高TG无卤LOW Dk/Df覆铜板的制作方法技术

技术编号:10368400 阅读:246 留言:0更新日期:2014-08-28 11:45
本发明专利技术公开了高TG无卤LOW Dk/Df覆铜板的制作方法,其步骤为一、配置胶液:采用改性多官能基磷系环氧树脂/胺类固化体系,加入邻甲酚型环氧树脂、双酚A型氰酸脂树脂,再加入固化剂、固化促进剂及无机填料;用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中任一一种或一种以上的组合物作为溶剂配制胶液;二、上胶:采用低介电常数的NE玻纤布作为增强材料,浸以上述制得的胶液,通过立式上胶机制得B阶段半固化片;三、叠合、热压:将上好胶的半固化片整齐叠合,经真空热压机压制成型;通过本发明专利技术的方法制得的无卤覆铜板,其TG值>170℃,且还具备低介电常数、介质损耗特殊性能,Df值<3.8,Df值<0.07,可以完全满足制作高频、高速线路板的需求,其制作的基本同时还具备极佳的耐热性、热裂分解温度等优良性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及覆铜板领域,尤其涉及一种适用于高频电路板的。
技术介绍
继欧盟及中国大陆的有害物质限制指令ROHS陆续实施后,包含铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯与多溴二苯醚等物质已不得用于制造电子产品或其组件;绿色和平组织(Green Peace)现阶段大力推动的绿化政策,要求所有的制造商完全排除其电子产品中的溴系阻燃剂及聚氯乙烯,以符合兼具无铅及无卤素的绿色电子。但目前还是有很多电路板行业会使用含溴化合物,因为溴化阻燃剂阻燃效果优良,且成本较低;齒化物在着火燃烧时,会释放出大量毒性大、腐蚀性强的齒化氢气体,此气体不但污染环境,也会对人体健康造成一定损害,且碳氢化合物在存在溴和氯的情况下,在低温不完全燃烧过程中会产生二噁英等剧毒物质。随着高密度安装SMT技术的发展,以及PCB无铅焊接的要求,在PCB加工和整机安装配件中,受热冲击的反复次数比传统的通孔插装多,所以只有提高板材的玻璃化温度才能使可靠性有所保障和提高,在产品寿命期出现的PCB可靠性失效对客户来说显得越来越重要;低Tg的无卤覆铜板更容易引起CAF失效,CAF是由铜丝沿着玻璃纤维或树脂接口迁移形成的,会在相邻的导体间产生内部电气短路,这对高密度电路板的设计来说是一个很严重问题。现今信息技术飞速发展,各类具有高速信息处理功能的电子消费品已是日常生活中不可或缺的关键部分,军用领域应用的无线通讯和宽频技术也迅速向民用消费电子领域转移,今后电子信息通讯的主要核心将是往高频、高速方向发展;在高频技术持续发展的今天,从传统IGHZ以下的频率发展发展至2GHZ、3GHZ、6GHZ及高频率,覆铜板作为电子产品的重要组成部分之一,其介电常数(Dk)和介损耗因子(Df)就成为了应用在高频领域所关注的重中之重两项性能指标。电路板必须耐燃,在一定温度下不能燃烧,只能软化。这时的温度点就叫做玻璃态转化温度(TG点),这个值关系到PCB板的尺寸安定性。目前在印制电路板行业,其多数无卤覆铜板的TG值均在150°C左右,介电常数(Dk) > 4.5、介质损耗(Df) > 0.12,此类板材不适用于制作高频线路板。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于高频电路板的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法。为了实现上述目的,本专利技术提供的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法,其步骤为:配置胶液一上胶一叠合、热压;胶液成分包括:采用改性多官能基磷系环氧树脂/胺类固化体系,加入邻甲酚型环氧树脂、双酚A型氰酸脂树脂,再加入固化剂、固化促进剂及无机填料;用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中任一一种或一种以上的组合物作为溶剂配制;上胶:选取介电常数为4.0~4.5的NE-玻纤布作为增强材料,浸以上述制得的胶液,经立式上胶机烘干制得B阶段半固化片;叠合、热压:将上好胶的半固化片整齐叠合,双面覆以铜箔,经真空热压机热压成型。在一些实施方式中,胶液中各成分重量份为:本文档来自技高网
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【技术保护点】
高TG无卤LOW Dk/Df覆铜板的制作方法,其步骤为:配置胶液——上胶——叠合、热压;其特征在于,所述胶液成分包括:采用改性多官能基磷系环氧树脂/胺类固化体系,加入邻甲酚型环氧树脂、双酚A型氰酸脂树脂,再加入固化剂、固化促进剂及无机填料;用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中任一一种或一种以上的组合物作为溶剂配制;上胶:选取介电常数为4.0~4.5的NE‑玻纤布作为增强材料,浸以上述制得的胶液,经立式上胶机烘干制得B阶段半固化片;叠合、热压:将上好胶的半固化片整齐叠合,双面覆以铜箔,经真空热压机热压成型。

【技术特征摘要】
1.高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法,其步骤为:配置胶液——上胶——叠合、热压; 其特征在于,所述胶液成分包括:采用改性多官能基磷系环氧树脂/胺类固化体系,加入邻甲酚型环氧树脂、双酚A型氰酸脂树脂,再加入固化剂、固化促进剂及无机填料;用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中任一一种或一种以上的组合物作为溶剂配制; 上胶:选取介电常数为4.0~4.5的NE-玻纤布作为增强材料,浸以上述制得的胶液,经立式上胶机烘干制得B阶段半固化片; 叠合、热压:将上好胶的半固化片整齐叠合,双面覆以铜箔,经真空热压机热压成型。2.根据权利要求1所述的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法,其特征在于,所述胶液中各成分重量份为: 3.根据权利要求2所述的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法,其特征在于,所述改性多官能基磷系环氧树脂为环氧当量330~350的多官能基磷系环氧树脂;所述改性多官能基磷系环氧树脂中磷含量为2.6%。4.根据权利要求2所述的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制作方法,其特征在于,所述邻甲酚型环氧树脂为环氧当量200~220的邻甲酚型环氧树脂。5.根据权利要求2所述的高TG无卤LOWDk/Df覆铜板的制...

【专利技术属性】
技术研发人员:包晓剑罗光俊
申请(专利权)人:南通诺德电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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