【技术实现步骤摘要】
双晶纵波斜探头
本技术涉及超声波探头
，尤其涉及一种双晶纵波斜探头。
技术介绍
为了确保超声波检测的可靠性，选择良好的探头是关键。双晶探头的结构是两个 单探头的组合，一个用于发射一个用于接收，发射电脉冲不进入接收电路，因此不受探伤仪 器放大器的阻塞影响，可以探测近表面缺陷。收发探头都有各自的延迟块，而且两个延迟块 的声束入射平面均带一倾角，倾角的大小则取决于要探测区域距探测面的深度。 双晶探头有一个声能集中区，利用这一特点，可提高须探测区内的缺陷探测灵敏 度。探头的晶片对声波传输有极大的影响，由于晶片的声阻抗和延迟块的声阻抗差别较大， 会影响探头检测的精度，影响测量效果，因此需要解决该问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：为了提高检测精度，本技术提供一种双晶 纵波斜探头。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种双晶纵波斜探头，包括屏 蔽外壳，屏蔽外壳内并排设置有左楔块和右楔块，所述的左楔块和右楔块之间设置有隔声 层，左楔块和右楔块的底面为水平面，上表面为斜面，左楔块和右楔块的上表面上分别设置 有左声阻抗匹配层和右声阻抗匹配层，左声阻抗匹配层和右声阻抗匹配层上分别设置有左 晶片和右晶片，左晶片和右晶片的底部还设置有金箔，屏蔽外壳上还设置有分别与左晶片 和右晶片对应的发射探头和接收探头，所述发射探头内的芯线柱引出有与左晶片底部金箔 连接的第一导线，发射探头的外壳引出有与左晶片上表面连接的第二导线，所述的第一导 线和第二导线之间并联有左电感，所述接收探头内的芯线柱引出有与右晶片底部金箔连接 的第三导线...
【技术保护点】
一种双晶纵波斜探头，其特征在于：包括屏蔽外壳（1），屏蔽外壳（1）内并排设置有左楔块（2）和右楔块（3），所述的左楔块（2）和右楔块（3）之间设置有隔声层（4），左楔块（2）和右楔块（3）的底面为水平面，上表面为斜面，左楔块（2）和右楔块（3）的上表面上分别设置有左声阻抗匹配层（5）和右声阻抗匹配层（6），左声阻抗匹配层（5）和右声阻抗匹配层（6）上分别设置有左晶片（7）和右晶片（8），左晶片（7）和右晶片（8）的底部还设置有金箔，屏蔽外壳（1）上还设置有分别与左晶片（7）和右晶片（8）对应的发射探头（9）和接收探头，所述发射探头（9）内的芯线柱（91）引出有与左晶片（7）底部金箔连接的第一导线（92），发射探头（9）的外壳引出有与左晶片（7）上表面连接的第二导线（93），所述的第一导线（92）和第二导线（93）之间并联有左电感（10），所述接收探头内的芯线柱引出有与右晶片底部金箔连接的第三导线，接收探头的外壳引出有与右晶片上表面连接的第四导线，所述的第三导线和第四导线之间并联有右电感。
【技术特征摘要】
1. 一种双晶纵波斜探头，其特征在于：包括屏蔽外壳（1)，屏蔽外壳（1)内并排设置有 左楔块（2)和右楔块（3)，所述的左楔块（2)和右楔块（3)之间设置有隔声层（4)，左楔块 (2)和右楔块（3)的底面为水平面，上表面为斜面，左楔块（2)和右楔块（3)的上表面上分别 设置有左声阻抗匹配层（5)和右声阻抗匹配层（6)，左声阻抗匹配层（5)和右声阻抗匹配层 (6)上分别设置有左晶片（7)和右晶片（8)，左晶片（7)和右晶片（8)的底部还设置有金箔， 屏蔽外壳（1)上还设置有分别与左晶片（7)和右晶片（8)对应的发射探头（9)和接收探头...
【专利技术属性】
技术研发人员：周南岐，王钲清，
申请(专利权)人：常州市常超电子研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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