【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种通信接口适配电路。电路由N沟道增强型MOS场效应管Q1、N沟道增强型MOS场效应管Q2、上拉电阻R1、上拉电阻R2、工作电源VCC1、工作电源VCC2组成。其中上拉电阻R1分别与VCC1、Q1的源极相连;上拉电阻R2分别与VCC2、Q2的源极相连;Q1的栅极与VCC1相连,Q1的漏极与Q2的漏极相连;Q2的栅极与VCC2相连;Q1的漏极与Q2的漏极相连。采用本电路,不仅具有免判断工作电压大小进行接口电平的自适应适配,而且还具有断电隔离作用,使用更加灵活。【专利说明】
本技术涉及一种通信接口适配电路,具体说是涉及一种自适应电平的通信接 口适配电路。 -种自适应电平的通信接口适配电路
技术介绍
常用通信接口可分为两种,电压型和电流型。电压型有UART、IIC总线、lwire、LIN 总线、SPI等;电流型有:RS-485, CAN总线等。电流型通信设备可以独立供电,不要求统一 的参考电压;而电压型通信设备不仅要求统一的参考电压,而且对电压的大小也有严格的 要求,否则就会影响通信的可靠性。针对这个问题,申请号2009 ...
【技术保护点】
一种自适应电平的通信接口适配电路,其特征是:通信接口适配电路由N沟道增强型MOS场效应管Q1、N沟道增强型MOS场效应管Q2、上拉电阻R1、上拉电阻R2、工作电源VCC1、工作电源VCC2组成,其中上拉电阻R1一端与工作电源VCC1相连,上拉电阻R1另一端与N沟道增强型MOS场效应管Q1的源极相连;上拉电阻R2一端与工作电源VCC2相连;N沟道增强型MOS场效应管Q1的栅极与工作电源VCC1相连,N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极与N沟道增强型MOS场效应管Q2的漏极相连;N沟道增强型MOS场效应管Q2的栅极与工作电源VCC2相连;N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极与N ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:苏伟达,吴允平,蔡声镇,李汪彪,
申请(专利权)人:福建师范大学,
类型:新型
国别省市:福建;35
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