基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置及基板处理方法。在该基板处理装置（1)中，利用环状的基板支撑部（141)从下侧支撑水平状态的基板（9)的外缘部，具有与基板（9)的下表面（92)对置的对置面（211a)的下表面对置部（211)设在基板支撑部（141)的内侧。向基板（9)的下表面（92)喷出已加热的气体的喷气喷嘴（180)设在下表面对置部(211)，在用上部喷嘴（181)吐出的处理液对旋转的基板（9)的上表面（91)进行处理时，利用已加热的气体加热基板（9)。此外，通过将下部喷嘴（182)设在下表面对置部（211)，能够用处理液对基板（9)的下表面（92)进行处理。喷气喷嘴（180)从对置面（211a)突出，由此在进行该处理时，抑制该处理液流入喷气喷嘴（180)。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
本专利技术涉及基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
以往，在半导体基板（以下，简称为“基板”）的制造工艺中，利用基板处理装置对基板实施各种处理。例如，在日本特开2004-158588号公报（文献1)中，公开了一种利用去除剂来除去附着在基板上的有机物的基板处理装置。在该基板处理装置中，在从去除剂喷嘴向基板供给去除剂之前，从背面侧气体喷嘴向基板的背面供给作为调温剂的氮气，来使基板的温度接近去除剂的温度。由此，能够使流经基板表面的去除剂的温度在整个基板面上大体均匀，从而提高有机物去除处理在面上的均匀性。在其他例中，通过向在表面上形成有抗蚀剂图案的基板供给药液，对基板的表面进行蚀刻等处理。此外，在日本特开2002-305177号公报（文献2)中公开了利用去除剂除去生成在基板表面上的反应生成物的基板处理装置，其中，基板是利用将抗蚀膜作为掩膜的干蚀刻，来对形成在其表面上的薄膜进行图案化而形成的基板。在文献2的装置中，设有用于捕捉从旋转的基板飞散的去除剂的杯子，在利用去除剂对反应生成物进行除去处理时，通过减弱该杯子内的气体氛围的排气，能够有效防止去除剂的水分气化等引起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具备：环状支撑部，具有以上下方向的中心轴为中心的环状的形状，用于从下侧支撑水平状态的基板的外缘部；下表面对置部，具有在上述环状支撑部的内侧与上述基板的下表面对置的对置面；旋转机构，使上述环状支撑部与上述基板一同以上述中心轴为中心相对于上述下表面对置部进行旋转；第一处理液供给部，向上述基板的上表面供给第一处理液；第二处理液供给部，从设在上述下表面对置部的处理液喷嘴向上述基板的上述下表面供给第二处理液；以及至少一个喷气喷嘴，从上述对置面突出，用于向上述基板的上述下表面喷出已加热的气体。

【技术特征摘要】
2013.02.14 JP 2013-026224;2013.02.15 JP 2013-027381.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具备：环状支撑部，具有以上下方向的中心轴为中心的环状的形状，用于从下侧支撑水平状态的基板的外缘部；下表面对置部，具有在上述环状支撑部的内侧与上述基板的下表面对置的对置面；旋转机构，使上述环状支撑部与上述基板一同以上述中心轴为中心相对于上述下表面对置部进行旋转；第一处理液供给部，向上述基板的上表面供给第一处理液；第二处理液供给部，从设在上述下表面对置部的处理液喷嘴向上述基板的上述下表面供给第二处理液；以及至少一个喷气喷嘴，从上述对置面突出，用于向上述基板的上述下表面喷出已加热的气体，在上述第一处理液供给部向上述基板的上述上表面供给上述第一处理液时，上述至少一个喷气喷嘴向上述基板的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：泉本贤治，三浦丈苗，小林健司，西东和英，岩﨑晃久，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP