清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于清洗设备技术领域，涉及一种清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置。它包括电机驱动机构，所述的电机驱动机构的输出端连接涡轮组件，所述的涡轮组件啮合蜗杆组件，所述的蜗杆组件包括中空的蜗杆，蜗杆的一端密封连接具有进水口的旋转轴组件，另一端可拆卸的连接喷杆，所述的喷杆的端部密封且喷杆的侧壁设有若干喷嘴。本发明专利技术结构简单，能进行360°旋转清洗，清洗效率高、速度快。

【技术实现步骤摘要】
清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置
本专利技术属于清洗设备
，涉及一种清洗用的高压水喷杆装置，尤其涉及一种清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置。
技术介绍
多晶硅(polycrystallinesilicon)有灰色金属光泽，密度2.32-2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，无论是哪种方法，都需要将多晶硅进行冷却结晶沉淀，在这个过程中，需要用到反应釜或流化床进行结晶，目前以使用反应釜结晶较多。结晶完成后，需要对反应釜进行清洗，如清洗不完全，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置，包括电机驱动机构(1)，所述的电机驱动机构(1)的输出端连接涡轮组件(2)，所述的涡轮组件(2)啮合蜗杆组件(3)，其特征在于，所述的蜗杆组件(3)包括中空的蜗杆(31)，蜗杆(31)的一端密封连接具有进水口(41)的旋转轴组件(4)，另一端可拆卸的连接喷杆(5)，所述的喷杆(5)的端部密封且喷杆(5)的侧壁设有若干喷嘴(51)。

【技术特征摘要】
1.一种清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置，包括电机驱动机构(1)，所述的电机驱动机构(1)的输出端连接涡轮组件(2)，所述的涡轮组件(2)啮合蜗杆组件(3)，其特征在于，所述的蜗杆组件(3)包括中空的蜗杆(31)，蜗杆(31)的一端密封连接具有进水口(41)的旋转轴组件(4)，另一端可拆卸的连接喷杆(5)，所述的喷杆(5)的端部密封且喷杆(5)的侧壁设有若干喷嘴(51)，所述的电机驱动机构(1)通过减速机(6)连接涡轮组件(2)，所述的涡轮组件(2)包括与减速机(6)的输出轴固接的涡轮(21)，涡轮(21)与蜗杆(31)啮合，所述的旋转轴组件(4)包括中空的旋转轴(40)，旋转轴(40)的一端设有进水口(41)，旋转轴(40)远离进水口(41)的另一端与蜗杆(31)紧密...

【专利技术属性】
技术研发人员：绳钦国，
申请(专利权)人：浙江德清宝丰射流系统工程有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33