【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂用聚合物以及含有该聚合物的抗蚀剂组合物
本专利技术涉及利用光刻技术形成图案而有用的抗蚀剂用聚合物以及含有该聚合物的抗蚀剂组合物。
技术介绍
近来,光刻(lithography)技术正在积极进行采用ArF浸没式光刻技术(immersion)的大批量制造(HVM、high volumn manufacturing),主要进行实现 50nm 以下线宽的技术开发。特别是,作为用于实现30nm线宽的接触孔(contact hole)图案的方法,正在积极进行反转显影(NTD、negative-tone development)研究。反转显影(NTD、negative-tone development)是为了印刷临界暗场层,通过光掩模(bright fileld mask)得到优良的图像品质的图像反转技术。NTD抗蚀剂通常利用含有酸不稳定性基团(acid-labile group)和光酸发生剂(photoacid generator)的树脂。NTD抗蚀剂在光化福射(actinic radiation)下曝光,则光酸发生剂形成酸,曝光后烘焙期间该酸阻断酸不稳定性基团,因此导致曝光区域的极性转换。其结果,抗蚀剂的曝光区域与未曝光区域之间溶解度存在差异,抗蚀剂未曝光区域被特定有机显像剂如酮类、酯类或者醚类有机显影剂消除,因此,保留了由于不溶性曝光区域而生成的图案。由于这种特定的作用机理,将常规的193nm光致抗蚀剂适用于NTD抗蚀剂的情况,会引发特定的问题。作为其一例,显影后的光致抗蚀剂图案,相比于曝光前抗蚀剂层,其厚度损失很多,因而,在后续蚀刻的时候,抗蚀剂图 ...
【技术保护点】
一种抗蚀剂用聚合物,其为含有羟基的金刚烷基(甲基)丙烯酸酯的均聚物,上述均聚物中羟基部分或全部被缩醛基取代。
【技术特征摘要】
2013.02.22 KR 10-2013-00191861.一种抗蚀剂用聚合物,其为含有羟基的金刚烷基(甲基)丙烯酸酯的均聚物,上述均聚物中羟基部分或全部被缩醛基取代。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂用聚合物,其中, 上述抗蚀剂用聚合物具有下述化学式I的结构: [化学式I] 3.根据权利要求1所述的抗蚀剂用聚合物,其中, 上述抗蚀剂用聚合物选自由下述化学式Ia至Ie的化合物所组成的组中, 4.根据权利要求1所述的抗蚀剂用聚合物,其中, 上述抗蚀剂用聚合物通过凝胶渗透色谱法(gel permeation chromatography:GPC)聚苯乙烯换算的重均分子量为1000~100000g/mol。5.根据权利要求1所述的抗蚀剂用聚合物,其中, 上述抗蚀剂用聚合物的分子量分布,即重均分子量与...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱炫相,金三珉,裴昌完,任铉淳,
申请(专利权)人:锦湖石油化学株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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