【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及加热装置,尤其涉及。
技术介绍
目前,超音频感应加热技术以高效,清洁,环保等众多优点而迅速在能源行业得到大力推广。它符合环保和可持续发展方针,是绿色环保型加热工艺之一。传统超音频感应加热装置主要应用与工业生产过程中,具有制造成本高,设备维护难等缺陷。目前,国内生产的超音频感应加热装置,由于装置体积较大,大多都安装在固定的位置上,只能进行有限位置和角度的加热,而在不能应用于汽车维修,铁路养护,建筑施工和航空航天之中,而且电路复杂、效率低等缺陷,限制了装备的实用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供一种操作方便、结构简单、效率高的便携式超音频感应加热装置及方法。本专利技术通过下述技术方案实现:一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,所述开关控制电路,包括晶体管Ql1、晶体管Q8、晶体管Q5、可控娃Q9 ;所述晶体管Qll的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5的集电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶体管Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Qll的基极通过电阻R24与A点连接;所述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13接地;所述A点通过两个串联的稳压管D9、DlO接地;A点与地之间接有电容ClO ;所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管D12连接晶体管Qll的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Qll的基极,可控硅Q9 ...
【技术保护点】
一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,其特征在于:所述开关控制电路,包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控硅Q9;所述晶体管Q11的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5的集电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶体管Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Q11的基极通过电阻R24与A点连接;所述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13接地;所述A点通过两个串联的稳压管D9、D10接地;A点与地之间接有电容C10;所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管D12连接晶体管Q11的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Q11的基极,可控硅Q9的阴极与控制极之间并联电阻R20和电容C11;所述可控硅Q9的阳极通过电阻R17接电源的正极。
【技术特征摘要】
1.一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,其特征在于: 所述开关控制电路,包括晶体管Ql1、晶体管Q8、晶体管Q5、可控娃Q9 ;所述晶体管Qll的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5的集电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶体管Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Qll的基极通过电阻R24与A点连接;所述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13接地;所述A点通过两个串联的稳压管D9、D10接地;A点与地之间接有电容ClO ; 所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管D12连接晶体管Qll的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Qll的基极,可控硅Q9的阴极与控制极之间并联电阻R20和电容Cll ; 所述可控硅Q9的阳极通过电阻R17接电源的正极。2.根据权利要求1所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述驱动电路,包括芯片U1、晶体 管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管Q2、晶体管Q1、二极管D5、_.极管D6、二极管D8、二极管D7、变压器Tl ; 所述晶体管Q7的基极通过电容C9连接晶体管Q4的集电极,晶体管Q7的基极通过电阻R8接地,晶体管Q7的发射极接地,晶体管Q4的集电极通过电阻R12接地,晶体管Q4的基极与发射极之间并联电阻R10,晶体管Q4的发射极接VCC端;晶体管Q4的基极通过电阻R14、电阻R16连接变压器Tl初级线圈的第I脚;二极管D8和二极管D7串联后负极接变压器Tl初级线圈的第I脚,正极接电阻R14与电阻R16之间的连接点; 所述晶体管Q2的栅极与漏极之间并联电阻R30,漏极接地,源极接变压器Tl初级线圈的第I脚,源极与漏极之间并联电容C30,栅极通过二极管D4的负极接芯片Ul的第5脚,二极管D4并联电阻R2; 所述芯片Ul的第4脚与第5脚并联电阻R4,第4脚接晶体管Q7的集电极,第7脚通过电容C5和电阻R5接晶体管Q7的集电极;芯片Ul的第3脚、第I脚、第8脚接地; 所述所述晶体管Q6的基极通过电容CS连接晶体管Q3的集电极,晶体管Q6的基极通过电阻R7接地,晶体管Q6的发射极接地,晶体管Q3的集电极通过电阻Rll接地,晶体管Q3的基极与发射极之间并联电阻R9,晶体管Q3的发射极接VCC端;晶体管Q3的基极通过电阻R13、电阻R15连接变压器Tl初级线圈的第3脚;二极管D5和二极管D6串联后负极接变压器Tl初级线圈的第3脚,正极接电阻R13与电阻R15之间的连接点; 所述晶体管Ql的栅极与漏极之间并联电阻R31,漏极接地,源极接变压器Tl初级线圈的第3脚,源极与漏极之间并联电容C31,栅极通过二极管D3的负极接芯片Ul的第7脚,二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛家祥,王磊磊,沈栋,林放,陈振升,恒功淳,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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