ESD保护电路制造技术

本发明专利技术涉及ESD保护电路，提出一种装置，该装置具有定义有装置区域的基板。该装置区域包含具有晶体管的ESD保护电路。该晶体管包含具有第一和第二侧的栅极、邻近该栅极的该第一侧而设置的第一扩散区域、以及离开该栅极的该第二侧的第二扩散区域。该装置包含涵盖该装置区域的第一装置井、及设置于该第一装置井内的第二装置井。该第二装置井涵盖该第一扩散区域和至少一部分该栅极。该装置也包含设置在该第二装置井内的第三井、以及涵盖该第二扩散区域并且延伸至该栅极下方的漏极井。

【技术实现步骤摘要】
ESD保护电路
本专利技术是关于一种ESD保护电路。
技术介绍
传统的侧向扩散型金属氧化物半导体(LDMOS)是在高电压制程中作为ESD保护装置，然而，LDMOS在本质上具有一些不良特性，例如，强突返效应(snapbackeffect)或基极推出(basepushout)，其会负向地影响或降低其ESD效能。这些负向特性影响集成电路的操作，并进而使其产生缺陷。
技术实现思路
本专利技术是关于一种精巧型ESD保护装置，其具有良好的ESD效能，并因此能避免内部电路的损坏，且与此同时具有高闩锁免疫性(latchupimmunity)。实施例大致上是关于半导体装置。在一个实施例中，揭露一种装置。该装置包含定义有装置区域的基板。该装置区域包含具有晶体管的ESD保护电路。该晶体管包含具有第一和第二侧的栅极、邻近该栅极的该第一侧的第一扩散区域、以及离开该栅极的该第二侧的第二扩散区域。该第一和第二扩散区域包含第一极性的掺质。该装置包含涵盖该装置区域的第一装置井、以及设置在该第一装置井内的第二装置井。该第二装置井涵盖该第一扩散区域和至少一部分该栅极，而没有涵盖该第二扩散区域。该装置进一步包含设置于该第二装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：基板，定义有装置区域，该装置区域包括具有晶体管的ESD保护电路，其中，该晶体管包含：栅极，具有第一和第二侧，第一扩散区域，邻近该栅极的该第一侧，以及第二扩散区域，离开该栅极的该第二侧，其中，该第一和第二扩散区域包括第一极性的掺质；涵盖该装置区域的第一装置井及设置于该第一装置井内的第二装置井，其中，该第二装置井涵盖该第一扩散区域及至少一部分该栅极，而没有涵盖该第二扩散区域；第三井，设置于该第二装置井内；以及漏极井，涵盖该第二扩散区域并延伸至该栅极下方。

【技术特征摘要】
2013.03.14 US 61/781,265;2013.08.15 US 13/967,3721.一种半导体装置，包括：基板，定义有装置区域，该装置区域包括具有晶体管的ESD保护电路，其中，该晶体管包含：栅极，具有第一和第二侧，第一扩散区域，邻近该栅极的该第一侧，以及第二扩散区域，离开该栅极的该第二侧，其中，该第一和第二扩散区域包括第一极性的掺质；涵盖该装置区域的第一装置井及设置于该第一装置井内的第二装置井，其中，该第二装置井涵盖该第一扩散区域及至少一部分该栅极，而没有涵盖该第二扩散区域；第三井，设置于该第二装置井内；漏极井，涵盖该第二扩散区域并延伸至该栅极下方，其中，该漏极井与该第三井接触；以及硅化物挡件，设置于该栅极的顶表面并延伸至该第二扩散区域上方。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：该第一装置井包括该第一极性的掺质；以及该第二装置井和该第三井包括第二极性的掺质。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一极性包括n型，而该第二极性包括p型。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三井涵盖至少该第一扩散区域和一部分该栅极。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第三井的宽度窄于该第二装置井的宽度。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该漏极井包括该第一极性的掺质。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该第一极性包括n型。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该漏极井宽于该第三井。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三井的第一边在邻近该栅极的该第一侧的装置隔离区域的底部下方，而该第三井的第二边则在该栅极的该第一和第二侧下方和之间。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该第二装置井的第一边在邻近该栅极的该第一侧的该装置隔离区域的该底部下方，而该第二装置井的第二边则在该栅极的该第二侧与该漏极井的第一侧下方和之间，并且其中，该第三井的该第二边与该第二装置井的该第二边分隔距离DO。11.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖大伟，李明，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG