【技术实现步骤摘要】
一种光纤耦合半导体激光器
本技术涉及激光
，尤其涉及一种光纤耦合半导体激光器。
技术介绍
目前高亮度半导体激光器激光功率，单芯片条可达30W，未来也许可达上百瓦，其发光区面积也达到I X 100 μ m至毫米量级。为了得到更高功率、高亮度半导体激光输出，通常采用半导体激光bar条来提高输出的激光功率和亮度。但是bar条结构芯片成直线排布方式，不能将能量集中在一起。为了得到更高亮度的激光输出，通常是将bar条输出的激光用光纤耦合后再将光纤重新排布，得到光强随意分布的激光输出，且使得装配更为简易。目前半导体激光器bar条结构的光纤耦合，因为空间原因，大多采用透镜或透镜组分别将bar条上每个发光芯片的光聚焦到一根光纤中，然后将光纤末端进行捆扎或按照某种方式进行排布来获得高亮度、高功率激光输出。但是激光bar条的LD芯片发光面一般为矩形，发出的激光一个方向为单横模，另一个方向为多横模，若用单模光纤耦合，其耦合效率极低，输出光功率损耗严重。若用多模光纤耦合，虽然耦合效率有所提高，但是破坏了激光快轴方向基横模的传输特性，影响了输出激光的亮度。
技术实现思路
...
【技术保护点】
一种光纤耦合半导体激光器，包括依光路设置的LD芯片阵列、耦合系统和光纤阵列，所述光纤阵列包括多根并排的耦合光纤，其输入端与所述LD芯片阵列的各LD芯片发光面一一对应；其特征在于：所述耦合光纤包括横截面为矩形或跑道形状的带状纤芯和横截面也为矩形或跑道形状的带状包层，带状纤芯的横截面窄方向传播单横模激光，宽方向传播多横模激光；所述各LD芯片发出的激光快轴方向为基横模、慢轴方向为多横模输出，经耦合系统后，快轴方向的基横模耦合到耦合光纤带状纤芯的窄方向上，慢轴方向的多横模耦合到带状纤芯的宽方向上；各耦合光纤输出端面根据需求排列。
【技术特征摘要】
1.一种光纤耦合半导体激光器，包括依光路设置的LD芯片阵列、耦合系统和光纤阵列，所述光纤阵列包括多根并排的耦合光纤，其输入端与所述LD芯片阵列的各LD芯片发光面一一对应；其特征在于:所述耦合光纤包括横截面为矩形或跑道形状的带状纤芯和横截面也为矩形或跑道形状的带状包层，带状纤芯的横截面窄方向传播单横模激光，宽方向传播多横模激光；所述各LD芯片发出的激光快轴方向为基横模、慢轴方向为多横模输出，经耦合系统后，快轴方向的基横模耦合到耦合光纤带状纤芯的窄方向上，慢轴方向的多横模耦合到带状纤芯的宽方向上；各耦合光纤输出端面根据需求排列。2.如权利要求1所述光纤耦合半导体激光器，其特征在于:所述耦合系统包括微柱面透镜阵列和光纤...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，孙正国，贺坤，柏天国，
申请(专利权)人：福州高意通讯有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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