一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构制造技术

本发明专利技术公开了一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构，属于压力/差压变送器系列产品的领域。其特征是：在一对正压侧基座和负压侧基座中间设置中心膜片，且在其上端固定连接件、垫块及硅传感器和硅传感器中心的硅片；正压侧基座和负压侧基座的侧端及上、下端等处设置有多个正、负压侧引压孔及引压孔中的硅油；正、负压侧基座的外端波纹面外固定有隔离膜片；正、负压侧基座的下端设置有紧定螺钉和密封钢球。本发明专利技术的结构能够有效地解决了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏。同时，本发明专利技术具有结构简单，使用方便，工作安全和稳定等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构
本专利技术涉及压力/差压变送器系列产品，具体说是一种保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的结构。
技术介绍
随着科技的进步使用新技术新材料制造的工业自动化产品的大量涌现，利用单晶硅的压阻效应制作的压力/差压变送器就是其中之一。该压力/差压变送器采用了单晶硅的压阻转换电信号的检测方式，将作用在硅传感元件正压腔和负压腔的压力变化，使设置在单晶硅表层的桥臂电阻发生变化量，经压力/差压变送器上的低功耗电子电路转换成与被测压力/差压量相对应的4-20mA电流信号及数字显示。由于工业场合使用的压力/差压变送器的测量介质本身的静态压力或过载压力，有可能大大超过单晶硅本身所能承受的压力，造成单晶硅的损坏。因此要提供一种既能真实传导检测介质的压力又要保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的结构，已成为当务之亟
技术实现思路
为了克服现有产品的缺陷，本专利技术的目的是要提出结构简单，使用方便，工作安全和稳定的一种保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的结构。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构，其特征是：有一对排列在一起的正压侧基座和负压侧基座，正压侧基座与负压侧基座的内端波纹面之间设置有中心膜片，中心膜片与正压侧基座及负压侧基座的内端波纹面外周界固定在一起，正压侧基座和负压侧基座的上端固定有连接件，正压侧基座和负压侧基座的中间上端设置有垫块，垫块上端固定有硅传感器，硅传感器下端中心设置有硅片；垫块中设置有垫块正压腔引压孔，正压侧基座中设置有上正压腔引压孔、中上正压腔引压孔、中正压腔引压孔、下正压腔引压孔及正压腔灌油孔，上正压腔引压孔一端通垫块正压腔引压孔、另一端与中上正压腔引压孔一端相通，中上正压腔引压孔另一端通向正压侧基座的内端波纹面，中正压腔引压孔一端通向正压侧基座的内端波纹面、另一端通向正压侧基座的外端波纹面，下正压腔引压孔一端通向正压侧基座的内端波纹面、另一端通向正压侧基座的外端波纹面，正压腔灌油孔一端通向下正压腔引压孔、另一端通向正压侧基座的下端；负压侧基座的中间设置有负压腔灌油孔、下负压腔引压孔、中负压腔引压孔、中上负压腔引压孔及上负压腔引压孔，负压腔灌油孔一端通向下负压腔引压孔、另一端通向负压侧基座的下端，下负压腔引压孔一端通向负压侧基座的内端波纹面、另一端通向负压侧基座的外端波纹面，中负压腔引压孔一端通向负压侧基座的内端波纹面、另一端通向负压侧基座的外端波纹面，中上负压腔引压孔一端通向负压侧基座的内端波纹面、另一端与上负压腔引压孔的一端相通，上负压腔引压孔的另一端通向硅传感器与连接件缝隙；硅传感器内设置有上端负压腔引压孔及中端负压腔引压孔，上端负压腔引压孔一端通向硅传感器与连接件缝隙、另一端与中端负压腔引压孔的一端相通，中端负压腔引压孔另一端通向硅片的负压侧受压面；正压腔引压孔、正压腔灌油孔和负压腔引压孔、负压腔灌油孔中间设置有硅油；正压侧基座和负压侧基座的外端波纹面外固定有隔离膜片；正压侧基座和负压侧基座的下端设置有紧定螺钉，紧定螺钉中心上端设置有密封钢球。所述的正压侧基座与负压侧基座的内端波纹面外周界相互固定，且正压侧基座和负压侧基座内与隔离膜片轴向垂直的引压孔方向一致及紧定螺钉方向一致。所述的硅片的正压受压面与垫块正压腔引压孔相通，硅片的负压受压面与硅传感器内设置的中端负压腔引压孔相通。所述的正压侧基座与负压侧基座的基座外端波纹面与隔离膜片之间、引压孔内、两基座内端波纹面与中心膜片之间及硅传感器与连接件缝隙之间设置有硅油。本专利技术在正压侧基座中心及内部设置有正压侧引压孔的基座外端波纹面外固定有隔离膜片；负压侧基座中心及内部设置有负压侧引压孔的基座外端波纹面外固定有隔离膜片；两基座内与隔离膜片轴向垂直的引压孔上方的基座外周固定有连接件；两基座上方的基座内周固定有垫块，且垫块正压腔引压孔与上正压腔引压孔相通；垫块上面固定有硅传感器；硅传感器内与垫块之间固定有硅片；硅传感器上面外周界固定在螺纹连接件上。