一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器，包括介质、短路负载、GIS内导体、传感电极、接地电感、外壳和输出电缆口，所述介质包绕着所述传感电极，所述外壳包绕着所述介质，所述接地电感连接所述传感电极，所述传感电极下侧设置有接地三通，所述短路负载贯通于所述接地三通内部，所述输出电缆口包覆着所述短路负载的一侧，所述GIS内导体位于所述传感电上部，所述传感电极与所述GIS内导体之间设有分布电容C1，所述传感电极与所述外壳之间设有分布电容C2，所述电容C1和电容C2串联后接地。本发明专利技术的有益效果为：结构精巧紧凑，工作稳定可靠，安装容易，等效高度高于普通产品。

【技术实现步骤摘要】
一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器
本专利技术涉及传感器
，尤其涉及一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器。
技术介绍
目前所见到的GIS（地理信息系统）局部放电检测所用的传感器都是等角螺旋天线或对数周期天线，由在FR4材料上敷铜皮的印刷电路板做成。这种天线有频带宽,制造简单的特点,但设有着等效高度偏低，椭圆极化长短轴差较大导致方向选择性较强，整体安装连接件多，可靠性差，传感器（天线）接地困难等明显弱点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，以克服目前现有技术设有的上述不足。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现：一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器，包括介质、短路负载、GIS内导体、传感电极、外壳和输出电缆口，所述介质包绕着所述传感电极，所述外壳包绕着所述介质，所述传感电极连接有接地电感，所述传感电极下侧设置有接地三通，所述短路负载贯通于所述接地三通内部，所述输出电缆口包覆着所述短路负载的一侧，所述GIS内导体位于所述传感电极上部；所述传感电极与所述GIS内导体之间设有分布电容C1，所述传感电极与所述外壳之间设有分布电容C2，所述电容C1和电容C2串联后接地。进一步的，所述介质为陶瓷介质。进一步的，所述传感电极在二维面上结构对称。进一步的，所述介质、所述传感电极、所述外壳与所述接地三通以同一对称轴成对称结构。进一步的，所述传感电极为圆板形传感电极。进一步的，对地的高频放电电压降落在所述电容C1和电容C2上。进一步的，所述传感电极取出所述电容C2上的高频电压，经一端口直流接地三通从所述输出电缆口输出。本专利技术的有益效果为：结构精巧紧凑，工作稳定可靠，安装容易，等效高度高于普通产品。附图说明下面根据附图对本专利技术作进一步详细说明。图1是本专利技术实施例所述的GIS局部放电检测内置电容耦合传感器结构示意图；图2是本专利技术实施例所述的等效电路结构示意图。图中：1、介质；2、短路负载；3、GIS内导体；4、传感电极；5、接地电感；6、外壳；7、输出电缆口；8、接地三通；9、放电电源。具体实施方式如图1-2所示，本专利技术所述一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器，包括介质1、短路负载2、GIS内导体3、传感电极4、外壳6和输出电缆口7，所述介质1包绕着所述传感电极4，所述外壳6包绕着所述介质1，所述传感电极4连接有接地电感5，所述传感电极4下侧设置有接地三通8，所述短路负载2贯通于所述接地三通8内部，所述输出电缆口7包覆着所述短路负载2的一侧，所述GIS内导体位于所述传感电极4上部；所述介质1为陶瓷介质；所述传感电极4在二维面上结构对称，所述介质1、所述传感电极4、所述外壳6与所述接地三通8以同一对称轴成对称结构，所述传感电极4为圆板形传感电极；所述传感电极4与所述GIS内导体3之间设有分布电容C1，所述传感电极4与所述外壳6之间设有分布电容C2，所述电容C1和电容C2串联后接地，对地的高频放电电压降落在所述电容C1和电容C2上，所述传感电极4取出所述电容C2上的高频电压，经一端口直流接地三通从所述输出电缆口7输出。具体使用时，在高压环境下，传感器的附近空间形成电位梯度，不同距离形成的电压也不同，本专利技术等效电路有三个端口，当一个端口上接短路负载时，根据散射参数和矩阵理论调整短路负载2与接地三通8中心之间的电长度，可保证电路在另外两个端口之间的直接传输，从而实现整个传感器的直流接地。实践证明，这种接地方法是目前最可靠的接地方式。同时，由于陶瓷体在高压下有稳定的介电常数，通过选择陶瓷体的高度（相当一段同轴短截线），可实现阻抗匹配。同时，由于传感电极4在二维面结构上对称，因而不必判断电磁波可能极化的方向，设备安装无方向选择性。选择性地，当GIS设备容量较小时，为了节省成本，可不使用接地三通8。选择性地，根据不同容量的GIS，可将本专利技术所述的电容耦合传感器制成不同规格和结构，在整个频带内平均等效高度相对于等角螺旋和对数周期传感器提高25%。本专利技术不局限于上述最佳实施方式，任何人在本专利技术的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案，均落在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器，包括介质（1）、短路负载（2）、GIS内导体（3）、传感电极（4）、外壳（6）和输出电缆口（7），其特征在于：所述介质（1）包绕着所述传感电极（4），所述外壳（6）包绕着所述介质（1），所述传感电极（4）连接有接地电感（5），所述传感电极（4）下侧设置有接地三通（8），所述短路负载（2）贯通于所述接地三通（8）内部，所述输出电缆口（7）包覆着所述短路负载（2）的一侧，所述GIS内导体位于所述传感电极（4）上部；所述传感电极（4）与所述GIS内导体（3）之间设有分布电容C1，所述传感电极（4）与所述外壳（6）之间设有分布电容C2，所述电容C1和电容C2串联后接地。

【技术特征摘要】
1.一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器，包括介质（1）、短路负载（2）、GIS内导体（3）、传感电极（4）、外壳（6）和输出电缆口（7），其特征在于：所述介质（1）包绕着所述传感电极（4），所述外壳（6）包绕着所述介质（1），所述传感电极（4）连接有接地电感（5），所述传感电极（4）下侧设置有接地三通（8），所述短路负载（2）贯通于所述接地三通（8）内部，所述输出电缆口（7）包覆着所述短路负载（2）的一侧，所述GIS内导体位于所述传感电极（4）上部；所述传感电极（4）与所述GIS内导体（3）之间设有分...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙志锐，
申请(专利权)人：宁波理工监测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33