本发明专利技术涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。【专利说明】欠溶液中将所述光致抗蚀剂显影，以在所述:蚀剂然后可以作为掩模用于在基材上的后I:蚀剂的基材经常具有复杂的隐埋的形貌。堆叠物含有被图案化并提供芯片垂直和平之它们的组合。将在这样的多层堆叠物上的抗蚀剂层内形成正确聚焦和记录的潜像。光系统具有自动对焦调平传感器系统以在该调平传感器系统使用入射垂直对准光束(寸准光束撞击在该基材上并被从基材反射。妾收，以检测介于光致抗蚀剂表面和曝光透以得到最佳曝光焦点。奢况中，所述垂直对准光束亦从所述多层堆二和第三反射光可能会干扰常规反射的垂不当的2高度调整导致聚焦误差，使光刻:用于在将集成半导体晶片图案化中正确的的部分来将所述图案化的特征转移至该材:为“在另一元件上”或“在另一元件上方”认存在介于其间的元件。相反，当一个元件今一元件上方”时，不存在介于其间的元件。的隐埋的形貌(例如多层堆叠物)时，用于反射，亦被从下方的多层堆叠物反射，导致:可以干扰来自光致抗蚀剂层的常规反射的角。为了解决这个问题，本专利技术提供了用于VII？吸收层的犯I？吸收膜组合物。特别地，I子和可交联阴离子的吸收染料、可交I'效的阻断能力。此外，一个吸收述可交联聚合物和/或其他吸收染料1的阴离子部分与聚合物和丨或其他[尺吸巨(例如对润湿溶剂和/或光致抗蚀剂浇注【权利要求】1.一种用于光刻法的近红外线(NIR)吸收膜组合物，其包含: 具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料: 可交联聚合物:及 交联剂。2.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子为单价有机酸阴离子。3.权利要求2的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团。4.权利要求3的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子包括芳族基团。5.权利要求4的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子具有以下结构: 6.权利要求5的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子选自下组: 7.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述聚甲炔阳离子具有以下结构: 8.权利要求7的NIR吸收膜组合物，其中所述聚甲炔阳离子选自下组: 9.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述NIR吸收染料在500纳米和1200纳米之间具有至少一个吸收峰。10.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联聚合物包括具有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团的单体单元。11.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其进一步包含酸产生剂。12.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其进一步包含浇注溶剂。13.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述NIR吸收膜组合物为抗反射层组合物。14.一种在基材上形成图案化的特征的方法，所述方法包括：在基材上提供材料层； 在该材料层上由NIR吸收膜组合物形成NIR吸收层，其中该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物及交联剂； 在所述NIR吸收层上形成光致抗蚀剂层； 通过感测从含有NIR吸收层和光致抗蚀剂层的所述基材反射的近红外线发射来对准和聚焦所述光致抗蚀剂层的焦点平面位置； 使所述光致抗蚀剂层图案化地暴露于辐射；和 选择性地除去所述光致抗蚀剂层的一部分，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的特征。15.权利要求14的方法，其中所述可交联阴离子为单价有机酸阴离子。16.权利要求15的方法，其中所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚，氨基或亚胺基基团。17.权利要求16的方法，其中所述可交联阴离子包括芳族基团。18.权利要求17的方法，其中所述可交联阴离子具有以下结构: 19.权利要求18的方法，其中所述可交联阴离子选自下组: 20.权利要求14的方法，其中所述聚甲炔阳离子具有以下结构: 21.权利要求20的方法，其中所述聚甲炔阳离子系选自下组: 22.权利要求14的方法，其中所述NIR吸收染料在500纳米和1200纳米之间具有至少一个吸收峰。23.权利要求14的方法，其中所述可交联聚合物包括具有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团的单体单元。24.权利要求14的方法，其中所述NIR吸收膜组合物进一步包含酸产生剂。25.权利要求14的方法，其中所述NIR吸收层为抗反射层。26.权利要求14的方法，其进一步包括通过蚀刻或离子注入所述材料层的暴露的部分来将所述图案化的特征转移至该材料层。【文档编号】G03F7/11GK104040429SQ201280061534 【公开日】2014年9月10日 申请日期:2012年12月13日 优先权日:2011年12月14日【专利技术者】D·戈德法布, M·格洛德, W·S·黄, 金生刚, W·K·李, 野田和美, 大桥正树, 橘诚一郎 申请人:国际商业机器公司, 信越化学工业株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于光刻法的近红外线(NIR)吸收膜组合物，其包含：具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料：可交联聚合物：及交联剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·戈德法布，M·格洛德，W·S·黄，金生刚，W·K·李，野田和美，大桥正树，橘诚一郎，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：美国;US
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