【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多结太阳能电池的半成品以及制造多结太能电池的方法
本专利技术涉及一种根据专利权利要求1的前序部分所述的多结太阳能电池的半成品以及一种根据专利权利要求9的前序部分所述的用于制造太阳能电池的方法。
技术介绍
由US4774194已知了一种用于借助于选择的化学腐蚀过程使基于III-V族的太阳能电池层从载体衬底脱离的方法。此外,由US4883561以及由US2010/0116784A1已知了用于基于化学腐蚀过程将半导体层从该半导体层的载体衬底分离的方法。由US5374564已知了这种借助于离子注入方法对半导体层的分离。此外,由DE19649594A1以及US6071795已知了用于分离半导体材料(特别是基于具有大带间隙的衬底的III族氮化物的LED层)的方法。此外,由US7785989B2已知了一种其他的太阳能电池结构。
技术实现思路
在这种
技术介绍
下,本专利技术的任务在于,给出一种改进现有技术的装置。该任务通过一种具有专利权利要求1所述特征的多结太阳能电池的半成品以及通过一种根据专利权利要求9的前序部分所述的用于制造太阳能电池的方法来解决。本专利技术的有利的构造方案是从属权利要求的主题。根据本专利技术的第一主题提供了一种多结太阳能电池的半成品,该半成品具有:构造为第一子太阳能电池的半导体本体,该半导体本体具有第一带隙;构造为第二子太阳能电池的半导体本体,该半导体本体具有第二带隙,其中,第一半导体本体和第二半导体本体构造成与隧道二极管进行材料锁合地连接,并且第一带隙构造为不同于第二带隙;构造为衬底层的第一载体材料,其中,在第一载体材料和第一子太阳能电池之间构造有牺牲层 ...
【技术保护点】
一种多结太阳能电池(10)的半成品,其具有:‑一构造为第一子太阳能电池的半导体本体(40),所述半导体本体具有第一带隙,‑一构造为第二子太阳能电池的半导体本体(50),所述半导体本体具有第二带隙,其中,所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)与一隧道二极管材料锁合连接,并且所述第一带隙构造为不同于所述第二带隙,‑一构造为衬底层(20)的第一载体材料,并且在所述第一载体材料和所述第一子太阳能电池之间构造有牺牲层(30),其特征在于:‑所述衬底层(20)构造为GaAs衬底或者InP衬底或者Ge衬底,并且‑所述牺牲层(30)具有第三带隙,其中,所述第三带隙小于所述第一带隙并且小于所述第二带隙,并且‑所述第三带隙小于1.2eV,并且‑包括所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)的堆叠构造为对于以红外波长范围入射的电磁辐射是透明的,并且‑所述牺牲层(30)具有处于红外光谱范围内的吸收带,从而使得穿过所述堆叠入射的电磁能量仅仅在所述牺牲层中被吸收,以便在破坏所述牺牲层的情况下将所述第一载体材料从所述第一半导体本体去除。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.20 EP 12000386.81.一种多结太阳能电池(10)的半成品,其具有:-一构造为第一子太阳能电池的第一半导体本体(40),所述第一半导体本体具有第一带隙,-一构造为第二子太阳能电池的第二半导体本体(50),所述第二半导体本体具有第二带隙,其中,所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)与一隧道二极管材料锁合连接,并且所述第一带隙构造为不同于所述第二带隙,-一构造为衬底层(20)的第一载体材料,并且在所述第一载体材料和所述第一子太阳能电池之间构造有牺牲层(30),其特征在于:-所述衬底层(20)构造为GaAs衬底或者InP衬底或者Ge衬底,并且-所述牺牲层(30)具有第三带隙,其中,所述第三带隙小于所述第一带隙并且小于所述第二带隙,并且-所述第三带隙小于1.2eV,为了使得由所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)所形成的堆叠能在脱离后机械稳定,在所述第二半导体本体(50)上形成承载层(100),并且-包括所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)的堆叠以及所述承载层(100)构造为对于以红外波长范围入射的电磁辐射是透明的,并且-所述牺牲层(30)具有处于红外光谱范围内的吸收带,从而使得穿过所述堆叠和所述承载层(100)入射的电磁能量仅仅在所述牺牲层中被吸收,以便在破坏所述牺牲层的情况下将所述第一载体材料从所述第一半导体本体去除。2.根据权利要求1所述的半成品,其特征在于,所述牺牲层(30)具有与所述第一子太阳能电池的晶格常数不同的晶格常数。3.根据权利要求1所述的半成品,其特征在于,所述牺牲层(30)与所述第一子太阳能电池是晶格相匹配的。4.根据前述权利要求中任一项所述的半成品,其特征在于,所述衬底层(20)具有带间隙:该带间隙具有小于1.5eV的能量。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半成品,其特征在于,在所述牺牲层(30)和所述第一子太阳能电池之间构造有缓冲层,并且所述缓冲层具有与所述第一子太阳能电池的材料锁合连接。6.根据权利要求5所述的半成品,其特征在于,所述缓冲层构造为布拉格反射镜。7.一种用于制造多结太阳能电池(...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·富尔曼,
申请(专利权)人:阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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