一种间距记录装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开的一种间距记录装置包括平面基座、伸缩单元及平面承压头；伸缩单元的一端与平面基座连接，其另一端与平面承压头连接；伸缩单元包括第一腔体和嵌套于所述第一腔体内的第二腔体；平面承压头第一表面与平面基座的第二表面平行，平面承压头第二表面与所述第二腔体相连，利用伸缩单元的伸缩性，使得在受到挤压时可以收缩变形，当挤压消除后，之前的收缩变形可以维持原状；用游标卡尺测量平面承压头的第一表面与平面基座的第二表面之间的距离来确定喷淋头与加热台之间的距离。避免气相淀积制程的测距方法中，由于铝箔球质软，易发生二次形变，使最终测量的距离精准度不高，淀积薄膜厚度不符合要求，影响产品良率的问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种间距记录装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种间距记录装置。
技术介绍
目前，随着半导体制造领域的发展，对于每一制程的精准度要求都有所提高。在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体还是介电材料，都可以用化学气相淀积(CVD)来制备，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。化学气相淀积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室，在晶圆表面发生化学反应，从而生成所需的固态薄膜并淀积在其表面。而晶圆表面淀积的薄膜厚度直接影响晶圆的性能，而在进行CVD工艺时，CVD反应腔中的喷淋头与加热台之间的距离会影响晶圆表面淀积的薄膜厚度，距离越远，淀积的薄膜越薄。因此提高对于喷淋头与加热台之间的距离测试的精准度具有重要的意义。现有技术中，测量喷淋头与加热台之间的距离的方法为:通过使用铝箔球，利用铝箔球的形状可塑性，将铝箔球放置于喷淋头下方的加热台的测试点位置；开启CVD反应腔，喷淋头会下降到预设的高度，对铝箔球进行挤压变形；取出经挤压的铝箔球，用游标卡尺测量铝箔球挤压 变形的两个平行平面的距离，进而确定喷淋头与加热台之间的距离。但是，现有技术所设计的间距记录方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种间距记录装置，其特征在于，包括：一平面基座、一伸缩单元及一平面承压头；所述伸缩单元的一端与所述平面基座连接；所述伸缩单元的另一端与所述平面承压头连接；其中，所述伸缩单元包括：第一腔体和嵌套于所述第一腔体内的第二腔体；所述平面承压头第一表面与所述平面基座的第二表面平行，所述平面承压头第二表面与所述第二腔体相连。

【技术特征摘要】
1.一种间距记录装置，其特征在于，包括:一平面基座、一伸缩单元及一平面承压头； 所述伸缩单元的一端与所述平面基座连接；所述伸缩单元的另一端与所述平面承压头连接；其中，所述伸缩单元包括:第一腔体和嵌套于所述第一腔体内的第二腔体； 所述平面承压头第一表面与所述平面基座的第二表面平行，所述平面承压头第二表面与所述第二腔体相连。2.如权利要求1所述的间距记录装置，其特征在于，所述第一腔体与所述第二腔体之间的距离小于等于0.1mm。3.如权利要求1所述的间距记录装置，其特征在于，所述第一腔体的体壁上设置有多...

【专利技术属性】
技术研发人员：封伟博，陈雄博，吉成伟，王昕昕，罗光林，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11