本专利技术的基座、隔离膜片、中心膜片、垫块、硅传感器、连接件为金属材料。本专利技术的所有正压腔引压孔、负压腔引压孔、波纹面是由机械加工完成的。本专利技术的硅油是经高温高真空下处理过的硅油灌注的。本专利技术的固定方法是由焊接固定的。本专利技术的有益效果是：由于本专利技术解决了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的结构。当正常待测介质的压力作用于两边隔离膜片上，一边经正压侧基座内的硅油传递到硅片的正压受压面，另一边经负压侧基座内的硅油传递到硅片的负压受压面。当待测介质的压力超出压力/差压变送器正常测量的压力时，正压侧基座、负压侧基座两边的隔离膜片会贴住正压侧基座、负压侧基座中心的引压孔，这样就阻隔了压力的传递，也就实现了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的结构。附图说明以下结合附图及实施例对本专利技术进行进一步的描述。图1是本专利技术的结构视图。图中：1连接件，2、6、8、9、10、20、21焊道，3硅传感器，4硅片，5垫块正压腔引压孔、32上正压腔引压孔、11中上正压腔引压孔、15中正压腔引压孔、17下正压腔引压孔、33正压腔灌油孔、7垫块，12正压侧基座，13中心膜片，14、28硅油，16、25隔离膜片，18、23密封钢球，19、22紧定螺钉，24下负压腔引压孔、26中负压腔引压孔、29中上负压腔引压孔、30上负压腔引压孔、31上端负压腔引压孔、34负压腔灌油孔、35中端负压腔引压孔、27负压侧基座。实施例1：有一对排列在一起的正压侧基座12和负压侧基座27，正压侧基座与负压侧基座的内端波纹面之间设置有中心膜片13，中心膜片与正压侧基座及负压侧基座的内端上、下的波纹面外周界固定在一起，正压侧基座和负压侧基座的上端固定有连接件1，正压侧基座和负压侧基座的中间上端设置有垫块7，垫块上端固定有硅传感器3，硅传感器下端中心设置有硅片4；垫块中间设置有垫块正压腔引压孔5，正压侧基座中间设置有上正压腔引压孔32、中上正压腔引压孔11、中正压腔引压孔15、下正压腔引压孔17；负压侧基座的中间设置有下负压腔引压孔24、中负压腔引压孔26、中上负压腔引压孔29、上负压腔引压孔30；硅传感器中间设置有上端负压腔引压孔31、中端负压腔引压孔35；正压侧引压孔中间设置有硅油14，负压侧引压孔中间设置有硅油28；正压侧基座的外端波纹面外固定有隔离膜片16，负压侧基座的外端波纹面外固定有隔离膜片25；正压侧基座的下端设置有正压腔灌油孔33、紧定螺钉19，负压侧基座的下端设置有负压腔灌油孔34、紧定螺钉22，紧定螺钉中心上端设置有密封钢球18和23。本实施例附图中加黑部分为焊道分别为2、6、8、9、10、20、21。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构。其特征是：有一对排列在一起的正压侧基座和负压侧基座，正压侧基座与负压侧基座的内端波纹面之间设置有中心膜片，中心膜片与正压侧基座及负压侧基座的基座的内端波纹面外周界固定在一起；正压侧基座和负压侧基座的上端固定有连接件，正压侧基座和负压侧基座的中间上端设置有垫块，垫块上端固定有硅传感器，硅传感器下端中心设置有硅片；正压侧基座和垫块中心设置有正压侧引压孔，正压侧基座中间设置有上、中、下三个正压侧引压孔；负压侧基座的中间设置有下、中、上三个负压侧引压孔，负压侧基座的上端设置有负压侧引压孔；硅传感器中间设置有负压侧引压孔；正压侧引压孔和负压侧引压孔中间设置有硅油；正压侧基座和负压侧基座的外端波纹面外固定有隔离膜片；正压侧基座和负压侧基座的下端设置有紧定螺钉，紧定螺钉中心上端设置有密封钢球。

【技术特征摘要】
1.一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构，其特征是：有一对排列在一起的正压侧基座和负压侧基座，正压侧基座与负压侧基座的内端波纹面之间设置有中心膜片，中心膜片与正压侧基座及负压侧基座的内端波纹面外周界固定在一起；正压侧基座和负压侧基座的上端固定有连接件，正压侧基座和负压侧基座的中间上端设置有垫块，垫块上端固定有硅传感器，硅传感器下端中心设置有硅片；垫块中设置有垫块正压腔引压孔，正压侧基座的中间设置有上正压腔引压孔、中上正压腔引压孔、中正压腔引压孔、下正压腔引压孔和正压腔灌油孔；负压侧基座的中间设置有负压腔灌油孔、下负压腔引压孔、中负压腔引压孔、中上负压腔引压孔和上负压腔引压孔；硅传感器中间设置有上端负压腔引压孔和中端负压腔引压孔；正压腔引压孔、正压腔灌油孔和负压腔引压孔、负压腔灌油孔中间设置有硅油；正压侧基座和负压侧基座的外端波纹面外固定有隔离膜片；正压侧基座和负压侧基座的下端设置有紧定螺钉，紧定螺钉中心上端设置有密封钢球。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张惠益，
申请(专利权)人：福建上润精密仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35