【技术实现步骤摘要】
—种自适应电平的通信接口适配电路
[0001 ] 本专利技术涉及一种通信接口适配电路，具体说是涉及一种自适应电平的通信接口适配电路。
技术介绍
常用通信接口可分为两种，电压型和电流型。电压型有UART、IIC总线、lwire、LIN总线、SPI等；电流型有:RS-485，CAN总线等。电流型通信设备可以独立供电，不要求统一的参考电压；而电压型通信设备不仅要求统一的参考电压，而且对电压的大小也有严格的要求，否则就会影响通信的可靠性。针对这个问题，申请号200910047872.2公开了一种“两个不通电源系统之间的双向传输接口电路”，利用较低的成本，使得高电平能有效传输。使用该电路需要满足以下两点=(I)VCCl电压应小于VCC2，否则M2会带着Ml导通，使得端口I电平被拉低，导致通信失败；(2)如果VCC2断电，会有电流从端口 I流向端口 2，一方面引起端口 I电平变低，影响了端口 I与其它端口的通信，另一方面让接到端口 2的设备存在灌电流导致关不死的问题。该专利虽然解决了两个不通电源系统之间的双向传输，使得高电平能有效传输，但对于不同的应用场合，工作电压V...
【技术保护点】
一种自适应电平的通信接口适配电路，其特征是：通信接口适配电路由N沟道增强型MOS场效应管Q1、N沟道增强型MOS场效应管Q2、上拉电阻R1、上拉电阻R2、工作电源VCC1、工作电源VCC2组成，其中上拉电阻R1一端与工作电源VCC1相连，上拉电阻R1另一端与N沟道增强型MOS场效应管Q1的源极相连；上拉电阻R2一端与工作电源VCC2相连；N沟道增强型MOS场效应管Q1的栅极与工作电源VCC1相连，N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极与N沟道增强型MOS场效应管Q2的漏极相连；N沟道增强型MOS场效应管Q2的栅极与工作电源VCC2相连；N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极与N...
【技术特征摘要】
1.一种自适应电平的通信接口适配电路，其特征是:通信接口适配电路由N沟道增强型MOS场效应管Ql、N沟道增强型MOS场效应管Q2、上拉电阻R1、上拉电阻R2、工作电源VCC1、工作电源VCC2组成，其中上拉电阻Rl —端与工作电源VCCl相连，上拉电阻Rl另一端与N沟道增强型MOS场效应管Ql的源极相连；上拉电阻R2 —端与工作电源VCC2相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟达，吴允平，蔡声镇，李汪彪，
申请(专利权)人：福建师范大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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