【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子照相用构件、处理盒和电子照相设备
本专利技术涉及一种用于电子照相图像形成设备(以下称作电子照相设备)的电子照相用构件和处理盒，以及电子照相设备。
技术介绍
大量用于电子照相设备的充电设备采用接触充电法，该方法中通过向与电子照相感光构件的表面接触或邻近设置的电子照相用构件，即充电构件，施加电压使电子照相感光构件的表面带电。在此方法中，通常向充电构件仅施加DC电压或在DC电压上叠加AC电压的电压。为了稳定地进行接触充电，将用于调节导电性的导电剂添加至充电构件中。导电剂的实例包括电子导电剂如炭黑，和离子导电剂如季铵盐。如果用于接触充电的充电构件长期保持与电子照相感光构件接触的状态，那么在充电构件与电子照相感光构件的接触部产生不易恢复的变形，即所谓压缩永久变形(以下称作“C永久变形”)。如果将导电性构件放置在高温高湿环境中，则变形量变得更加显著。当使用离子导电剂作为导电性构件用导电剂时，离子导电剂不均匀地分布在具有C永久变形的部分(以下称作“C永久变形部”)中，由此，C永久变形部的电阻值变化。结果，在C永久变形部与非C永久变形部间产生电阻值的差。由于C永久变形部与非C永久变形部之间变形量和电阻值的差，导致充电构件的充电能力存在差异。从而，有时会导致在对应于C永久变形部的位置具有条纹状不均匀的电子照相图像(以下称作“C永久变形图像”)。日本专利申请特开2006-189894和日本专利申请特开H07-121009描述了包含具有特定季铵盐或季铵碱的聚合物的充电构件的实例。引用文献列表专利文献PTLl:日本专利申请特开2006-189894PTL2:日本专利申...
【技术保护点】
一种电子照相用构件，其包括表面层，其中，所述表面层包含具有下式(1)所示结构的改性聚硅氧烷：其中，在式(1)中，G表示具有由(‑O‑C2H4‑)表示的氧化乙烯链的二价基团；R1表示选自由下式(2)和(3)所示基团组成的组的基团；L表示至少具有SiO4/2(Q)单元或SiO3/2(T)单元的聚硅氧烷；和R2表示选自由下式(4)和(5)所示单价基团组成的组的单价基团：其中，在式(2)中，j和k各自独立地表示0或1；R3表示二价连接基团；符号“*”表示与由L表示的聚硅氧烷中的硅原子的结合部位；和符号“***”表示与由G表示的氧化乙烯链中的氧原子的结合部位，其中，在式(3)中，p1、p2和q各自独立地表示0或1；R6表示二价连接基团；符号“*”表示与由L表示的聚硅氧烷中的硅原子的结合部位；和符号“***”表示与由G表示的氧化乙烯链中的氧原子的结合部位，其中，在式(5)或式(6)中，R7、R8、R10、R12和R14各自独立地表示氢原子、具有1‑10个碳原子的烷基、苯基、具有1‑10个碳原子的烷氧基或苯氧基；R9、R11和R13各自独立地表示二价连接基团；和符号“**”表示与由L表示的聚硅氧烷中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.14 JP 2011-2735631.一种电子照相用构件，其包括表面层，其中，所述表面层包含具有下式(I)所示结构的改性聚硅氧烷: 2.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中，所述式(I)的Rl为由所述式(2)表示的基团，在所述式(2)中，j为O或l，k为1，和由R3表示的二价连接基团具有由下式(6)表示的结构:3.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中所述式(I)的Rl为由所述式(2)表示的基团，和在所述式⑵中，j为l，k为O。4.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中所述式(I)的Rl为由所述式(3)表示的基团，和在所述式⑶中，P为l，q为1，和R6具有由下式(7)表示的结构: 5.根据权利要求1-4任意一项所述的电子照相用构件，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷口智士，黛博志，八木泽勇介，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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