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本发明公开了一种P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其工艺流程包括：单晶硅激光开槽、制绒并对其清洗、正面扩散形成PN结、选择性发射极形成以及去背结和磷硅玻璃、正面镀减反射膜、电极制作，传统刻槽埋栅电池的制作基础上，对电极制备做了改进，在开槽用...
该专利属于奥特斯维能源（太仓）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥特斯维能源（太仓）有限公司授权不得商用。

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