一种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其工艺流程包括：单晶硅激光开槽、制绒并对其清洗、正面扩散形成PN结、选择性发射极形成以及去背结和磷硅玻璃、正面镀减反射膜、电极制作，传统刻槽埋栅电池的制作基础上，对电极制备做了改进，在开槽用选择性发射极和喷墨打印技术相结合，喷墨打印既改善了金属电极空洞问题，也解决了金属材料与硅材料结合难的问题，同时通过选择性发生极的制作，晶体硅正面获得了低表面浓度，提高了电池的受光区域（非金属化区域）蓝光响应，减少了遮光面积，增加了光生电流，能更好的收集硅片产生的电流，同时在金属与硅片之间形成良好的欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
—种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池制造领域，具体是晶体硅太阳能电池正面低表面浓度的刻槽埋栅技术以及背钝化技术。
技术介绍
在煤炭石化燃料使用日趋广泛，环境污染日益严重的背景下，利用太阳能这一清洁可再生能源发电，已被当作解决全球性空气污染，温室效应以及化石燃料枯竭等问题的对策，受到世界各国的青睐。然而较高的生产成本制约着其应用范围，故通过提高发电效率实现降本增效成为各生产厂家迫在眉睫的问题。刻槽埋栅这一技术具有金属栅线遮光面积小，接触电阻损失小，较高电流收集效率等优点在未来光伏技术应用中具有一定的优势地位。目前传统的刻槽埋栅电池电极的制作主要是化学镀镍的基础上再镀铜，化学镀镍属于自催化反应，对硅片表面状态以及镀液体系的稳定性要求极高，存在过程控制较难，镀层极不均匀，而电镀铜存在槽内空洞镀不满，与镍层接触差且等现象，这系列问题导致电池接触电阻高，电性能较差且镀层与硅材料结合力差使得电极容易脱落等问题，制约着埋栅技术的推广和应用。因此，研究出一种有效提高金属材料与硅材料结合性能，降低电池接触电阻的P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法是目前太阳能电池制造领域需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其特征在于：其工艺流程包括：单晶硅激光开槽、制绒并对其清洗、正面扩散形成PN结、选择性发射极形成以及去背结和磷硅玻璃、正面镀减反射膜、电极制作。

【技术特征摘要】
1.一种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其特征在于:其工艺流程包括:单晶硅激光开槽、制绒并对其清洗、正面扩散形成PN结、选择性发射极形成以及去背结和磷硅玻璃、正面镀减反射膜、电极制作。2.根据权利要求1所述的一种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其特征在于:具体步骤包括: (a)单晶硅激光开槽选择电阻率为0.3 Q.cnTlO Ω.cm的P型硅片，在激光的脉冲能量为0.05uJ~0.8uJ，频率为50ΚΗζ~5000ΚΗζ的条件下，采用ns激光器在P型硅片衬底一侧按照电极图形开槽，槽宽为5um~50um,槽深为10um~100um,槽间距为0.5mm ; (b)制绒并对其清洗 用浓度为0.5%~2%的氢氧化钠溶液在75V~85°C时对P型单晶硅表面进行化学腐蚀，制备出三角形的陷光结构绒面，然后将浓度为10%~12%的盐酸和89TlO%氢氟酸混合后对绒面进行清洗，除去表面杂质； (c)正面扩散形成PN结 在温度为600-900°C的扩散炉中，采用POCl3进行磷扩散，使P型晶体硅的扩散面方阻为20-60 Ohm/sq ;或者先在开槽面注入磷源，使离子束能量达到8_15keV、离子注入量为7*15cm_2后，将P型硅片送入温度为800-1000°C的退火炉中退火，退火的同时对离子注入时损伤的硅表面进行修复；退火后的P型晶体硅方阻为20-60 Ohm/sq,形成PN结； (d)去背结、边结以及磷硅玻璃 用喷头在P型晶体硅的开槽部位喷上5-50um宽的掩膜，在单面刻蚀的设备中，采用浓度为5-15%氢氟酸和浓度为50-70%的硝酸混合溶液在室温条件下，刻蚀P型硅片的背表面和边缘，然后再对硅片前表面喷洒12%氢氟酸和...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海平，高艳涛，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32