实施例提供的双显示模式液晶显示器的局部像素的具体电路示 意图； 图3是本专利技术另一实施例提供的双显示模式液晶显示器的像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双显示模式液晶显示器，其特征在于包括：一主动矩阵基板；一上基板，设置于该主动矩阵基板的上方；一液晶显示层，夹设于该主动矩阵基板与该上基板之间；及多个以矩阵方式形成在该主动矩阵基板与该上基板之间的像素，每一该像素至少具有一第一区域与一第二区域；该第一区域至少具有一穿透式子像素区，该第二区域至少具有一反射式子像素区，且该穿透式子像素区具有一第一显示模式、该反射式子像素区具有一第二显示模式，其中该第一显示模式是穿透式垂直排列配向模式、多域分割排列模式、横向电场模式、边际电场切换模式或表面增强电场模式；该第二显示模式是反射式扭转排列模式、反射式电控双折射模式、混合扭转排列模式、反射式光学补偿模式或反射式垂直配向排列模式。

【技术特征摘要】
1. 一种双显示模式液晶显示器，其特征在于包括： 一主动矩阵基板； 一上基板，设置于该主动矩阵基板的上方； 一液晶显示层，夹设于该主动矩阵基板与该上基板之间；及 多个以矩阵方式形成在该主动矩阵基板与该上基板之间的像素，每一该像素至少具有 一第一区域与一第二区域；该第一区域至少具有一穿透式子像素区，该第二区域至少具有 一反射式子像素区，且该穿透式子像素区具有一第一显示模式、该反射式子像素区具有一 第二显示模式，其中该第一显示模式是穿透式垂直排列配向模式、多域分割排列模式、横向 电场模式、边际电场切换模式或表面增强电场模式；该第二显不模式是反射式扭转排列模 式、反射式电控双折射模式、混合扭转排列模式、反射式光学补偿模式或反射式垂直配向排 列模式。2. 如权利要求1所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一显示模式是穿透式 垂直排列配向模式、多域分割排列模式、横向电场模式、边际电场切换模式或表面增强电场 模式，该第一显示模式包含两个分别设于该主动矩阵基板的上表面与该上基板的下表面， 且对应于该穿透式子像素区的一第一配向膜结构，以使夹设于其间的液晶分子形成一第一 液晶显示层；该第二显示模式是反射式扭转排列、反射式电控双折射、混合扭转排列、反射 式光学补偿或反射式垂直配向，该第二显示模式主要包含两个分别设于该主动矩阵基板的 上表面与该上基板的下表面，且对应于该反射式子像素区的一第二配向膜结构，以使夹设 于其间的液晶分子形成一第二液晶显示层。3. 如权利要求2所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一液晶显示层是水平 排列的正型液晶或负型液晶或是垂直排列的负型液晶，且该第二液晶显示层是水平排列的 正型液晶或负型液晶或是垂直排列的负型液晶。4. 如权利要求2所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一配向膜结构以及该 第二配向膜结构为同一材料，且所述材料为高分子聚合物。5. 如权利要求2所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一配向结构具有一第 一配向方向，使该第一配向结构上的液晶分子沿该第一配向方向上有序排列，而该第二配 向结构具有一第二配向方向，使该第二配向结构上的液晶分子沿该第二配向方向上有序排 列，其中该第一配向方向与该第二配向方向是同一配向方向或夹一特定角度配向方向或垂 直配向方向。6. 如权利要求1所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一显示模式是横向电 场模式、边际电场切换模式或表面增强电场模式时，该上基板的下表面另分散布设多条分 别延伸穿越相对应列的多个该像素的共电极，该共电极不位于该第一区域的该上基板的下 表面，而仅位于该第二区域的该上基板的下表面。7. 如权利要求1所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一显示模式是横向电 场模式、边际电场切换模式或表面增强电场模式时，各该像素在该主动矩阵基板上具有位 于该穿透式子像素区的一第一次电极，且在该主动矩阵基板的一透明基板上表面上与该第 一次电极相错开地位置设有一第一共电极，各该像素另具有位于该反射式子像素区的一第 二次电极，且位于该反射式子像素区的上基板的下表面设有一第二共电极，且该第一共电 极与该第二共电极电耦接，其中该第一次电极与该第二次电极形成一像素电极，其中该第 一共电极与该部分像素电极之间是以一绝缘层相阻隔；该第一共电极呈梳状或栅状、环绕 状或弯曲状，并包含位于该部分像素电极一侧的一电极线以及多个由该电极线朝该部分像 素电极中心区域延伸的弯曲电极线。8. 如权利要求7所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该第一显示模式具有由该 液晶显示层、该主动矩阵基板的该第一共电极以及该像素电极的弯曲电场形成的一第一液 晶电容；该第二显示模式具有由该液晶显示层、该上基板的该第二共电极、该主动矩阵基板 的该像素电极的电场形成的一第二液晶电容，且每一该像素中的该第一区域至少具有一第 一储存电容，并该第二区域至少具有一第二储存电容，其中该第一液晶电容及该第一储存 电容与该第二液晶电容及该第二储存电容相关，其公式如下：其中clel表不该第一液晶电容的电容值；Cstl表不该第一储存电容的电容值；cle2表不 该第二液晶电容的电容值；cst2表示该第二储存电容的电容值。9. 如权利要求8所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于每一该像素中该第一区域 至少具有一第一伽玛穿透率-灰阶-电压转换曲线或一第一对照表；该第二区域至少具有 一第二伽玛反射率-灰阶-电压转换曲线或一第二对照表。10. 如权利要求9所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于且该第一伽玛穿透率-灰 阶-电压转换曲线与该第二伽玛反射率-灰阶-电压转换曲线为反向的曲线。11. 如权利要求6所述的双显示模式液晶显示器，其特征在于该主动矩阵基板具有多 条扫描线以及多条与...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鸿达，
申请(专利权)人：刘鸿达，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71