用于收集晶片表面液滴的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种用于收集晶片表面液滴的装置，包括液滴收集腔和抽真空装置，所述液滴收集腔和所述抽真空装置通过连接管相连，在所述液滴收集腔正下方设置液滴收集管，所述液滴收集管的数量为五个，其中一个所述液滴收集管位于所述液滴收集腔正下方的中心位置，其余四个所述液滴收集管位于以所述液滴收集腔正下方的中心为圆心的圆周上。本实用新型专利技术用于收集晶片表面液滴的装置采用多根收集管并列同时使用，在确保收集管均匀分散排列的情况下即可扩大收集液滴的范围，保证液滴实现完全收集。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用于收集晶片表面液滴的装置
本技术涉及半导体
，特别涉及一种用于收集晶片表面液滴的装置。
技术介绍
晶片表面的成份构成，尤其是各种金属元素的含量，对晶片表面集成电路的导电性能有着十分重要的影响。近年来，为准确检测晶片表面的成分构成，减少在晶片表面成份收集过程中的人为污染，晶片表面的成份分析已逐渐由原始的手动刻蚀收集转变为全自动的机器刻蚀并收集。目前晶片表面成份的收集主要是通过气相刻蚀仪来完成的，其工作流程主要包括:首先利用氢氟酸对晶片表面进行刻蚀；然后对晶片表面分散的刻蚀液滴进行聚拢，聚拢的液滴将会停留在晶片表面某一固定位置；最后对聚拢液滴进行收集。对聚拢液滴的收集主要是通过液滴收集装置来完成的，该液滴收集装置10工作示意图如图1所示:一根液体收集管3会垂直插入预先设定的晶片4上的液滴5的停留位置，液体收集管3另一端连通液滴收集腔2，液体收集腔2通过连接管I和抽真空装置相连接，在真空负压的作用下将液滴5从晶片4表面收集到液滴储存腔2中。通过该液滴收集装置，可以成功的避免人工收集所造成的测试结果不准确的问题。但在实际操作中我们发现，由于机器误差的存在，以及晶片表面亲疏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于收集晶片表面液滴的装置，包括液滴收集腔和抽真空装置，所述液滴收集腔和所述抽真空装置通过连接管相连，在所述液滴收集腔正下方设置液滴收集管，其特征在于：所述液滴收集管的数量为五个，其中一个所述液滴收集管位于所述液滴收集腔正下方的中心位置，其余四个所述液滴收集管位于以所述液滴收集腔正下方的中心为圆心的圆周上。

【技术特征摘要】
1.一种用于收集晶片表面液滴的装置，包括液滴收集腔和抽真空装置，所述液滴收集腔和所述抽真空装置通过连接管相连，在所述液滴收集腔正下方设置液滴收集管，其特征在于:所述液滴收集管的数量为五个，其中一个所述液滴收集管位于所述液滴收集腔正下方的中心位置，其余四个所述液滴收集管位于以所述液滴收集腔正下方的中心为圆心的圆周上。2.根据权利要求1所述的用于收集晶片表面液滴的装置，其特征在于:所述液滴收集管的直径范围为100 μ m至1000 μ m。3.根据权利要求2所述的用于收集晶片表面液滴的装置，其特征在于:所述液滴收集管的直径为500 μ m。4.根据权利要求1所述的用于收集晶片表面液...

【专利技术属性】
技术研发人员：张权，赵建锋，唐毅，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31