一种晶体硅太阳能电池的加工方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池的加工方法，有如下步骤：将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结；最后将所得电池片进行高温退火。该方法对电池片中的微缺陷进行了有效修复的同时可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高，可使短路电流密度提高0.01-1mA/cm2，开路电压提高0.5-5mV，转化效率提高0.01-0.3%；另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生产实践价值，增强企业的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，有如下步骤：将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结；最后将所得电池片进行高温退火。该方法对电池片中的微缺陷进行了有效修复的同时可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高，可使短路电流密度提高0.01-1mA/cm2，开路电压提高0.5-5mV，转化效率提高0.01-0.3%；另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生产实践价值，增强企业的竞争力。【专利说明】-种晶体硅太阳能电池的加工方法
本专利技术涉及太阳能电池制作
，具体涉及一种晶体硅太阳能电池的加工方 法。
技术介绍
在各种太阳电池中，晶体硅电池一直占据着最重要的地位。近年来，在晶体硅太阳 电池提高效率和降低成本方面取得了巨大成就和进展，进一步提高了它在未来光伏产业中 的优势地位。 氮化硅薄膜作为传统的晶体硅太阳能电池钝化减反膜，其性能的变化直接影响 电池的转化效率。目前，无论从生产方还是使用方，对晶体硅电池片的极化效应（PID)的 关注越来越多。2011年7月NREL在其发表的文章 ((System Voltage Potential Induced Degradation Mechanisms in PV Modules and Methods for Test))中对 PID 进行了详细的说 明（1)。目前PID现象已被更多的人所了解，并有越来越多的研究机构和组件制造商对其进 行了深入的研究和发表文章 。PID Free被许多组件厂和电池厂作为卖点之一，许多光伏组 件用户也开始只接受PID Free的组件。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述问题提供的，将硅片 进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背 铝、烧结；最后将所得电池片进行高温退火。该方法对电池片中的微缺陷进行了有效修复的 同时可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这 样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高，可使短路电流密度提高0.01-lmA/cm2，开路 电压提高0. 5-5mV,转化效率提高0. 01-0. 3% ;另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗 PID的能力，具有重大的生产实践价值,增强企业的竞争力。 本专利技术的采用的技术方案，步骤包括： (1)将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正 反面电极和背铝、烧结； (2)将步骤1所得电池片进行高温退火。 步骤（2)中所述的高温退火是将电池片放入退火炉中，通入保护气，在高温条件下 保持一段时间。 退火炉内的温度为100-1000°C，在高温条件下保持时间为5-60分钟。 进一步的，退火炉内的温度为100-600°C。 优选的，退火炉内的温度为100-500°C。 进一步的，在高温条件下保持时间为20-40分钟. 优选的，在高温条件下保持时间为30-40分钟 所述的保护气为氨气、硅烷、氢气、氮气中的一种。【权利要求】1. ，步骤包括： (1)将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正 反面电极和背铝、烧结； (2)将步骤1所得电池片进行高温退火。2.根据权利要求1所述的，其特征在于：步骤（2) 中所述的高温退火是将电池片放入退火炉中，通入保护气，在高温条件下保持一段时间。3.根据权利要求2所述的，其特征在于：退火炉内 的温度为100-1000。。。4.根据权利要求2所述的，其特征在于：退火炉内 的温度为100-600°C。5.根据权利要求2所述的，其特征在于：退火炉内 的温度为100-500°C。6.根据权利要求2所述的，其特征在于：在高温条 件下保持时间为5-60分钟。7.根据权利要求2所述的，其特征在于：在高温条 件下保持时间为20-40分钟。8.根据权利要求2所述的，其特征在于：在高温条 件下保持时间为30-40分钟。9.根据权利要求2所述的，其特征在于：所述的保 护气为氢气、氨气、娃烧、氮气中的一种。【文档编号】H01L31/18GK104051571SQ201410251454【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月9日 优先权日:2014年6月9日 【专利技术者】任现坤, 姜言森, 贾河顺, 马继磊, 张春艳, 徐振华, 王光利, 尹兰超, 黄国强 申请人:山东力诺太阳能电力股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的加工方法，步骤包括：（1）将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结；（2）将步骤1所得电池片进行高温退火。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任现坤，姜言森，贾河顺，马继磊，张春艳，徐振华，王光利，尹兰超，黄国强，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37